NiTi-NbTi原位复合材料的Lüders带型变形和载荷转移行为

采用电弧熔炼、锻造和拔丝方法原位合成了一种高Nb含量的NiTi-NbTi记忆合金复合材料.TEM显微分析显示,在材料内部纳米尺度的NbTi和NiTi纤维沿丝材轴向交替分布,NbTi纤维体积分数高达约70％.通过同步辐射高能X射线原位拉伸实验研究了复合材料的变形机制.结果显示,虽然NiTi体积分数仅约30％,但复合材料的...     

大型抽水蓄能电站发电电动机变压器继电保护就地化整体解决方案研究

回顾常规抽水蓄能机组继电保护存在的二次接线复杂、投资大等问题,开展大型抽水蓄能电站发电电动机变压器继电保护就地化整体解决方案及关键技术研究。文中提出了发电电动机变压器继电保护就地化的配置原则及配置方案,重点阐述了分布式保护运行模式、基于柔性光学CT的直采技术、基于SOC冗余系统框架、装置接口标准化、装置高防护设计等关键技术。最后总结了抽水蓄能机组保护就地化的有益效果,展望实现就地化保护还存在的困难,为后续抽水蓄能机组继电保护就地化实践提供指导意义。     

动力学环境下液浮积分陀螺仪误差建模与仿真

分析了动力学环境下液浮积分陀螺仪的工作原理和误差情况,提出一种反映液浮积分陀螺仪结构振动特性的误差模型.对过载振动复合环境下液浮积分陀螺仪测量误差进行仿真,得到复合环境下液浮积分陀螺仪测量误差的规律.研究表明,在过载振动复合环境下,液浮积分陀螺仪因为结构变化而产生了较大的工作误差,这些误差的表现形式相当复杂,在单一环境实验中是无法体现的.     

图案化In2O3:Sn薄膜制备及显影剂对图案制备的影响研究

功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素。本研究以制备低成本且高质量的图案化In₂O₃:Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化学修饰的溶胶凝胶技术探索。利用化学修饰后的纳米级溶质颗粒的紫外感光特性,以及曝光前后溶质颗粒在有机溶剂中发生的溶解度变化,通过溶胶凝胶工艺成膜,后经曝光、显影、热处理等工序,形成图案化的In₂O₃:Sn薄膜。重点探索了显影剂配方对薄膜图案制备的影响规律。该方法去除了包含光刻胶制备、剥离以及刻蚀等一系列复杂工序,薄膜图案化制备简单且质量较高,是一种新的值得继续探究并广泛推广的薄膜图案化技术。     

基于离心模型试验与数值计算的超高陡加筋土填方边坡稳定性分析

山区机场建设中会出现超高陡(高度达百米且填方坡比陡于1︰1)的加筋土填方边坡方案,针对这类填方边坡稳定性方面的研究较少.以云南某机场的超高陡加筋土填方边坡方案为例,通过大型土工离心模型试验及数值计算开展天然工况下这类加筋土填方边坡稳定性的研究,获得的主要成果:①边坡变形破坏以填方土体局部开裂、面板鼓胀和抗滑桩略微外倾为...     

复合溶胶感光机理及点阵防腐涂层制备

为提升20钢的耐腐蚀性,基于感光微细加工原理,采用溶胶凝胶法在20钢表面制备了具有疏水性的TiO₂-SiO₂点阵涂层,重点研究了TiO₂-SiO₂复合溶胶的感光机理,并对比了受TiO₂点阵涂层、TiO₂-SiO₂点阵涂层和平铺底层/TiO₂-SiO₂点阵涂层保护的20钢的耐腐蚀性。结果表明：TiO₂-SiO₂溶胶对330～380 nm紫外光具有优秀的感光能力,感光后的Ti⁴⁺金属鳌合物在有机溶剂中的溶解度急剧降低,因此,采用感光溶胶凝胶技术可以获得结构完整的TiO₂-SiO₂点阵涂层,使材料由亲水性向疏水性转变,并且耐腐蚀性大幅度提升,其中平铺底层/TiO₂-SiO₂点阵涂层经盐雾试验后表面没有任何腐蚀痕迹,对20钢板有很强的保护能力。     

ZnO∶Al薄膜制备及光电性能研究

利用溶胶-凝胶法在玻璃基板上制备了Al/Zn原子掺杂比例为0～0.25的掺铝氧化锌(ZnO∶Al或AZO)薄膜,随后分别将其在空气,氧气和氮气3种不同气氛中退火处理,研究了薄膜的光学、电学与结构方面的性质.X射线衍射分析表明AZO薄膜是具有c轴择优取向的六方纤锌矿结构多晶体;通过紫外-可见光分光计测定表明该薄膜在可见光范围内具有>80%的高透过率,随着铝掺杂比例的增大光学能隙增大且吸收边向短波方向移动.     

《上海失物招领网》微电影11天创作手记 不可能完成的任务

作为电影工作者工作中无时无刻都充满着挑战，久而久之把困难当作乐趣勇于面对，这才是电影工作者的天性与职责。但，这次真是玩大了。     

安钢高速线材生产线筹建与达产经验

介绍了安钢集团公司高速线材生产线工艺流程和工艺特点及其高速度，高起点，低成本建设的经验，提出了试车的管理措施。解决了影响快速达产的难题。     

中长双色红外焦平面探测器组件技术研究

在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2～10μm)密度统计分布约773 cm^-2,同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×105 cm^-2;双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6～5.0μm,长波波长响应范围为7.4～9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×1011 cm·Hz1/2/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×1010 cm·Hz1/2/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。