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11.
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为Il,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。 相似文献
12.
正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光 总被引:5,自引:4,他引:1
本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50~500mA/mm2的激发下,ZnSe MIS二极管的电致发光光谱.首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上,观测到自由激子与自由激子间(Ex-Ex)的散射.本中根据自由激子的动能分布,讨论了2LO声子协助的自由激子伴线的形状,发现当激发电流密度增高时,自由激子的有效温度大于晶格温度,这可归结为激子与激子间的非弹性散射. 相似文献
13.
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15.
16.
17.
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。 相似文献
18.
19.
利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出结合Cd(OH)2 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的尺寸分布, 并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想. 以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒, 再通过Cd2+ 与OH- 的选择性包覆在大粒径的CdS纳米微粒表面形成一层Cd(OH)2, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Cd(OH)2 包覆的大粒径CdS纳米微粒, 这样即可达到缩小CdS纳米微粒尺寸分布的目的. 相似文献
20.
提出结合Cd(OH)2选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的 政论发布,并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想,以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒,再通过Cd^2+与HO^-的选择民覆在大粒径的CdS纳米表面形成一层Cd(OH)2,然后溶液置于日光下辐照处理,数天后,未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解,溶液中只剩下被Cd(OH)2包覆的大粒径CdS纳米微 相似文献