保护膜材料对AC PDP放电特性的影响的实验研究

提出了用测量ＡＣ ＰＤＰ（ＡＣ ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）放电特性和加速第化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法,研制了模拟ＡＣ ＰＤＰ放电特性测量装置,为衡量保护膜特性提供了有力的工具。并利用此装置对不同材料保护对ＡＣ ＰＤＰ放电特性的影响进行了分析讨论,确定了新颖膜材的选择方向,探索了使用高发射性能保护膜材料所必须解决的问题。     

微量Sn对Al-25Mg-In牺牲阳极性能的影响

用浸泡法、动电位线性极化、恒电流极化等方法测定了一系列不同Sn含量的Al-25Mg-0.03In-Sn牺牲阳极材料在w(NaCl)=3.5%的溶液中的电化学性能.结果表明,In、Sn两种元素具有较好的匹配性,并对高镁铝合金牺牲阳极具有良好的活化效果;Al-25Mg-0.03In-0.06Sn牺牲阳极材料的电化学性能指标均达到或超过国家标准.     

深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释 .研究发现 ,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 .而随着衬底掺杂浓度的提高 ,虽然器件的短沟道抑制能力增强 ,但抗热载流子性能降低     

槽栅PMOSFET沟道杂质浓度对其特性影响

利用二维器件仿真软件MEDICI,基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究,并与相应平面器件的特性进行了对比,研究发现,随着沟道掺杂浓度的提高,与平面器件相同,槽栅器件的阈值电压提高,漏极驱动能力降低,抗热载流子效应增强;但与平面器件相比,槽栅器件的阈值电压受沟道杂质浓度影响较小,漏极驱动能力随沟道杂质浓度提高的退化则较平面器件严重,抗热载流子能力的增强较平面器件大得多,因此在基本不影响其化特性的条件下,可以通过降低沟道杂质浓度来提高槽栅器件的漏极驱动能力。     

介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例,对ＡＣ　ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数,如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析,讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣＰＤＰ工作特性的影响,探讨了成膜的最佳工艺,并根据在放电过程中,由离子轰击产生的 ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对 ＭｇＯ膜表面特性的作用,对观测到的放电特性对 ＡＣＰＤＰ板各种制造工艺参数的依赖性进行了解释。     

介质保护膜对AC-PDP放电特性影响测量装置的研究

本文提出并采用了测量ＡＣ ＰＤＰ放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法,研制了模拟ＡＣ ＰＤＰ放电特性测量装置。该装置驱动电源、放电室及真空系统组成,能够模拟ＡＣ ＰＤＰ的工作条件和过程,不仅可用来测量不同材料和不同方法、工艺制成的保护膜对ＡＣ ＰＤＰ工作电压、寿命等的影响,还可用来测量ＡＣ ＰＤＰ放电单元内所充气体的种类,气体混合比例、压力以及放电间隙的距离等参数对ＡＣ     

等离子体显示器中的膜层

等离子体显示器被认为是实现大屏幕壁挂电视显示最有希望的方案。等离子体显示器件中所用膜种类繁多，膜层结构复杂，成膜质量要求极高，成膜技术与加工工艺要求苛刻。ＰＤＰ的性能、质量、生产效率、成品率、器件成本直接取决于所用膜材料和成膜质量及成膜技术水平。本文对ＰＤＰ中所用膜的种类、材料及成膜技术的现状、进展以及存在的问题进行了论述。     

AC PDP介质保护膜的制备方法

本文分析了ＡＣＰＤＰ保护膜对制备方法的特殊要求，描述了各种制备方法的优缺点，介绍了几种最近发展起来的新方法。提出了几种适用于ＡＣＰＤＰ保护膜制备的方法。     

大棚蔬菜膜下滴灌技术的应用与探索

闻喜县在大棚蔬菜种植中，尝试应用膜下滴灌技术，并针对大棚设计了成套滴灌设备，分析了滴灌设备的优点，进行了投入与产出的对比分析认为可在以后的生产实践中大力推广。     

杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ;而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件内的分布和拐角效应 ,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化