第二代数字卫星电视广播系统浅析

介绍了数字卫星电视广播技术及其发展概况,对第二代数字卫星电视广播DVB-S2信道结构进行了深入分析,指出了DVB-S2在我国的应用发展前景.     

整帧丢失时基于多帧参考的差错掩盖算法

压缩视频对于信道误码十分敏感,可导致重组视频的质量严重下降。在低码率的情况下,当网络传输中出现数据包丢失的情况时,通常对应于一整帧图像内容的丢失。为此本文提出了两种针对整帧图像丢失的差错掩盖算法一基于多帧参考的差错掩盖算法。研究结果表明,该算法不仅能够恢复整个丢失帧,而且其掩盖效果比传统的掩盖算法更好。     

Ca掺杂(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3-BaTiO_3压电陶瓷结构与性能

采用传统电子陶瓷工艺制备了(Bi0.5Na0.5)0.93(Ba1-xCax)0.07TiO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08或0.10)陶瓷,研究了Ca掺杂量对陶瓷的结构、介电、压电性能的影响。结果表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体。陶瓷的介电、压电性能受Ca掺杂量的影响显著。所有陶瓷样品均表现出弥散相变特征。x=0.04时,室温εr达到最大值1451.7,且tanδ较小,为0.042;当x=0.06时,d33和kp达到最大,分别为140.5pC/N和19.7%。     

对DVB—RCS安全多播的改进

讨论了DVB-RCS标准的安全规范,并针对现有规范在多播安全性上的缺陷,提出了改进方案.通过扩展MKE,QKE和EKE消息发送密钥改进发送与更新多播密钥方案,达到了提供安全的多播卫星服务的目的.     

Si基微绝热结构PLZT厚膜红外探测器阵列

介绍了一种制备非致冷红外探测器阵列的新方法,此方法避免了使用传统的微电子机械系统(MEMS)工艺来加工微桥.研究了如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.ZnO纳米粉末和PLZT厚膜采用改进的溶胶-凝胶法制备.表征了ZnO纳米粉末的表面形貌和PLZT厚膜的相组成,测量了 PLZT-8/53/47厚膜的铁电性和热释电性.结果表明,ZnO纳米粉末的粒径为40～70 nm,PLZT-8/53/47厚膜为纯钙钛矿相,其主结晶方向与底电极一致.PLZT-8/53/47厚膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为8.21×10-8C/(cm2·℃),而矫顽场较小,25℃时 Ec为32.0 kV/cm,40℃时 Ec仅为27.8 kV/cm.     

一种基于IIR信道的盲均衡新算法

文章提出了盲均衡的一种快速算法。该算法基于将通信信道建模成IIR信道，并在信道输出端过采样将信道转化成具有相同系数的AR子系统和SIMOFIR子信道的级联，通过对AR子系统和SIMOFIR子信道分别均衡实现IIR信道的盲均衡。仿真实验表明，在约25dB信噪比时，算法只需要少量的样本点即可快速收敛。     

BT-BKT无铅压电陶瓷的性能研究

通过在BaTiO3(BT)中加入不同含量的Bi0.5K0.5TiO3(BKT),研究了(1–x)BT-xBKT系无铅压电陶瓷的性能特征。经1200℃空气气氛2～4h烧结的陶瓷形成了钙钛矿结构固溶体单一相。陶瓷的介电、压电、铁电性质受BKT含量的影响显著。随着BKT的加入,陶瓷表现出一定的弛豫型铁电体特征。当x为0.20时,陶瓷具有较小的tanδ,并且介电性能稳定。tC及EC随BKT添加量的增加而增大。当x为0.20时,陶瓷的tC达182℃,d33达到63pC/N;x为0.10时,Pr达最大值9.4×10–6C/cm2。     

基于最小冗余四阶循环累积量阵的DOA估计新方法

利用实际通信信号的循环平稳特性,提出了一种基于最小冗余四阶循环累积量阵的DOA估计新方法。与传统的MUSIC算法相比,新算法能抑制任意分布的平稳噪声或不具有目标信号循环频率的非平稳干扰或噪声,以及所有的高斯噪声,使该高斯噪声具有和目标信号相同的循环频率。新方法计算量较小,具有很强的信号选择性和很高的空间分辨率,并且具有很好的阵列扩展能力。     

基于敏捷制造思想和本体的TBT预警计划排程模型

基于TBT预警过程的特点,将敏捷制造的思想引入TBT预警系统的体系结构设计中,在此基础上建立系统的计划排程模型。为了使系统中各个Agent对计划排程有一致的理解,运用本体论的方法,建立了计划排程的语义模型,并给出基于OWL的形式化描述。最后给出该本体模型在系统实际应用中的算法。     

(1-x)BaTiO3-xLiNbO3陶瓷的制备及性能研究

采用复合溶胶凝胶法制粉技术结合传统陶瓷制备工艺，制备了（1-x）BaTiO3-xLiNbO3陶瓷，并对其晶相特征、介电及压电、铁电性能进行了研究。在1250℃下烧结的陶瓷形成了单一相的钙钛矿结构固溶体，该固溶体在20-40℃之间存在二级相变，介电常数及介电损耗出现异常变化。陶瓷的铁电、压电性能随LiNbO3的加入得到显著提高。LiNbO3加入量为0．005mol的陶瓷压电常数d33为121pC／N，剩余极化强度为2．8μC／cm^2。