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SiO2表面溅射铁膜后用CVD法制备了定向纳米碳管。用扫描电镜、透射电镜和高分辨透射电镜对顶部催化剂及包裹于管内的催化剂、纳米碳管的结构和所形成的竹节状形貌进行了观察。以液态生长纳米碳管为基础提出了一种纳米碳管生长机制。 相似文献
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薄膜变压器射频集成电路的一种关键器件.该文设计了一种层叠型螺旋薄膜变压器,并分别用MATLAB和Agilent ADS对薄膜变压器进行了S参数仿真.仿真结果表明,匝数N=15时,在160-240MHz频率范围之间,取得最高传输效率为98%.通过软件仿真研究了不同匝数比对薄膜变压器性能的影响,分析了产生这种影响的因素. 相似文献
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采用固相反应法制备(Mg1-xZnx)2SiO4(0≤x≤1)微波介质陶瓷,研究(Mg1-xZnx)2SiO4陶瓷在0≤x≤1范围内的相演变、微结构与其微波介电性能间相互关系.XRD测试结果表明:橄榄石结构的Mg2SiO4与硅矽矿结构的Zn2SiO4在晶体结构上存在很大差别,(Mg,Zn)2SiO4在0≤x≤1范围内只能部分地实现有限固溶.背散射电子扫描显微镜(BESEM)测试结果显示:随着x的增加,MgSiO3第二相得到抑制;陶瓷出现液相烧结,促进晶粒生长与玻璃相在晶界处沉积.微波介电性能测试结果表明:由于Zn2+离子极化能力大于Mg2+离子,(Mg1-xZnx)2SiO4(0≤x≤1)陶瓷介电常数随x值增加而增大;0≤x≤1范围内,Mg2SiO4陶瓷微波性能由于第二相、气孔率增加与晶粒增大而降低,Zn2SiO4陶瓷由于微结构得到改善,陶瓷微波性能得到优化.当x=0.6时,得到较好的(Mg0.4Zn0.6)2SiO4陶瓷微波性能为:εr=6.6,Qf=95650GHz,τf=-60×10-6/℃. 相似文献
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