65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法

在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法．该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率．实验结果表明,在65nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好．     

刘庆邦与沈从文小说心理描写之比较

刘庆邦的小说在诸多方面受到沈从文的影响。从人物心里描写的角度来看,两人都擅长人物内心世界的细致描摹而很少采用外貌描写,都通过意识冲突、梦境、人物言行、景物衬托等来揭示人物内心世界,但沈从文往往有着深层人生哲理意味的追求,刘庆邦的心理描写则仅仅停留于生命状态的展示。刘庆邦还以开放的心态接受了茨威格心理解析法的影响,这又使他区别于沈从文而形成自己心理描写的特色。     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究。给出了应用该模型计算A1GaAs／GaAs／A1GaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流一电压曲线，为验证该数值模型的正确性，中还给出了基于Wigner函数的解析模型，将两的结果进行了比对，并对其结果进行了分析。     

击败人类健康的杀手──乙型肝炎(一)

乙型病毒性肝炎（简称乙肝）,是由乙型肝炎病毒（ＨＢＶ）引起的肝脏炎性损害,是我国当前流行最为广泛,危害是为严重的一种传染病。我国现有１．２亿乙肝病毒表面抗原（ＨＢｓＡｇ）阳性携带者约有１３００万慢性肝炎患者,其中主要是乙肝病人。每年有３５万患者死于与病毒性肝炎相关的疾病,其中一半死于肝癌。 由于乙肝的传染性,许多人“谈虎色变”,仿佛患了乙型肝炎就等于判了死刑。于是,乙肝患者自卑抑郁、病毒携带者不知所措,而未感染的健康人群也有人忧心忡忡。近日,有许多读者写信到我编辑部,询问有关乙肝病的预防、治疗及日常饮食保养。为此,我们约请了沈机医院传染科主任张秀春和解放军３０２医院营养研究室主任杨明,为广大读者介绍有关乙肝的预防、治疗,调养等方面的知识、专家指出：只要预防得当、治疗及时、调养合理,乙肝并非不治之症！ 从本期开始、本刊将连续刊登有关乙型肝炎的治疗与膳食营养,以便使广大读者能正确地认识乙肝病。     

一种完整且精确的化合物半导体HEMT器件大信号模型

A complete and accurate surface potential based large-signal model for compound semiconductor HEMTs is presented. A surface potential equation resembling the one used in conventional MOSFET models is achieved. The analytic solutions from the traditional surface potential theory that developed in MOSFET models are inherited. For core model derivation, a novel method is used to realize a direct application of the standard surfacepotentialmodelofMOSFETsforHEMTmodeling,withoutbreakingthemathematicstructure.Thehigh-order derivatives of I–V /C–V remain continuous, making the model suitable for RF large-signal applications. Furthermore, the self-heating effects and the transconductance dispersion are also modelled. The model has been verified through comparison with measured DC IV, Gummel symmetry test, CV, minimum noise figure, small-signal Sparameters up to 66 GHz and single-tone input power sweep at 29 GHz for a 475 m0.1 m InGaAs/GaAs power pHEMT, fabricated at a commercial foundry.     

基于密度梯度理论的MOS量子隧穿解析模型

提出了一种基于物理的MOS电容超薄氧化层量子隧穿解析模型,量子力学效应在应用奇异微扰法求解密度梯度方程时得以体现.将泊松方程和经量子修正的电子势方程同时求解,得出电子和静电势在垂直于沟道方向的分布.结果反映出量子效应明显不同于经典物理学的预测.对解析解结果和精确的数值模拟进行比较,结果表明,在栅极偏压和氧化层厚度的较大变化范围内,二者都能很好地吻合.     

醋酸酯的酯化水相是否参与回流的确定

从理论上阐述以冰醋酸和醇为原料,浓H2SO4为催化剂合成醋酸酯的生产工艺,为提高酯的产率,通过比较酯化反应生成的水含量与产品酯、水形成的二元共沸混合物中的水含量的大小来确定酯化塔顶的水相是否参与回流。实际生产中验证这一确定方法是可行的,并得出结论：对于酯化合成法生产醋酸酯系列产品,分子量低于醋酸乙酯（包括醋酸乙醋）的酯,即分子量较小的酯,其酯化塔顶水相不参与回流;分子量大于或等于醋酸丙酯的酯,即分子量较大的酯,其酯化塔顶水相需要部分参与回流。     

Double-πfully scalable model for on-chip spiral inductors

A novel double-πequivalent circuit model for on-chip spiral inductors is presented.A hierarchical structure, similar to that of MOS models is introduced.This enables a strict partition of the geometry scaling in the global model and the model equations in the local model.The major parasitic effects,including the skin effect,the proximity effect,the inductive and capacitive loss in the substrate,and the distributed effect,are analytically calculated with geometric and process parameters in the local-level.As accurate values of the layout and process parameters are difficult to obtain,a set of model parameters is introduced to correct the errors caused by using these given inaccurate layout and process parameters at the local level.Scaling rules are defined to enable the formation of models that describe the behavior of the inductors of a variety of geometric dimensions.A series of asymmetric inductors with different geometries are fabricated on a standard 0.18-μm SiGe BiCMOS process with 100Ω/cm substrate resistivity to verify the proposed model.Excellent agreement has been obtained between the measured results and the proposed model over a wide frequency range.