碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,...     

构建应用型本科课程教学质量评价体系改革探索

课程教学质量评估作为地方本科院校教学质量管理的主要方法与环节,对于地方院校人才培养的质量来说具有非常重要的意义。通过对地方本科院校课程教学质量评价体系及实施情况进行了分析,提出了对地方本科院校课程教学质量评估的几点感想,具有一定的借鉴意义。     

微条气体室(MSGC)性能改进方案

介绍了微条气体室MSGC的性能指标、结构设计参数与工作原理，并对主要制约因素进行系统的讨论，提出了行之有效的解决方案，报道了MSGC的最新研究进展，预测发展趋势和应用前景。     

不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能

研究了不同含氮量的类金刚石薄膜（DLC:N）的导电性能，发现随着氮含量的增加，薄膜的电导率增加较缓，当氮含量达到一定值（12.8at%)后，薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在300℃下退火30min，结果表明低参氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高，而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明，当薄膜中的氮含量达到一定值后，在薄膜中会出现非导电（a-CNx）的成分，因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明，充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象，从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。     

基于STEP中性文件的属性图形表示法研究

随着CIMS技术的发展，CAD／CAPP／CAM信息集成和共享越来越受到重视。然而，作为CAPP系统，承担着承上启下的作用，但由于其自身的多样性、复杂性，成为CAD／CAPP／CAM集成的一个瓶颈问题。利用CAD中已有的设计来完成CAPP系统中的工艺制订，是目前研究的一个热点。     

不同取向金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱特性研究

采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量.结果表明(001)取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量,在红外波段基本是透明的.在2.5~12.5μm红外波长范围内,(001)取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化,折射率为2.391,消光系数在10-5范围内;对于(111)取向金刚石膜,其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化,折射率和消光系数都低于(001)取向膜.通过计算拟合得到(001)取向金刚石膜的介电常数为5.83,优于(111)取向膜.     

金刚石薄膜探测器的器件结构研究

研究了两种器件结构(共平面和三明治)对金刚石薄膜辐射探测器性能的影响。研究表明,共平面结构器件在 241Am 5．5MeVα粒子辐照下的计数率、电荷收集效率、响应电流和能量分辨率等性能参数均优于三明治结构。Raman散射 测试表明,造成上述结果主要是由于金刚石薄膜的成核边和生长边具有不同的微结构特征而引起。     

掺氮类金刚石薄膜激光退火的Raman光谱研究

采用功率密度分别为300,750和1500W／mm^2的氩离子激光器,对由射频等离子化学气相沉积（RF－CVD）法制备的掺氮类金刚石薄膜进行了激光退火处理。并用傅立叶红外吸收光谱和显微Raman等手段,对所得样品进行研究。结果表明：C－N键比C－H键更为稳定,一方面氮原子的引入制约了C－H键的生成,在激光退火中减少了因C－H键分解而引起薄膜的石墨化;另一方面生成的C－N键不易受热分解;因此随着氮含量的增加,薄膜中C－N成分增加,从而提高了类金刚石薄膜的热稳定性。     

(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能

采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜,厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近.研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流-电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容-频率特性.结果表明,退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应;高频下,电容和介电损耗都很小且趋于稳定,不随频率的变化而变化.     

In掺杂CdMnTe晶体的Te气氛退火研究

Thermal annealing in Te vapor atmosphere was adopted to improve the properties of indium-doped Cd_1-xMn_xTe（x=0.2,CdMnTe） wafers grown by the vertical Bridgman method.The wafers before and after annealing were characterized by measuring the Te inclusions,etch pit density（EPD）,Mn composition,resistivity, and impurity.IR transmission microscopy and EPD measurements revealed that the densities of Te inclusions reduced from（5-9）×10⁴ cm^-3 to（2-4）×10⁴ cm^-3 and EPD from 10⁵ cm^-2 to 10⁴ cm^-2 after annealing. NIR transmission spectroscopy showed that the Mn composition increased by 0.002-0.005 mole fractions during the annealing.The resistivity of the wafers improved from（2.0-4.5）×10⁸Ω·cm to（1.7-3.8）×10⁹Ω·cm,which suggested that the deep-level donor of Te antisites was successfully introduced after annealing.Inductively coupled plasma-mass spectrometry（ICP-MS） revealed that the concentrations of impurities in the wafer decreased,which indicated the purifying effects of Te vapor annealing on the wafers.All the results demonstrate that the Te vapor annealing of the indium-doped CdMnTe crystal has positive effects on the crystallinity,resistivity and purity of CdMnTe wafers.