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41.
为了进一步提高压缩性能,重点进行了H.264编解码器的优化.依据应用需求,对H.264编码中运算复杂度最高的运动估计模块进行了算法改进.在对参考代码JM10.2解码器的性能进行复杂度分析的基础上,提出了一种基于码头分组的快速变长熵解码方法.  相似文献   
42.
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响。建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2-xMnxO3的超胞模型,实现对β-Ga2O3的掺杂,分别对x等于0.0625、0.125和0.25的模型进行了几何结构优化,获得稳定的晶格结构和晶胞参数,并对它们的能带结构、态密度和光学性能等进行分析。计算结果表明:Mn掺杂后,禁带宽度减小,费米能级上移进入导带,增大了载流子浓度,提高了体系的电导率;介电函数的虚部有明显的变化;β-Ga2O3在400~700nm的范围内,吸收系数和反射率均有不同程度的降低,与未掺杂的β-Ga2O3相比,能量损失谱的峰值发生了红移。  相似文献   
43.
用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700~1100℃范围热氧化不同时间(0.5~4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好;而且发现热氧化1.5h后硅片的少子寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(>1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心.  相似文献   
44.
热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命   总被引:2,自引:0,他引:2  
用高频光电导衰减法 (PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响 .在 70 0~ 110 0℃范围热氧化不同时间 (0 .5~ 4 h)对直拉硅片表面进行钝化 ,实验结果表明 ,在 10 0 0℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好 ;而且发现热氧化 1.5 h后硅片的少子寿命值达到最大值 ,接近于其真实值 ,而随着热氧化时间的延长 (>1.5 h)少子寿命将会降低 ,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀 ,成为新的少子复合中心 .  相似文献   
45.
自习近平总书记在2018年全国教育大会上提出“培养德智体美劳全面发展的社会主义建设者和接班人”以来,我国已将“劳动教育”作为落实高等教育“五育并举”的重要举措。2020年,中共中央、国务院印发了《关于全面加强新时代大中小学劳动教育的意见》,进一步强调了劳动教育的重要性。在新媒体时代,运用网络手段树立大学生劳动观念、形成劳动意识已经成为一个重要趋势,但对于两者结合的研究还有空间。新媒体为劳动教育提供了新的平台和渠道,可以拓展高职院校思政教育的方式和内容,为劳动教育注入新鲜活力。在新媒体时代,将劳动教育融入高职院校网络思政具有重要意义。  相似文献   
46.
罗淑芳  崔灿  吴丽杰 《电子世界》2014,(12):490-490
大数据处理时代下,虽然教学资源网站比较丰富,但仍在不足。本文在分析HTML5与教学资源网站发展的基础下,提出进一步教学资源网站建设优化的设想。  相似文献   
47.
将压缩空气泡沫系统引入现有储罐消防系统,针对10×104m3浮顶储罐设计了浮盘边缘式泡沫灭火系统。运用AMESim仿真软件建立仿真模型,验证了系统工作的可行性,并对泡沫溶液比例混合工作过程与气液比例混合工作过程进行了详细的研究。分析了系统泡沫出口管线直径大小与气体管线旁路节流阀流量系数对气液混合比与气液混合处的压力的影响。结果表明,旁路节流阀开口对整个系统压力与流量有重要影响,不同泡沫输送管线对应不同节流阀调节范围,并确定了在不用设定混合比例下节流阀的调节方式,为压缩空气泡沫系统在储罐上的应用与优化提供了重要的依据。  相似文献   
48.
红外透明导电薄膜是指同时具有高红外透射率和高电导率的功能薄膜材料,其在电磁屏蔽涂层、红外光电探测器、人体红外治疗、红外发光二极管等领域有重要应用。尽管研究者已经报道了许多关于透明导电膜的综述,但是以往研究者主要关注可见光波段的透明导电,忽视了红外波段透明导电研究的系统总结和评述。本综述主要关注了N型金属氧化物和非氧化物以及P型金属氧化物、硫化物和卤化物。首先依据德鲁德自由电子理论模型分析了金属化合物红外透明性能与导电性能难以兼容的物理起源,然后归纳总结了金属化合物的制备、结构和光电性质,揭示了现有N型金属化合物普遍存在导电性高但红外透射率低的问题,P型金属化合物普遍存在红外透射率高但导电性低的问题。针对这些性能方面的瓶颈问题,讨论了薄膜制备、缺陷控制、能带化学调制以及新材料设计等方面的改性思路和可行性方法。最后展望了金属化合物未来发展方向以及仍需解决的难题,以期为设计和制备高性能的红外透明导电薄膜提供参考。  相似文献   
49.
级联多电平逆变器在多电平逆变器领域应用已经较为成熟,而载波移相PWM技术的应用大大提高了级联逆变器的输出性能。不同移相控制策略而导致移相角度的不同,也对逆变器的输出产生影响。针对级联多电平逆变器中的载波移相PWM技术提出一项移相控制策略。通过仿真研究,并与360°/N方式进行了深入的比较和分析,证实所建立的移相方法能够使级联逆变器的输出性能得到一定提升。同时指出,该移相方式THD较高,但其谐波分布主要在高频区域,在某些方面具有较高的应用价值。  相似文献   
50.
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).  相似文献   
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