碳化硅颗粒和晶须增强铝锂基复合材料

综述了近年来碳化硅颗粒(SiCp)和碳化硅晶须(SiCw)增强铝基复合材料的发展,尤其是铝锂基复合材料的发展。SiC/Al复合材料的制造方法有铸造法、粉末冶金法、溅射沉积法等。碳化硅和铝的界面结合良好,由于碳化硅和铝的热膨胀系数相差六倍,因而在生产及热处理过程中收缩差所产生的错配应变会在基体中产生大量位错。人们认为,高密度的位错是SiC/Al强化的主要因素。     

Effect of Ti Content on Properties of Al-Ti Alloy Film for Address Lines of TFT-LCDs

ＥｆｅｃｔｏｆＴｉＣｏｎｔｅｎｔｏｎＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌＴｉＡｌｏｙＦｉｌｍｆｏｒＡｄｄｒｅｓＬｉｎｅｓｏｆＴＦＴＬＣＤｓＷｕＬｉｊｕｎ，ＸｉａＨｕｉ，ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ，ＨａｎＸｕｅａｎｄＬｕＢｉａｏ（吴丽君）（夏慧）（刘安生）（韩雪...     

二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法，介绍了一种新的试样制备方法，讨论了各种制样方法的特点。以多层Ｐ＋Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐＳｉ异质结内光发射红外探测器为例，介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用。将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较，讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景。     

铋系银包套高温超导多芯带材的微观结构观察

采用粉末装管法制备了Ｍ２７（２７芯），Ｍ１９（１９芯）两种铋系银包套高温超导多芯带材。将样品制成平面及断面试样。利用配有能谱的ＪＥＭ２０００ＦＸ型透射电子显微镜对其进行了形貌观察和成分分析，确定了相组成。利用ＪＳＭ８４０型扫描电子显微镜对多芯带材进行了低倍观察以确定其多芯带材的均匀性和生长结合的完整性。     

P±-Si1-xGex/p-Si红外探测器微结构的研究

随着遥感遥测科学技术的发展和军事上的需要,红外探测器及红外焦平阵列的应用日益迫切[1].     

变性苎麻与涤纶混纺细布的研制

本文较详细地叙述了涤纶短纤与变性苎麻混纺细布的生产方法，并就其织部工艺设计，生产实践进行了探讨。