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针对轴承微弱故障时冲击信号含有大量噪声且难以提取故障特征频率问题,提出了一种基于奇异值分解(SVD)和变分模态分解(VMD)的轴承故障特征提取方法.该方法先对原始信号进行SVD去噪;再对去噪信号进行VMD分解,得到各个本征模态函数(IMF),根据最大中心频率原则和各个本征模态与去噪信号的相关系数差值确定分解个数,通过加... 相似文献
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为制定某大型冶金制造企业搬迁项目中新厂区物流规划的设计方案,基于Plant Simulation平台对全厂物流系统进行了参数化、模块化建模.通过算法导入数据、控制各种逻辑规则,进行了仿真实验和分析.通过仿真,优化了全厂物流规划的设计方案.通过优化,减少项目投资成本288万元. 相似文献
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宽禁带II-VI族半导体化合物碲锌镉(CdZnTe)晶体是制备室温X和γ射线探测器的理想半导体材料,但其晶体缺陷特性对探测器性能有重要的影响,一直是人们研究的热点与难点。文中采用垂直布里奇曼法生长了CdZnTe晶锭,XRD测试表明晶片呈现(111)取向。通过测试样品不同温度下的交流阻抗谱,研究了晶体缺陷的阻抗特性。结果表明,制备的CdZnTe单晶具有负温度系数效应,化学法制备的Au电极与晶片之间形成了欧姆接触,没有出现电极界面和晶界对阻抗谱曲线影响,晶粒导电机制占主导。利用Arrhenius方程拟合曲线获得晶体缺陷的激活能为0.48 eV,表明晶体缺陷以Cd空位为主。 相似文献
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研究了Cu/SiO_2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂(QWI)行为。在多量子阱(MQW)外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)不同厚度的SiO_2,然后溅射5 nm Cu,在不同温度下进行快速热退火(RTA)诱发量子阱混杂。通过光荧光(PL)谱表征样品在QWI前后的变化。实验结果表明,当RTA温度小于700℃时,PL谱峰值波长只有微移,且变化与其他参数关系不大;当RTA温度大于700℃时,PL谱峰值波长移动与介质层厚度和RTA时间都密切相关,当SiO_2厚度为200 nm,退火温度为750℃,时间为200 s时,可获得54.3 nm的最大波长蓝移。该种QWI方法能够诱导InGaAsP MQW带隙移动,QWI效果与InGaAsP MQW中原子互扩散激活能、互扩散原子密度以及在RTA过程中热应力有关。 相似文献
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首次报道了采用8-羟基喹啉镓螯合物作为发光层制备有机薄膜电致发光器件,器件的结构为:ITO导电玻璃/TPD/Gaq3/Al。研究了Gaq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理,同时测量和研究了器件的电流密度--电压(J-V)特性和发光亮度-电压(B-V)特性。结果表明器件的电致发光峰值波长为540nm,在20V直流电压驱动下的最大发光亮度约2500cd/m^2明显高于上同结构和工艺参数制备的Alq3 相似文献
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微结构对CVD金刚石X射线探测器电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了结构为Au/金刚石膜/Si/Al的光导型X射线探测器,研究了金刚石膜微观结构对器件暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下响应特性的影响.研究表明,采用[001]结构金刚石膜制备的器件具有较大的暗电流和X射线响应.在高于500K的温度区域内,随着温度的上升,器件暗电流以指数式上升,这可能与Si占据金刚石格点产生1.68eV的激活能有关. 相似文献
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洪溪一级水电站隧洞进水口设事故检修闸门,是一扇中等水头小孔口闸门。针对该事故检修闸门从布置,门林和埋件结构的设计加以论述。 相似文献
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针对轴承故障信号常混有噪声干扰且故障特征难以准确提取问题,提出一种基于小波阈值去噪(WTD)和互补集合经验模态分解(CEEMD)的轴承故障特征提取方法。采用WTD对原始信号进行降噪预处理;对去噪信号进行CEEMD分解得到一系列本征模态函数(IMF);然后计算各个IMF和去噪信号的互相关系数,通过设定互相关系数阈值筛选有用IMF;最后将有用IMF重构并利用包络谱对重构信号提取故障特征频率。实测信号表明:所提出的方法能降低噪声干扰并有效提取故障特征信息,证明该方法在噪声环境下具有较高的可行性和较强的实用性。 相似文献