MOS隧道结的光发射

介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施     

Sol-Gel法制备BST铁电薄膜及其性能分析

用Sol-Gel法制备出表面致密,界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性,由于使用了不同的上下电极,导致J-V曲线的不对称,且在外延生长的Pt电极上制备的BST薄膜有较低的漏电流。分别在大气和干燥气氛下测量了BST薄膜的介电特性,分析结果表明:湿度对BST薄膜的介电特性有很大的影响,为了得到正确的介电特性,其测量必须在真空或干燥气氛下进行。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

ITO表面处理对OLED性能的影响

根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同时还将间接影响有机层的成膜过程及其分子组织形态及ITO膜表面有机层之间的结合.     

4H-SiC纳米薄膜的晶化研究

采用新电极结构的PECVD技术，在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下，在SiO2玻璃表面形成双等离子流，增加了SiO2表面SiC的成核几率，增强成核作用，形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时，由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用，产生自组织生长，发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射（EM）的测试结果表明，纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出，SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核，并且其晶化存在一个功率密度阈值；当低于这一功率密度阈值时，晶化消失；当超过这一阈值时，纳米晶含量随功率密度的提高而增加，晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm，形状为微柱体。随着晶化作用的加强，电导率增加，导电机理是渗流作用所致。     

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。     

基于多传感器的空气质量监测系统设计

针对传统空气质量监测系统监测指标少、评估算法不完善等缺点，设计了基于多传感器的空气质量监测系统， 采用多传感器与定位模块获取监测区域的气压、位置等信息，并利用通信模块将信息发送至手机软件，结合聚类、层析方法对空气质量进行分析，给出了系统在不同环境下的测试结果，结果表明，该系统可获取各项表征空气质量的指标，并可对空气质量进行综合评定，相比于现有的系统，该系统在控制方式、空气质量评估性能等方面具有一定的优势。     

通过优化水泥颗粒级配提高水泥产质量

水泥粉磨的进程直接影响着水泥生产的成本和质量，也会影响能耗和生产成本的高低。通过优化水泥颗粒级配，水泥磨台时产量提高了5~10 t/h，单位水泥电耗下降了4～6 kWh/t，吨水泥节约电费1.58～2.36元，水泥颗粒级配更加合理，产品性能更加适用于商品混凝土。