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应用factsage软件研究三氯氢硅合成的复杂化学反应,绘制了体系中存在的8个化学反应的ΔG-T图。分析了当反应达到平衡,在0.01MPa、0.05 MPa和0.1 MPa以及进料比xHCl/xSi为1、3和6时,气相平衡组分分布与温度的关系。讨论了三氯氢硅产率随温度、压强及进料比xHCl/xSi的变化情况。结果表明,低温、高压和一定进料比xHCl/xSi对三氯氢硅合成过程有利。 相似文献
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通过对动电位极化曲线、电化学阻抗谱图、SEM形貌的分析,研究了AZ31、AZ91和稀土镁合金在8.0%(质量分数)Na Cl溶液中的腐蚀行为。并将上述三种镁合金组装成电池,在8.0%Na Cl溶液中进行恒流放电测试。结果表明:三种负电极的耐蚀性是稀土合金AZ31AZ91;浸泡48 h后稀土镁合金的表面裂纹最少,腐蚀程度最轻,而AZ91负极的腐蚀程度最严重,表面裂纹较深;稀土合金的放电时间最长,达到800 min,AZ31为710 min,AZ91为660 min。 相似文献
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通过动电位极化法和电化学阻抗谱法,研究了在8%NaCl电解液中,六水合硝酸铈(CeN_3O_9·6H_2O)对AZ31负极抗腐蚀性能的影响。结果表明:电解液中加入Ce N_3O_9·6H_2O,在AZ31镁合金表面形成Ce(OH)_3保护膜,提高镁合金的耐腐蚀性。随着CeN_3O_9·6H_2O浓度的增大,Ce(OH)_3保护膜逐渐致密,AZ镁合金的腐蚀速率降低。当Ce N_3O_9·6H_2O浓度达到1.0 g/L时,镁合金的腐蚀速率最低,其缓蚀率为70.4%。然而当加入的Ce N_3O_9·6H_2O浓度大于1.0 g/L时,由于Ce(OH)3保护膜被溶解而导致镁合金的腐蚀速率增大。由浸泡50 h AZ合金的SEM图发现CeN_3O_9·6H_2O的添加在镁合金表面形成Ce(OH)_3保护膜,抑制阳极反应。从等效电路图得到Mg~(2+)电荷转移阻力增大了69.5?,改善了镁合金的耐腐蚀性能。通过放电测试得到加入CeN_3O_9·6H_2O提高电池的放电性能,放电时间延长40 min。 相似文献
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