一种差分输入限幅放大电路的设计

设计了一种差分输入限幅放大电路,详细分析了电路的结构.根据此差分输入限幅放大电路的结构,结合输入信号的特点,将其工作状态分为4种情况,并通过公式推导证明了它们的工作原理.运用Cadence的仿真工具对电路进行了逻辑仿真验证,仿真结果和理论推导结果一致.最后,提出了绘制此差分输入限幅放大电路版图时的注意事项,且将其应用于某总线驱动器的接收器电路中,并投片成功.     

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI（Silicon on Insulator）集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD（Partly）SOI CMOS（ComplementaryMetal-Semiconductor）工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300krad（Si）。     

半导体保护器件阴极短路区的设计

为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。     

C波段4W功率GaAs MESFET制作技术

文章主要介绍了已研制的C波段5．2－5．8GHz ４W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术。最后,获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合。     

微波功率GaAs MESFET小信号等效电路的研究

提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法,包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量,确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向,以及稳定的计算方法,计算结果与器件的测量值吻合。     

一种提取 Statz MESFET 非线性电容模型参数的方法

文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明,对偏置的电容Ｃｇｘ和Ｃｇｄ数据情况,提取Ｓｔａｔｚ非线性电容模型参数较适用。     

PWM单端正激变换器谐振磁复位分析与设计

分析了PWM单端正激变换器的谐振磁复位;研究了功率变压器励磁电感、开关管寄生电容以及整流管寄生电容等寄生参数对谐振磁复位的影响;给出了设计谐振磁复位的主要方法,并通过计算机仿真和模拟实验进行了结果验证.     

130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应

研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明,p+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。     

一种应用于SOC电源的内嵌式软启动电路设计

针对SOC系统对电源的上电及稳定性的特殊要求,本文提出了一种全新的片内软启动电路。采用7位DAC控制精密电流源下拉内部基准电压, 实现软启动无缝切换。不仅有效抑制了启动过冲及带载能力问题,提高了输出精度。同时减少了芯片引脚数目以节省PCB板面积。设计电路在一款基于0.35 μm CMOS工艺的电源芯片中进行了验证,测试结果表明,在工作频率为400 kHz,DC-DC输出电压为2.5V,LDO输出电压为1.8V的条件下,系统在使能250μs后成功实现了软启动,并且启动完成后的稳定性也非常好。     

基于斜坡电荷泵控制的高速低抖动锁相环

本文提出了一种新型高速低抖动锁相环架构。通过实时监测鉴频鉴相器的输出产生线性斜坡电荷泵电流,实现了自适应带宽控制。主要通过在传统锁相环的基础上,巧妙地设计了一个快速启动电路和一个斜坡电荷泵电路。首先,使能快速启动电路实现对环路滤波器的快速预充电;然后当鉴频鉴相器输出的充电电流脉宽超过设定的最小值时,斜坡电流控制电路将线性增加电荷泵电流,从而实现了快速响应和低相位噪声。同时,通过零温度系数电荷泵电流的设计,保证了高速低抖动指标的温度稳定性。所设计的新型锁相环架构已在一款基于0.35 μm的DSP处理芯片中得到验证。测试结果显示所设计斜坡电荷泵锁相环在宽温度范围内使得锁定时间提高了60%,且峰峰值抖动仅有0.3%的良好特性。