用于中子测井的自成靶密封中子管性能评价

采用自成靶工艺,研制了SNT-DT/25型密封氘氚中子管,对其工作温度、使用寿命、功耗、中子产额及其稳定性等性能参数进行了测试。结果表明:中子管使用温度可达175℃,最高中子产额≥1×109 n/s,中子产额浮动≤10%;在靶极电压-80kV、阳极电流300μA、靶流80μA的工作条件下,中子产额可达1×108 n/s,中子管的性能指标完全满足中子测井使用要求。此外,本文还对中子产额随靶极电压、阳极电流的影响进行了分析。     

中子活化法测定~(232)Th裂变产物产额

采用中子活化法测量了~(232)Th的裂变产物及其累积产额。利用加速器T(d,n)~4He反应产生的14.9 MeV高注量中子长时间照射ThO_2样品,用高纯锗γ谱仪测量其特征γ谱,求得较长半衰期核素~(99)Mo、~(141)Ce、~(143)Ce、~(131)I、~(140)Ba等的裂变产额,实验结果的典型误差为4%。其中,利用MCNP程序对中子的多次散射效应和自屏蔽效应进行修正,同时考虑了中子注量波动及γ射线在样品中的自吸收影响。     

100～500keV能区~9Be(d,n)~(10)B反应中子产额及角分布测量

金属铍具有较稳定的理化性质,同时也易与入射的轻核粒子发生反应产生中子,在小型中子发生器的研制中具有其他靶材所不具有的优势。9Be(d,n)10 B反应的中子产额和中子角分布数据,尤其是低能区的数据,对小型中子发生器的设计非常重要。本文在中国原子能科学研究院的600kV高压倍加器上测量了100～500keV能区9Be(d,n)10B反应的中子产额和中子角分布。     

中子发生器产额的测量

用铁片活化法和长计数管测量中子发生器的中子产额，给出了测量方法和结果。     

强流中子发生器中子产额测定

文章简述兰州大学3.3×10~(12)n/s强流中子发生器14MeV中子产额的测定。采用三种方法的七个测量手段进行比对测量。虽然在测试过程中遇到很强的中子本底、γ射线本底和电磁干扰,最终还是得到合理的比对结果。尤其是45°偏转半导体符合望远镜和~(238)U裂变室在不同束流下进行的比对测量结果说明两台测量装置在很宽的量程内测量稳定、可信。     

中子产额大于1.5×10^10n／s的密封中子管

报道了一种中子产额大于１．５×１０１０ｎ／ｓ、靶和离子源都可拆卸的密封中子管，以它为核心研制的密封中子发生器已被用于中子照像等领域，并取得了较好的结果。     

T(d,n)~4He反应中子角分布

用反冲质子望远镜测量了T(d,n)~4He反应中子角分布,E_d=1,1.5和2 MeV,角度范田0—150°。实验结果用最小二乘法按照勒让德(Legendre)多项式拟合,误差为±2.6%,并与国外结果进行了比较。     

DPF装置脉冲中子测量技术研究

研制了用于DPF装置脉冲中子产额和波形监测的脉冲中子飞行时间-闪烁探测系统。在中国原子能科学研究院高压倍加器上采用电流法和脉冲中子飞行时间方法标定了该系统的D-T和D-D中子灵敏度。根据测量的光响应函数,采用Monte-Carlo方法模拟了塑料闪烁探测器的中子能量响应,由此对中子灵敏度标定结果进行了能量响应修正。利用研制的闪烁探测系统对ING-103型DPF装置的D-T脉冲中子产额和时间波形进行了实验测量,并对测量结果进行了分析和讨论。测量的DPF装置D-T脉冲中子产额在1×109–2×109n/shot之间,中子时间波形的半高宽约为9ns。     

用阈探测器活化法测量50MeV/u重离子实验靶区的中子注量率、能谱和中子产额

用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u ~(12)C离子实验靶区的次级中子平均注量率、角分布、粗略能谱,并估算了重离子反应的中子产额。     

快中子产额监测器

一、前言 中子发生器是一种产额不稳定的中子源,因受束流强度,加速高压、氚钛靶的新旧程度等因素影响,即使在完全相同的参数下工作,也很难保持产额一致。 中子产额(或注量)的测量方法主要有:活化法,望远镜法,长(硼)中子计数器和伴随粒子法等。本工作主要采用伴随粒子法,为校验其准确性也研制了闪烁望远镜计数器。 伴随粒子法和望远镜法都是快中子注量的绝对测量方法,前者是根据装置记录到的某     

ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱的初步测定

本文介绍了兰州大学现代物理系的ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱测量的结果。用 FJ-377型热释光剂量仪测量了中子发生器运行过程中 X、γ射线照射量率分布;用 FJ-311G γ微伦仪和 NaI(Tl)γ能谱仪测量了中子发生器在产额为3×10~9n/s条件下,运行1小时后,靶头附近的照射量率及γ谱。     

带伴随粒子中子发生器研制

为研制带伴随α粒子法检测隐藏爆炸物,我们研制了外形尺寸为Φ76 mm×1100 mm的中子发生器,采用中子管离子源加高压,靶接地的设计方式,便于安装α粒子探测器.靶与束流入射方向成45°角,以便探测器接收更多的α粒子,提高探测效率.试验测试表明,中子产额在3×107n/s-5×107n/s范围,中子发生器稳定工作已超过...     

基于150 MeV电子束的光中子特性模拟分析

高能中子源是研究高能太空宇宙射线中子对人体和电子仪器辐射损伤的必备装置,基于高能电子加速器的光中子源是目前能够提供较高能量白光中子的方式之一。本工作以清华大学先进加速器实验室的激光电子加速器束流参数为基础,借助Geant4对产生的光中子的能量特性、产额特性、角分布特性、时间特性进行了分析。模拟结果表明,Φ2 cm×2 cm的圆柱体Ta靶时,150 MeV电子束流可产生最高能量约为110 MeV、中子产额约为1.2×10~5n/10~7e-、出射时间在0~100 ns之间呈负指数分布的几乎各向同性的光中子。根据拟合的中子能量-出射时间离散指数函数,估算得到对产生的1~100MeV中子,在飞行距离为5m时中子飞行时间的时间分辨率好于2.23%。本工作为该加速器的光中子产生和实验测量工作提供了参考依据。     

HL—1聚变装置中子发射实验研究

采用ＺｎＳ（Ａｇ）闪烁计数器，经标准中子源刻度校正后，测量ＨＬ－１（中国环流器一号）聚变装置的中子演化和中子产额；同时用活化箔法（１１５Ｉｎ）和原子核乳胶法测量中子产额。在真空室充氘和电子回旋共振加热（ＥＣＲＨ）时，３种方法同时测量，确证ＨＬ－１每放电１次发射中子数平均为（３．４１±０．５０）×１０１０。得到欧姆加热、ＥＣＲＨ、改进约束放电（ＩＯＣ）和弹丸注入等放电实验中的中子演化。在分子束注入和偏压电极（ＥＰＰ）放电实验中，产生中子较少或很少。观察部分放电方式产生的中子产额Ｎ和硬Ｘ射线产额ＨＸ间有线性关系Ｎ＝ａＨＸ－ｂ，其中，ａ和ｂ是与装置运行方式有关的常数。     

中子计数器探测效率的校准

设计制作了一个 BF3长硼中子计数器 ,采用伴随粒子法标定了其中子探测效率 ,约为 3.17×10 -4 ( 1± 18% )。利用这个中子探测器测量了中子管脉冲中子产额 ( 10 7/ pulse)     

分析束强流中子发生器中子比产额及靶寿命

将在分析束(D_1~-)轰击下,大面积高速旋转靶半寿命、中子比产额等指标与非分析束作了比较。中子比产额从1.1×10~(11)s~(-1)·mA~(-1)提高到1.6×10~(11)s~(-1)·mA~(-1),氚钛靶半寿命提高一个数量级,靶寿期由1mA·h/cm~2提高到6.9 mA·h/cm~2。     

低能D(d,n)~3He反应中~3He粒子的探测及自生靶稳定性的初步研究

一、引言测量D(d,n)~3He反应中的~3He粒子,对于测量D(d,n)~3He反应的中子产额及应用中子-~3He粒子符合技术很有意义。在D(d,n)~3He反应中,~3He的探测存在困难。原因在于~3He粒子能量低和大量散射氘核脉冲堆积的干扰。另外~3He粒子与竞争的D(d,p)T反应中的氘粒子能量相近。为克服这些困难,人们采用了各种方法:1.用电磁分析器分开~3He,氚,氘粒子。2.用低原子     

63Cu活化法测量107 DT脉冲中子产额

介绍了用63Cu活化法绝对测量产额在107左右的脉冲中子的实验方法,给出了脉冲产额的计算公式,对其测试系统的DT中子灵敏度进行了标定,给出了脉冲中子产额绝对测量数据,分析了其测量不确定度来源,获得了不确定度为12%(k=1)的实验结果.     

600kV高压倍加器大厅内X-γ照射量率和能谱的初步测定

一、引言600 kV高压倍加器,通过T(d,n)~4He、D(d,n)~3He等核反应可产生14 MeV和2.5MeV的快中子,中子产额可达10~(11)n/s。其屏蔽设计情况,以及运行中可能产生的中子辐射场分布,在文献[1]中已有报道。在用该高压倍加器作引出质子束对光调束(质子束轰击铁靶)和离子注入等工作时,所产生的X、γ射线的照射将是主要的。测量和掌握高压倍加器上产生的快中子和X、γ     

双通道闪烁探测器探测脉冲中子技术

本文主要介绍了一种用于进行脉冲中子波形和产额测量的闪烁探测器,它由双套独立探测系统组成,可靠性高,通过调节单通道测量灵敏度可达到产额变化范围宽的中子测量.此双通道闪烁探测器采用低压27V供电,并具有固定周期的自检功能,使用方便可靠,可广泛地应用于脉冲中子测量.