双环控制单周期PFC转换器高层次模型及电路

为简化设计过程,提高电源效率,采用Simulink拓扑结构和线性化方法,基于双环动态转移控制函数,建立了单周期、临界控制模式升压型功率因数校正转换器的高层次模型．电压环路提供低频稳定性以获得低的总谐波失真,电流环路改善高频动态特性．根据系统模型,采用Sinomos 1.0μm 40V CMOS工艺完成了功率因数校正的电路设计和验证．测试结果表明,在V_DD为15V,V_INV为2V, V_ZCD为2V的条件下,功率校正因数可达到0.988,总谐波失真为3.8％,稳定工作时电流仅为2.43mA．双环控制系统能够有效地实现单周期控制,提高系统的稳定性和动态响应速度,体现了高性能电源管理芯片的特点．     

一种高速延时无关片上异步转同步通信接口的设计

该文提出一种可用于多核片上系统和片上网络的快速延时无关异同步通信接口,由在独特运行协议下工作的环形FIFO实现,可在支持多种数据传输协议的前提下,保证数据从异步模块到同步时钟模块的完整高速传输。在0.18 m标准CMOS工艺下,传输接口的延时为792 ps,平均能耗为4.87 pJ/request,可满足多核片上系统和片上网络芯片高速低功耗、鲁棒性强和重用性好的设计要求。     

一种应用于SOC的4位超高速CMOSFlash A/D 转换器

介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A/D转换器的设计。该转换器采用0.18μm CMOS工艺。其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器(TIQ)阵列替代传统Flash结构中的模拟电路部分。仿真结果显示,该4位A/D转换器在2 GSPS的速度和1.8 V的工作电压下,功耗仅为9.80 mW。     

一种基于衬底驱动的亚1V轨至轨运放设计

基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器.在差分对衬底端加信号避开低压环境MOS管阈值电压限制,运用局部正反馈技术来增加增益和带宽.在0.8 V电源电压,18pf的电容负载下用Hspice仿真,结果表明:直流增益达74.1 dB,相位裕度为62o,单位增益带宽为4.56 MHz,输出范围达2.72～782.17 mV,失调电压仅为12 μV,功耗为144.2 μW.     

一种基于多模式振荡器的低待机功耗AC/DC电路设计

检测负载电源变化,得到Igreen;检测芯片电源变化,得到Iburst.利用这两个检测电流控制振荡器的振荡频率及截止时间,从而实现变频工作模式和间歇工作模式,两种工作模式的结合保证了大的动态范围,使空载状态下的功耗降低到60 mW.采用1μm 40 V CMOS工艺流片,芯片面积为2.7 mm2.     

一种65nm CMOS互连线串扰分布式RLC解析模型

基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式.基于65nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在2.50%内,能应用于纳米级SOC的计算机辅助设计.     

一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器

基于SinoMOS 1μm 40V CMOS工艺设计了一种具有省电模式的CMOS反激式PWM 控制器,其PWM振荡器具有变频模式和间歇模式,使得整个PWM控制器系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并在空载状态下进入间歇模式. 仿真和测试结果显示具有省电模式PWM控制器的正常工作PWM频率为65~66kHz,无负载时的PWM频率为21.7kHz,启动电流为17~18μA,正常工作电流为3.5~4.0mA,有效芯片面积为2.06mm×1.55mm,能直接实现低功耗的电源系统.     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.     

一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器

基于SinoMOS 1μm 40V CMOS工艺设计了一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器,其FWM振荡器具有变频模式和间歇模式,使得整个PWM控制器系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并在空载状态下进入间歇模式.仿真和测试结果显示具有省电模式PWM控制器的正常工作FWM频率为65～66kHz,无负载时的PWM频率为21.7kH,z,启动电流为17～18μA,正常工作电流为3.5～4.0mA,有效芯片面积为2.06mm×1.55mm,能直接实现低功耗的电源系统.     

一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA

基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V CMOS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益.在±0.4 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz,相位裕度为53°,功耗为125.4 μW,输出电压范围为-0.337～0.370 V.