粘涤绸的工艺研究与生产实践

人造棉织物在近年是市场上比较畅销的产品。为满足市场的需要,我们根据本厂的设备和条件,利用85％的粘胶纤维和15％的涤纶纤维混纺,试制生产了一批人造棉产品粘涤绸。 产品经印染整理后,布边平直,布面匀整,手感柔软、滑爽。因产品含有15％的涤纶纤维,故产品的弹性比一般人棉绸更好,是制作夏季服装的理想面料。投放市场以来,深受用户欢迎。现将试制和生产情况总结介绍如下: 一、原料混纺比的确定     

超音速喷涂界面的微结构与界面结合强度

超音速火焰喷涂界面结构强度因喷涂材料和衬底材料的变化而异，本文通过对几种不同材料的ＨＶＯＦ喷涂界面微结构的研究揭示了影响喷涂界面结构强度的微观结构本质 。     

硅片的直接键合

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等     

掺杂钨丝微观组织结构与高温蠕变性能关系的研究

本文通过高压电子显微镜对不同蠕变伸长量和添加不同微量元素(Ti和Mn)的掺杂钨丝的观察,对掺杂钨丝微观组织结构与高温蠕变性能的关系作了进一步的研究。本试验用钨丝直径约为1.25毫米,钨丝的高温蠕变伸长量选为0.5、1.5、2.0和2.5毫米。经电镜观察表明、掺杂钨丝中钾泡的组态与高温蠕变性能密切相关。高温蠕变伸长了0.5和1.0毫米的钨丝中钾泡平均直径分别为360和450A.而0.5毫米蠕变伸长的钨丝中平均直径达900A,高出一倍多,而且钾泡数量少、分布很不均匀。观察到的最长钾泡列,蠕变伸长≤1毫米的钨丝中可达3.5～5.0μm,而蠕变伸长为2.5毫米的钨丝中则钾泡列短得多,为2.0μm。钾泡的数量和弥散化程度是钨丝高温蠕变性能的决定性因素。弥散的钾泡可阻碍位错运动,既可以强化晶内,也可以强化晶界,它们总是有益的。但粗大的钾泡有益的作用不多,危害却不少,它们对位错和晶界的移动的阻碍作用不大,却容易成为位错发射源、裂纹和蠕变空洞形成源,最后会导致钨丝过早熔断。     

掺杂钨丝中钾泡形成机制的动态研究

为了提高钨丝的高温抗下垂性能,在氢还原钨之前,将少量的氧化物状态的K、Al和Si,以水溶液的形式加入到氧化钨粉末中,还原的钨粉压制成条。烧结时,让钨条中的Si和Al尽可能地挥发掉,而使K保留下来。当烧结条被旋锻和拉成钨丝时,掺杂钨丝中形成沿纵向拉长的钾管,它近似地沿<110>方向。为了研究掺杂钨丝中钾泡的形成机制,我们进行了钾管分裂和钾泡形成的原位观察。用直径为1.25mm的加工态掺杂钨丝制备成薄膜试样,放在高压电镜中的加热台上进行实验。     

用超高压电镜研究钛白后处理包膜层

本文着重介绍用超高压电镜对钛白粉颗粒表面的包膜层进行研究的实验方法,衬度原理和实验结果。     

氧和碳对形变铌中位错分布的作用

本文研究了氧、碳的含量及分布状态对室温形变铌中的位错密度、分布及组态的影响。采用电子束区熔高纯铌棒为原料制备几种不同氧含量及碳含量的样品,并通过室温应变时效处理改变氧在铌中的分布,文中介绍了控制样品氧含量的方法。实验结果表明,室温形变铌中初始变形阶段位错结构中以长直刃型位错为主。氧含量增加以及氧的聚集分布都使位错密度升高,位错分布均匀化。有碳化物沉淀的样品中有完好的胞结构,而高氧含量及时效处理使胞结构完好性变差。文中探讨了固溶氧和碳化物沉淀在铌的室温形变及应变时效过程中的作用机制。     

Observations on Defects in Zone-melting-recrystallized Si Films

We have observed some kinds of defects in unseeded rapid zone-melting-recrystallized(RZMR)Si filmsformed with a RF-induced graphite strip heater system,using cross-section specimen electron microscope.Theobserved defects are subgrain boundaries(SGB),dislocations and microtwins.The most commonly observeddefects are SGB which formed as a result of some orientation differences between adjacent grains during theirrapid self-nucleation growth.Mixed type SGB were frequently observed,although some pure tilt or twist SGBexisted also in the Si films.The rotation angular component around the axis parallel to scanning direction ismuch larger than that around other axes.SGB consist primarily of arrays of dislocation and havecrystallographic angular deviations of one degree or less.During Si film cooling,dislocations and microtwinswere formed due to non-uniform thermal stress.The crystallographic characters of the dislocations in Si filmsare the same as those in common bulk Si single crystals.Their Burgers vectors are b=a/2<110>.Some dis-locations run across the Si film,and the amorphous SiO_2 layers on and underneath the Si film can effectivelyblock the dislocations and prevent them from entering the layers.Microtwins were observed in the Si filmssometimes,the twinning planes being{111}.     

TEM study on Si0.65Ge0.35/p-Si HIP infrared detector

１　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｎｄｉｎｆｒａｒｅｄｆｏｃａｌｐｌａｎｅａｒｒａｙｓ（ＦＰＡ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｒｅｇｅｔｔｉｎｇｕｒｇｅｎｔｄａｙｂｙｄａｙ,ａｌｏｎｇｗｉｔｈｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｒｅｍｏｔｅｓｅｎｓｅａｎｄｔｅｌｅｍｅｔｒｙｓｃｉｅｎｃｅａｎｄｍｉｌｉｔａｒｙｄｅｍａｎｄｓ［１］．Ａｔｐｒｅｓｅｎｔ,ｔｈｅｍａｉｎｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓｕｓｅｄｉｎｐｒａｃｔｉｃｅａｒｅ：ＩｎＳｂａ…     

弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长

利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.38Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错.