英特尔转弯

“作为经理人,我们憎恶变化,尤其是这些改变将我们卷入其中的时侯。”说这话的是全美最杰出的职业经理人、数字革命的缔造者、英特尔公司前任CEO 安德鲁·格罗夫。在其著名的《惟有偏执狂才能生存》中,他对企业的转型还有更为精彩的描述:“我常常感觉有一朵阴云正向我飘来,但我可能需要再过几年才能弄明白客观存在到底是什么。因此,我总是怀着诚惶诚恐的心情,小心翼翼地处理一切事物。”20世纪70年代,英特尔经历了一次从现在来看是具有决定“英特尔之为英特尔”意义中的大转弯。     

MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。     

基于蒙特卡罗分析Ⅲ族氮化物输运特性的研究

利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对-氮化物输运特性的影响。结果表明,在忽略缺陷和表面粗糙度散射的条件下,Ⅲ-氮化物的强场输运特性取决于材料的谷间散射,且当掺杂浓度小于1e17cm-3时,杂质对速-场特性的影响可忽略不计;而低场迁移率特性则主要受晶格振动散射和电离杂质散射的影响。此外,根据Ⅲ-氮化物速-场特性的模拟结果,对"速度过冲"效应提出一种新的解释。     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.     

磁控溅射AIN介质的14W／mm AlGaN／GaN MIS-HEMT

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN／GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14．4W／mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20．51dB和54．2％。     

正六边形孔蜂窝组合梁腹板纯弯屈曲研究

蜂窝构件具有承载力高、抗弯刚度大和方便穿越管线等优点,近年来广泛应用于各类高层建筑和大跨度结构中.对于蜂窝构件来说,腹板的局部屈曲是其主要破坏模式之一,屈曲会导致腹板局部变形的急速增加,直至退出工作,并可能导致构件整体失稳及结构上的连锁反应.在传统钢结构设计中通过对腹板高厚比进行限制来避免腹板局部屈曲的发生,而蜂窝构件...     

基于S变换的高压直流输电故障诊断

在研究采用S变换提取的信号的幅频特性和相频特性基础上,提出了一种基于S变换的高压直流输电故障诊断方法。通过对故障信号进行S变换(一种可逆时频局部分析方法,能有效提取信号的时频特征)后,提取故障特征量,融入构建的故障识别指数,利用识别指数所在值域来判断故障类型。该方法已经在高压直流系统各类型故障中进行了仿真测试,表明是有效可行的。     

基波平衡原理的推广

注入网络的基波电流iS1=0。则可由Gi(Um,ωS)=0和Bi(Um,ωS)=0求出基波解的频率和幅值(ωS,Um)。如果有n对合理的正实数(ωSi,Umi,i=1,2,3….n≠∞),同时满足式Gi=0和Bi=0,则原网络会对应地建立n个周期振荡。以上情况被称为基波解严格存在。若由式Gi≤0,Bi≤0解出的频率和幅值有无限多组解(ωS,Um),分布在一定连续较广范围内,这表明基波解不但在更加广泛的范围内存在,且有向负载送出实功与虚功的能力。含多个平衡点的非线性网络,能够在相空间建立多个座标体系分析网络的全局稳定性。不同的参考体系,应得出相同的结论。但用多个不同的座标体系能够发现相图性状的变化规律。     

单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端工艺研究

利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。     

S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.