后栅工艺高k/金属栅结构NMOSFET偏压温度不稳定性特性研究

本文对后栅工艺高k/金属栅结构NMOSFET偏压温度不稳定性特性进行了研究。在加速应力电压和高温条件下,NMOSFET的阈值电压的退化与时间呈幂指数关系。然而幂指数随应力电压的增大而减小;在本文中,应力从0.6V到12V,幂指数则相应的由0.26减小到0.16。通过对应力前后器件的亚阈值特性分析,在应力过程中没有界面态产生。根据实验数据提取到数值为0.1eV的热激活能,表明偏压温度不稳定性是由栅介质中预先存在的陷阱俘获从衬底隧穿的电子造成的。恢复阶段的测试显示阈值电压的退化与对数时间呈线性关系,同时可以用确定的数学表达式来表明其与应力电压和温度之间的关系。     

亚20nm节点后栅工艺体硅FinFET器件参数优化研究

文章研究了亚 20nm 节点后栅工艺体硅 FinFET PMOS 器件制作过程中一系列工艺参数对器件微缩的影响。实验结果表明细且陡的梯形Fin结构有更好的性能。文章针对穿通阻挡层（PTSL） 和轻掺杂源漏扩散区 （SDE）的注入条件也进行了仔细地优化。SDE之后没有热退火过程的器件由于在源漏退火之后有更好的晶格再生因而拥有更大的驱动电流。带边功函数器件能够改善短沟道效应,而带中功函数具有更大的驱动电流。器件在微缩过程中针对金属栅的有效功函数需要折衷选择。     

棒材和轻型材轧机的计算机集成系统

介绍了莱钢中小型计算机集成系统的网络结构及功能 ,详细地阐述PLC系统与计算机集成系统的接口与实现     

转炉煤气回收工艺方法比较

就转炉煤气净化回收的两种工艺方法－OG法与LF法的工艺特点及优缺点进行探讨，指出适合攀钢转炉煤气回收的工艺方法。     

吴坑矿区资源综合利用方案

多年设计过程,遇到过多种类型的矿山,结合各矿山设计情况采取不同的开采方案,尽可能发挥设计作用,使得矿山的各种资源能够得到充分利用。矿山所赋存的条件有所不同,资源的利用情况有所区别。资源综合利用需要结合采矿、原料配料、工艺等流程进行,在保证水泥厂正常生产的前提下,最大限度利     

水泥厂建设绿色矿山的几点设计体会

矿山开采必然影响局部环境。从矿山的建设之初起,包括资源的综合利用,矿山的生产设计,粉尘的控制以及环境景观治理等方面介绍了矿山开采中应采取的控制措施。提出建设绿色矿山还需要各方面共同努力,保护环境,和谐共赢。     

基于CPLD技术的看门狗电路的设计

介绍了一种基于CPLD器件设计看门狗电路的方法。     

几种慢中子能谱仪及测量结果

本文简要地综述了为慢中子截面测量工作所建造的几台慢中子谱仪,对它们的特性进行了比较。给出了各仪器性能的数据和一些样品的慢中子截面测量结果。     

红外探测技术的应用与分析

介绍了红外探测技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了发展红外探测技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外探测技术的性能及其特点.最后分析了红外探测技术的未来发展趋势.     

输出反馈任置极点的精确解与粗壮性

本文研究m+r-1≥n的完全系统.n、1、m分别是系统的状态、输入、输出变量个 数.以前对任置极点只证明了ε-近似解的存在性,本文则证明了精确解的存在性,并进而给 出了几乎全部精确解集的全部自由参数.本文指出,利用文[1]的指标,可对这些参数进行两 级递阶优选,从而使所配置的闭路特征结构对系统参数中可能出现的各种扰动不敏感,全方位 调节特性较优且保持相对稳定.