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利用高温高压技术,制备了热电材料PbTe和PbSe的固溶体合金PbTe1-xSex,在室温下对其结构及电学性质进行了研究。X射线衍射(XRD)测试结果表明:PbTe1-xSex具有NaCl结构;晶格常数随着Se含量(x)的增加而减小;PbTe1-xSex的电阻率和Seebeck系数的绝对值随x的增大而减小;功率因子随x的增大先增大而后减小,当x=0.1时功率因子最高,达到21.7 μW/(cm·K2),比相同条件下制备的PbTe高20%。 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备了纳米Ti1-xCexO2系列样品。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)对纳米Ti1-xCexO2系列样品颗粒尺寸、形貌以及固溶区范围和物相组成进行了研究;同时,采用Rietveld结构精修的方法研究了Ce的不同掺杂量对TiO2晶体结构的影响。实验结果表明,Ce掺杂TiO2能够形成Ti1-xCexO2固溶体,Ti1-xCexO2的固溶区范围在x=0~0.06之间,Ti1-xCexO2的晶粒度为5~10 nm,平均颗粒粒度约35 nm,且粒度均匀。 相似文献
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现代可编程约瑟夫森电压基准的核心器件是约瑟夫森结阵.目前最具有优势的约瑟夫森结阵是 Nb/NbxSi1-x/Nb材料的结阵. Nb/NbxSi1-x/Nb材料的约瑟夫森结 具有三层薄膜的制作过程简便, Nb和NbxSi1-x刻蚀工艺相同以及NbxSi1-x 势垒层成分可调等优点.中国计量科学研究院设计制作了Nb/NbxSi1-x/Nb约瑟夫森单结. 通过在4.2 K低温下对所做单结进行直流电流-电压特性测量,观测到了清晰的超导隧穿电流和 从零电压态向电压态的跳变,最后就测量结果进行了分析讨论.此项工作属于国内首个开展 Nb/NbxSi1-x/Nb材料约瑟夫森单结研究的工作. 相似文献
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本文给出了掺CdSxSe1-x玻璃平面波导分布反馈(DFB)光学双稳器件的设计和制备方法,实现了低功耗、快速的本征光学双稳。 相似文献
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本文对具有较大非线性系数,较快非线性响应和回复时间的CdSxSe1-x半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环(亦称为非谐振环)APM激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明:在抗共振环APM激光器中,应用CdSxSe1-x半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄。 相似文献
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本文解释了La2CuO4+δ(0≤δ≤0.09)和La2-xSrxCuO4(0≤x≤0.3)两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系,在室温以上,一氧大气压下的La2CuO4+δ系统趋于失氧;在500 K以上,超导样品显示出失氧的一级相变,并且恢复到反铁磁相。在转变温度T1≈300 K以下,对0<δ<0.05成份的样品,相分离成反铁磁相和超导相;而在Tcρ≈100 K的温度范围内,超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内,Tc处的电阻陡降出现了台阶;我们认为,它反映了电子成对的起伏。在La2-xSrxCuO4系统中,对于成分为01≈300 K以上,空穴的运动是弥散的,但是ΔHm=0;而对于x≥0.22的样品,经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围(其中空穴继续以弥散方式运动)是亚稳的,但是,在Tcρ≤150 K范围,出现了电荷起伏。当样品冷却通过T1时,对于成份为0.15≤x≤0.2的样品,经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变;在Tc处,从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中,不寻常的电子-晶格相互作用,可以归结为在CuO2面上从更离子性的到共价性的Cu:3dx2-r2─O:Pσ键合的转变;通过这种转变,轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。 相似文献
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SiC1-xGex/SiC 异质结光电二极管特性的研究 总被引:5,自引:5,他引:0
使用二维器件模拟软件Medici, 对SiC1-xGex/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为1 μm, P型轻掺杂SiC1-xGex层厚为0.4 μm, 二者之间形成突变异质结.在反向偏压3 V、光强度为 0.23 W/cm2的条件下, p-n+ SiC0.8Ge0.2/SiC和p-n+ SiC0.7Ge0.3/SiC敏感波长λ分别可以达到0.64 μm和0.7 μm, 光电流分别为7.765×10-7 A/μm和7.438×10-7 A/μm; 为了进一步提高SiC1-xGex/SiC 异质结的光电流, 我们把p-n+两层结构改进为p-i-n三层结构.在同样的偏压、光照条件下, p-i-n SiC0.8Ge0.2/SiC和p-i-n SiC0.7Ge0.3/SiC的光电流分别达到1.6734×10-6 A/μm和1.844×10-6 A/μm. 相似文献
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采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金,根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得
关键词: 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词:
离子注入
固相外延
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx
关键词:
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金
离子注入
固相外延 相似文献
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采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε2、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结 相似文献
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在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GexSi1-x/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了GexSi1-x/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、
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