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991.
研究 m,m′-二氨基二苯酮 (m,m′- DABP)与均苯四酸二酐 (PMDA)的缩聚及亚酰化 ,并运用微波辐射和常规加热两种方式对反应进行了比较。考察了微波辐射时间 (功率 )、单体浓度、单体配比和温度等因素对缩聚物的特性粘数、转化率的影响。用红外光谱对亚酰化度进行了表征 ,并用简并四波混频技术首次测量了该缩聚物的三阶光学非线性极化率系数及其响应时间。实验结果表明 ,微波辐射对提高聚合物的特性粘数和转化率都有显著作用 ;合成的缩聚物具有较大的三阶光学非线性极化率系数 (聚酰亚胺的 χ(3) =1.642× 10 -13 esu)和较快的时间响应 (19ps  相似文献   
992.
包气带中不同示踪源层条件下核素迁移对比试验   总被引:2,自引:1,他引:1  
为研究不同示踪源层材料对水份运移和核素迁移的影响,开展了以石英砂和黄土分别为示踪源层载体时Sr、Nd、Ce在包气带中迁移的对比试验。试验历时470d,在两种源层条件下各取土芯样4次。试验结果表明:在喷淋强度为5mm/h、3h/d条件下,Nd和Ce无论在石英砂示踪源层还是黄土示踪源层中浓度峰位均没有明显向下迁移;对于Sr,在黄土示踪源层中,470d后其峰位向下迁移约15cm(按质心计算为10cm左右),而从石英砂示踪源层中向下迁移不明显(按质心计算,迁移约2.7cm),只是峰位有些展宽。上述结果表明,极薄(7mm)的细石英砂层也能对非饱和入渗水产生明显屏流作用,使得核素从石英砂示踪源层中向下迁移速度减慢。  相似文献   
993.
在柔性变焦系统中的压力变焦镜   总被引:2,自引:1,他引:1  
张耀宁  库耕  程祖海  杜泽明  李锋 《中国激光》1998,25(11):998-1002
从理论上和实验上对水冷镜的镜面曲率半径随压力变化的规律作了研究。对压力变形后镜面相对于球面作了波像差分析,分析表明压力变焦镜用于中红外激光系统是合适的  相似文献   
994.
糠醛注水——润滑油糠醛精制装置的节能途径   总被引:3,自引:1,他引:2  
介绍了用水稀释糠醛使润滑油糠醛精制装置节能的途径。通过注水——糠醛-水溶液(含水95%左右),可降低糠醛的气化沸点,增大换热系统的传热温差,改善换热效果,更多地回收能量,达到节约能源的目的。  相似文献   
995.
传统的Arps产量递减分析方法要求事先选定递减规律的初始时间、初始产量及初始递减率,事实上这些参数是很难确定的。实际应用时不得不人为地加以臆断而使得此方法带有不确定性.为此提出了产量递减规律的诊断方法。应用诊断曲线很容易确定递减规律的模型参数,克服常规方法的不足。通过选用参考时间、参考产量和参考递减率,使得递减分析方法具有一定的灵活性和优越性、该方法简便、实用。  相似文献   
996.
文中概述了莺歌海地区低电阻率气层的主要测井响应特征,详细分析了低电阻率气层的成因,并提出了测井判别方法.特别强调指出局部发育的菱铁矿对该区地层电阻率无明显影响.  相似文献   
997.
钻井过程中硫化氢的处理工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
目的:防止钻井过程中出现的硫化氢对人身安全和钻具造成危害。方法:分析氢脆破坏机理和处理硫化氢的化学原理。结果:提出了处理硫化氢的关键技术,并结合塔中162井的实钻经验,总结出了钻井过程中对硫化氢的几点认识。结论:提高泥浆pH值、加入除硫剂及提高泥浆密度等措施是钻井过程中处理硫化氢的关键技术,从而有利于富含硫化氢的灰岩、白云岩等裂缝性油气藏的钻井生产。  相似文献   
998.
河口水流、波浪、潮流、泥沙、河床变形二维数学模型   总被引:19,自引:0,他引:19  
根据河口“波浪掀沙,潮流输沙”的泥沙运动机制,引入“波浪幅射应力”反应波浪对水体和泥沙的驱动力.考虑波浪对底部泥沙作用力、波浪对水流挟沙能力的影响及风场对水流和泥沙运动的影响.同时考虑泥沙粒径大小、水体含盐度、含沙量及水流紊动程度等因素对絮凝沉速的影响.用ADI算法求解沿水深平均方程,破开算子法解悬移质不平衡输沙方程及河床变形方程,引入通度概念处理岸滩不规则边界,建立河口水流、波浪、潮流、泥沙、河床变形二维数学模型.通过实测资料及卫星摇感图像对所建数学模型进行检验,表明它可以较好地预测河口泥沙的运动  相似文献   
999.
本文首先简述D>0.06mm泥沙的粒析沉降特性及其粒径偏粗的原因。继之对悬沙中粒径大于0.06mm的粒析级配组成机理,及级配组成不同对标准粒径Db与粒析粒径DL关系的影响进行了详细研究。在以上研究工作的基础上,开展了Db与DL的比较试验,得出了粗、中、细型悬沙的Db~DL关系和对DL的改正方法。  相似文献   
1000.
光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作   总被引:5,自引:1,他引:4  
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。  相似文献   
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