ZG31Mn2Si履带板的铸造工艺

采用ＺＧ３１Ｍｎ２Ｓｉ替代ＺＧＭｎ１３生产拖拉机和推土机履带板．改进铸造工艺，可以生产出合格的铸件；经淬火、低温退火处理，其基体组织为马氏体，属强韧性钢种，能够切削加工．     

用分析－数值法求解非线性包装系统的产品破损边界曲线

应用非线性动力学方程的分析－数值解法，推导了矩形冲击时非线性包装系统的破损边界曲线，研究了非线性项对破损边界曲线的影响，分析了影响破损边界曲线安全区范围大小的因素。     

R-Calculus for ELP:An Operational Approach to Knowledge Base Maintenance

Sme concepts used in knowledge base maintenace,such as sequence,new law,user‘s rejection and reconstructions of a knowledge base,are first introduced,and then a framework for extended logic programming(ELP)is given,where an extended logic program is equivalent to a knowledge base.A transition system called R-calculus for ELP is provided.For a given knowledge base and a user‘s rejection,the R-calculus for ELP will deduce best revisions of the base.The soundness and the completeness of the R-calculus for ELP are proved,and the R-calculus for ELP is implemented in Prolog.In addition,the research is compared with other relevant work.     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

心电地图仪中工频干扰的一种滤除方法

在心电地图仪中记录到的体表心电信号往往由于电磁的影响而引进工频干扰．基于体表心电信号中工频干扰的特点，作者提出了一种滤除工频干扰的方法，即就单独—胸导联信号通过提高频谱的分辨率来估计工频干扰的频率；基于最小均方误差准则来估计各导联信号中工频干扰的幅度和相位。文中还给出了该算法的流程图和滤波性能分析。模拟结果表明了该算法的有效性。应用该算法对心电地图仪中的工频干扰进行对消，取得了满意的结果。     

对分布式数据库发展方向的分析

本文对分布式数据库的设计方法、分割与分配技术作了一些探讨，并就分布式数据库的发展方向进行了初步分析。     

脉冲序列的快速搜索法及可信度分析

对于周期脉冲序列的信号分选识别，可采用序列搜索的时域方法[1，2]。本文将大周期内完全重复的脉冲序列分解为多个“单周期信号”．并把它们均定义为周期性信号．同时，提出了序列搜索的一种软件实现方法及密集视频脉冲信号分选的变步长、信步长快速搜索法．在此基础上，本文针对序列搜索分选法的可信度计算公式进行了推导和分析，证实了这种方法的可行性和有效性．     

长江重要堤防隐蔽工程建设投资对扩大内需、拉动经济的作用和影响

长江重要堤防隐蔽工程是党中央、国务院实施积极财政政策进行长江堤防建设的重要组成部分，隐蔽工程既是重要的基础设施，也是重要的环境保护工程，隐蔽工程与其他行业的关联性很强，对众多行业具有巨大的带动作用，有效地扩大了内需，拉动了经济增长。     

基于MPLS骨干网络的VPN解决方案

现有的虚拟专用网(VPN)方案大多基于IP协议,这种结构的VPN在数据包转发速度、扩展性、服务质量等方面都存在欠缺,所以本文提出了基于多协议标记交换(MPLS)骨干网络的VPN解决方案.由于MPLS和IPSec在身份认证方面都没有定义,所以我们在方案中把认证中心(CA)的证书管理引入进来.该方案的核心思想是:利用MPLS在传输效率上的优势,通过CA进行身份认证、IKE协议^[1]进行密钥协商以及IPSec协议^[2]进行数据包加密,从而在MPLS骨干网络上建立一个安全高效的VPN.本文对实现MPLS VPN的每个关键部件都做了进一步的描述.     

Systematic characterization of Cl2 reactive ion etchingfor improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs

Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs