基于粒子图像测速的锚板抗拔破坏机理试验研究

锚板拉拔过程是板与周围土体相互作用的过程,研究锚板周围土体的变形破坏机制对锚板抗拔力的预测具有重要意义。基于粒子图像测速(PIV)技术开展了一系列锚板拉拔试验,试验结果表明:PIV技术可以有效地捕捉到不同砂土地基密实度和锚板埋深条件下锚板拉拔过程中周围土体的变形破坏模式。PIV位移场分析结果显示:锚板埋深较浅时,松砂地基中破坏模式呈现直面破坏,密砂地基中呈现斜面破坏;锚板埋深较大时,松砂地基中土体内部锚板上方形成灯泡形影响区,密砂地基中呈现曲面破坏。PIV应变场分析结果表明:无论砂土地基埋深如何,松砂地基中形成的剪切应变带与水平面夹角为45°+φ/2,密砂地基中形成的剪切应变带与垂直面夹角约为φ/4。     

40．5kV真空断路器运行分析

近年来,40.5 kv断路器的故障率较高,如2005年国家电网公司系统40.5 kv断路器发生故障146台·次.故障率为0.304(台·次)/(100台·a),是所有电压等级断路器故障率上升最高、最快的,比2004年上升176.3%.其中早期常用型断路器,如户外ZW7、户内ZN12,故障率最高,故障类型又以绝缘故障为主.虽然近年来电力系统设备量增长较快,使故障率有所增长,但设备本身的质量问题也较多,不容忽视.仅就40.5kv电压等级的真空断路器运行中存在的问题进行分析,以便引起同行的关注.     

题录

特开昭54-155430锂-碘固体电解质电池(聚四氟乙烯作为锂-碘全封闭式电池的垫圈材料)。特开昭54-155431金属-氧电池及其制备(有关用聚四     

不同电化学原电池体系的扣式电池及其在电子手表中的应用

1、概论近年来可供电子手表使用和挑选作为电源的电化学原电池体系越来越多,因此,如何挑选正确的电池系列对电子手表设计者说来变得更困难了。为了设计能更好适     

南宫220kV#1变压器绕组变形的分析及处理

变压器在运行中因外部短路故障使绕组经受短路冲击并发生绕组变形。通过对故障发生及处理过程的分析．提出了遭受短路冲击变压器是否投入运行的依据。并在总结经验的基础上对今后的工作提出了要求。     

表面生长碳纳米管对C/C复合材料钎焊接头的影响

采用等离子增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)方法在C/C复合材料表面制备碳纳米管,探究了催化剂溶液浓度、碳纳米管生长温度、生长时间、气体压强、气体流量等工艺参数对碳纳米管生长的影响。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等技术对制备的碳纳米管进行表征,最佳工艺参数下所生长的碳纳米管为多壁碳纳米管,碳纳米管壁的层数约15层,碳纳米管直径和长度分别为约18.9 nm和约2.5μm。将C/C复合材料与Nb和Ti600两种金属进行钎焊连接,对有无碳纳米管的钎焊接头进行分析,发现表面生长碳纳米管有利于提高钎料润湿性,钎焊接头强度也有所提高。     

高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究

体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连.由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔离槽(宽约3 μm,深20～100 μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6 μm,深85 μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空洞的产生.     

变压器套管缺陷分析及防范措施

介绍沙河变电站220 kV变压器套管末屏接地装置和油纸电容式套管试验情况,对变压器套管缺陷进行初步分析和返厂解体检查,认为导致该缺陷的原因为小套管与末屏虚接,变压器局部放电试验时末屏与小套管间发生放电故障,导致绝缘油色谱数据超标,并提出有针对性的防范措施。     

主变压器本体及套管进水原因分析及防范措施

介绍了梁庄变电站110 kV 1号主变压器套管顶部密封结构,提出套管顶部密封结构存在没有防松动措施的设计缺陷,论述了套管密封不良导致变压器进水原因及所造成的危害,提出了防止变压器套管进水的防范措施.