旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。     

LLC谐振变换器的参数设计

对于LLC谐振变换器,谐振网络参数的设计对提高变换器的工作性能有着重要的影响.采用基波分析结合频率仿真的方法,在对LLC变换器的直流电压增益特性,零电压开通条件及谐振网络传输效率进行详细分析的基础上,总结推导出一种简单、高效的LLC谐振变换器的参数设计方法,并给出其具体设计过程.最后,基于所提出的方法设计了具有90%变...     

NiFe/CoFe复合自由层自旋阀巨磁电阻效应研究

采用高真空磁控溅射技术制备出无缓冲层NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Cu结构的自旋阀磁电阻薄膜.采用标准四探针法对自旋阀磁电阻比进行了测试,并利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁滞回线.结果表明:采用复合自由层NiFe/CoFe结构有效地提高了巨磁电阻比,相对于单一自由层结构自旋阀,巨磁电阻(GMR...     

自旋转矩纳米振荡器的研究进展

自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点.本文介绍了STNO的工作原理,综述了STNO的国内外研究现状和发展趋势,并展望其应用前景.     

磁性薄膜微波噪声抑制器研究进展

噪声抑制器是现代通信电路中抗电磁干扰的一种重要手段.介绍了磁性薄膜噪声抑制器噪声抑制机理:铁磁谐振和焦耳热损耗.综述了薄膜的电阻率、三维尺寸以及其他方面因素对其噪声抑制性能的影响规律,指出存在一个最佳薄膜电阻使得噪声损耗达到最大,电磁辐射达到最小,且在一定范围内,随着薄膜长度和厚度的增加、宽度的减小,薄膜的谐振频率逐渐提高,噪声的功率损耗逐渐加大,噪声抑制性能明显提高.     

不连续[NiFe/Ag]_n多层薄膜低场巨磁阻研究

用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了 [NiFe/Ag]n不连续多层膜。从理论上分析了不连续膜低响应、高磁电阻值的机制 ,不连续膜模型介于多层膜模型及颗粒膜模型之间。研究了工艺条件 ,即退火温度、退火时间及空间层Ag厚度对不连续膜巨磁电阻特性的影响 ,并对工艺条件进行了优化 ,在常温下获得巨磁电阻值 13% ,饱和场Hs<80 0A/m ,磁场灵敏度 1 3% / 80Am-1的优质薄膜材料。     

不连续［NiFe/Ag］n多层薄膜低场巨磁阻研究

用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了［NiFe/Ag］     

Cu对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应影响的研究

用直流磁控溅射方法制备了NiFe/Cu/NiFe层状薄膜 ,研究了Cu膜宽度对NiFe/Cu/NiFe层状薄膜的巨磁阻抗效应的影响 ,结果表明 ,层状薄膜的巨磁阻抗效应随Cu膜宽度发生振荡现象 ;并提出了一个等效电路模型直观地解释了层状薄膜增强巨磁阻抗效应的机理     

WCDMA中一种新的信道估计方法

本文介绍了第三代移动通信标准WCDMA(FDD)中基于时分复用的导引符号辅助瑞利衰落信道下的信道估计.提出了一种新的利用两个连续时隙的导引符号估计出的信道参数进行最小二乘意义下二次曲线内插的信道参数估计方法.仿真表明本方法能有效地估计出时隙中数据段的信道参数,尤其在高速及变速运动情况下,Rake接收机的性能得到了显著的改善.     

IPO+FMM混合方法结合GRI和级联技术计算电大腔体的RCS

采用快速方法(FMM, RPFMM, FaFFA)加速迭代物理光学法(IPO)的迭代过程,可以快速计算电大腔体的电磁散射特性。采用广义互易积分,用靠近腔体终端的一个St面将腔体分成两段,形状简单光滑的腔体前端用IPO结合快速算法处理,而腔体终端单独分析。为了能够处理深腔体和进一步加快计算速度,将腔体前端进一步分成几个子腔体,每一个子腔体独立分析,通过一个级联方法求得腔体前端在St面产生的辐射场,最终在St面用广义互易积分求得腔体的RCS。数值计算结果表明该方法是准确的,同时能有效地提高计算速度。