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61.
为抑制扩频系统中的干扰信号,提出变换域信息信号识别(TDISI)干扰抑制系统,其中采用了扩展BP神经网络(EBPNN).TDISI首先利用快速傅立叶变换(FFT)将输入信号映射到变换域,提高系统收敛速度;然后通过EBPNN对变换系数进行信息信号的自适应识别,其具有复杂度低、鲁棒性好的特点.理论分析得到采用TDISI后接收信号的干信比(ISR)抑制量、信噪比(SNR)损失量和误码率(BER)的数学表达式.仿真结果表明:在干扰信号相同的情况下,此系统的干信比抑制量较2种现有系统分别提高29.9%和8.9%,信噪比损失量分别降低了54.3%和21.2%.  相似文献   
62.
基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。  相似文献   
63.
本文提出了一种新型高速低抖动锁相环架构。通过实时监测鉴频鉴相器的输出产生线性斜坡电荷泵电流,实现了自适应带宽控制。主要通过在传统锁相环的基础上,巧妙地设计了一个快速启动电路和一个斜坡电荷泵电路。首先,使能快速启动电路实现对环路滤波器的快速预充电;然后当鉴频鉴相器输出的充电电流脉宽超过设定的最小值时,斜坡电流控制电路将线性增加电荷泵电流,从而实现了快速响应和低相位噪声。同时,通过零温度系数电荷泵电流的设计,保证了高速低抖动指标的温度稳定性。所设计的新型锁相环架构已在一款基于0.35 μm的DSP处理芯片中得到验证。测试结果显示所设计斜坡电荷泵锁相环在宽温度范围内使得锁定时间提高了60%,且峰峰值抖动仅有0.3%的良好特性。  相似文献   
64.
介绍了单管 5 W 大栅宽多胞微波砷化镓 M E S F E T 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性,并结合器件结构特点和 I V 特性,建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型,最后与实验测试数据比较,其拟合度优于常规模型的拟合度。  相似文献   
65.
66.
文章针对S参数提取微波功率FET小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率2100μm栅宽的GaAsMESFET管芯的小信号等效电路13只元件参数计算,计算得出的S参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。  相似文献   
67.
对无体接触的深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET器件的输出特性分别进行了等温、非等温和非等温能量输运3种模式的模拟,结果表明:SiO2埋层的低导热率使器件在静态工作条件下硅膜温度上升,电子迁移率降低,漏端电流减小;同时,电子温度上升使电子扩散率增加,在无体接触情况下体区电子密度升高,体电势降低,漏端电流减小.通过对模拟结果的分析认为电子迁移率降低和扩散率升高是造成PD-SOI NMOSFET负微分电导现象的主要原因.  相似文献   
68.
一种新型运放相位反转保护电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足,提出了一种新型的相位反转保护电路.该保护电路结构紧凑,仅需3个双极型器件,且当运放输入信号处于正常共模输入范围时,对运放的性能参数,如差模信号增益、建立时间和静态功耗等,没有不利的影响.理论分析与仿真结果表明,该保护电路不仅避免了运放电路相位反转的发生,而且有效地抑制了伴随相位反转的过流现象.  相似文献   
69.
为提高GPS接收机的灵敏度,采用模糊控制算法自适应调节接收环路的信号带宽,调和带内噪声控制与频率误差之间的矛盾。在GPS接收机设计中,通过降低环路带宽,抑制进入带内的噪声能量,提高环路信噪比,但在高动态环境下,为增加系统对频率误差的容忍度,就需适当提高环路带宽。采用模糊控制对接收环路的噪声带宽进行自适应调节,达到了提高接收机灵敏度的目的。仿真结果表明,该接收机系统性能比传统接收机在平方损耗及误码率等方面有不同程度的提高,使其更适用于高动态环境。  相似文献   
70.
DMA控制器的设计与仿真   总被引:3,自引:1,他引:2  
文章介绍了DSP SM9966中的双通道DMA控制器的主要功能和电路结构,给出了主要电路的实现方法,并引入存储器模型,举例说明了对其进行逻辑仿真的基本方法。  相似文献   
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