在WT—3上用电子回旋加热控制磁流体动力学活性

在ＷＴ－３托卡马克上，系统地研究了用局部电子回旋加热对欧姆加热等离子体中ｍ＝２，ｎ＝１磁流体动力学模的控制。发现用ｑ＝１和ｑ＝２磁面附近的电子回旋加热能同时抑制ｍ＝１和ｍ＝２模，这里ｑ是安全因子。     

新的^99Tc^mN配合物的制备及其生物分布研究

为了寻找新的９９Ｔｃｍ Ｎ 标记的心肌显像剂,合成了两种含有酯基的ＮＳ配体半胱氨酸甲酯（ＣＹＭ）和半胱氨酸丙酯（ＣＹＰ）。以ＳｎＣｌ２ 为还原剂,Ｈ２ＮＮＨ－ （Ｃ＝ Ｓ）－ ＳＣＨ３ 为Ｎ３－ 给予体,通过交换反应制备了放化纯大于９０％ 的９９Ｔｃｍ Ｎ（ＣＹＭ）２ 和９９Ｔｃｍ Ｎ（ＣＹＰ）２。探讨了ｐＨ值和反应时间对９９Ｔｃｍ Ｎ配合物放化纯的影响,并对其在小鼠体内的生物分布进行了研究。结果表明,９９Ｔｃｍ Ｎ（ＣＹＭ）２ 和９９Ｔｃｍ Ｎ（ＣＹＰ）２在心肌中具有较高的初始摄取和快速的血清除,血半清除期小于１５ｍ ｉｎ。但是,心肌滞留不理想,心肌与其它组织的放射性比值较低。本工作对于设计新的９９Ｔｃｍ Ｎ心肌显像剂具有参考价值。     

超导托克马克TRIAM—1M的最新进展

在超导托卡马克ＴＲＩＡＭ－１Ｍ上,广泛开展了稳态托卡马克反应堆的研究。用２．４５ＧＨｚ低杂波电流驱动已演示了密度为ｎｃ＝２＊１０＾１８ｍ＾－３,持续时间超过２ｈ的放电。在孔栏５ＭＷ．ｍ＾－２的高平均壁负载条件下,用８．２ＧＨｚ的杂波电流驱动使ｎｃ＝２＊１０＾１９ｍ＾－３高密度等离子体维持了１ｍｉｎ。     

JT—60U中负剪切等离子体的理想β极限

研究了在ＪＴ－６０Ｕ中观测到的具有陡压强梯度的负剪切等离子体的理想磁流体动力学（ＭＨＤ）稳定性。为了改善理想β极限，我们研究了安全因子的最小值ｑｍｉｎ的位置和最大压强梯度的位置对理想磁流体动力学（ＭＨＤ）稳定性的影响。当最大压强梯度在ｑ＝ｑｍｉｎ磁面内时，理想β极限由ｎ＝１扭曲－气球模确定。当最大压强梯度在ｑ＝ｑｍｉｎ磁面之上或之外时，恶模和高ｎ气球模变得比ｎ＝１模更加不稳定。我们发现，当最大压强     

TRTR上高β破裂的气球不稳定性前兆

在ＴＦＴＲ的许多状态下发现作为高β破裂的前兆的环向定域气球模。低频，全球磁流体动力学（ＭＨＤ）活性，即一般为理想的ｎ＝１扭曲模型引起环向定域，较大幅度ｎ＝１横导致气球模明显的环向定域，这些模一般定域在环向方向约９０°－１２０°范围的区域。     

离子注入α—Al2O3陶瓷材料的表面改性研究

研究了α－Ａｌ２Ｏ３单晶注入Ｎ＾＋后的力学性能变化。结果表明，注入剂量为１×１０＾１７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２时，Ａｌ２Ｏ３的显微硬度提高了９２％，注入剂量为３×１０＾１７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２时，在Ａｌ２Ｏ３表面形成晶层，导致表面软化，显微硬度只是其５０％左右。离子注入在样品表面产生了高达－１１５０ＭＰａ的压应力，材料的断裂韧性的改善与此有关，实验亦发现Ｎ＾＋离子注入后Ａｌ２Ｏ３的断裂韧性提高了９５％左右。     

用串列静电加速器获取MeV高能团簇离子束

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ ９ＳＤＨ－２）获得了能量为１－４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＾＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＾＋（ｎ〈１０）、Ｓｉｎ＾＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＾＋（ｎ＝２）；束流强度与团簇的种类和所含的原子数有关，为０．１－１００ｎＡ量级。注入加速器的低能团簇负离子由铯溅射离子源（ＳＮＩＣＳ Ⅱ）产生，高能团簇正离子的质量鉴别用磁分析器完成，高能碳团簇负离子     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

离子注入α－Al_2O_3陶瓷材料的表面改性研究

研究了α－Ａｌ２Ｏ３单晶注入Ｎ＋后的力学性能变化。结果表明，注入剂量为１×１０１７Ｎ＋／ｃｍ２时，Ａｌ２Ｏ３的显微硬度提高了９２％；注入剂量为３×１０１７Ｎ＋／ｃｍ２时，在Ａｌ２Ｏ３表面形成非晶层，导致表面软化，显微硬度只是基体的５０％左右．离子注入在样品表面产生了高达￣１１５０ＭＰａ的压应力，材料的断裂韧性的改善与此有关，实验亦发现Ｎ＋离子注入后Ａｌ２Ｏ３的断裂韧性提高了９５％左右．ＳＥＭ分析同样证明Ｎ＋注入ａ－Ａｌ２Ｏ３后，其表面力学性能确实有所改善。     

高注量快中子辐照在α—Al2O3中产生空洞的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究３×１０＾２０／ｃｍ＾２中子注量，Ｅｎ≥１ＭｅＶ快中子辐照在α－Ａｌ２Ｏ３中产生的辐照效应，实验发现α－Ａｌ２Ｏ３在辐照后的８５０℃退火形成尺寸约为０．７ｎｍ的空洞。     

心肌灌注显像剂99Tcm-Q3的制备方法学和药代动力学研究

采用正交实验筛选法制备＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３（＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｎ,Ｎ－’亚乙基－二（乙酰丙酮亚胺）二「三（３－甲氧基－１－丙基）膦」）;家兔注射＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３后定时采血,绘制血药时间－放射性曲线并分析其体内药代动力学。结果显示,制备＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３的最佳配方为ＫＯＨ溶液３０μＬ,ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ溶液２０μＬ,Ｎ,Ｎ‘－亚乙基－二（乙酰丙酮亚胺）２０ｍｇ和三（２－甲摒在０－１－丙基）膦５     

高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究

采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。     

^239Pu,^241Am,^99Tc和^137Cs在高压实缓冲材料中的扩散系数

本文从物质的一维非稳态扩散规律出发，在常温，纯氮条件下，测定了＾２３９Ｐｕ，＾２４１Ａｍ，＾９９Ｔｃ和＾１３７Ｃｓ在作为高放废物深地质处置库缓冲材料的高压实钠质膨润土中的扩散系数，９０ｄ的实验测定结果表明，在膨润土的干密度为１．９ｇ／ｃｍ＾３时，＾２３９Ｐｕ，＾２４１Ａｍ扩散系数为在１０＾－１５ｍ＾２／ｓ，＾９９Ｔｃ约为１０＾－１３ｍ＾２／ｓ，而＾１３７Ｃｓ约为１０＾－１２ｍ＾２／ｓ，都随缓冲材料     

^99mTc标记抗心肌肌凝蛋白单克隆抗体在实验性心肌梗塞中的研究

为比较＾９９ｍＴｃ－ＡＭＬＡ的特异性，将两组心肌梗塞２４ｈ大鼠分别注射＾９９ｍＴｃ－ＡＭＬＡ（ｎ＝２４）和＾９９ｍＴｃ－Ｎ－ＩｇＧ（ｎ＝１８），为研究不同心肌梗塞时间对摄取抗体的影响，将另一组不同心肌梗塞时间（２ｈ到１４ｄ共８个亚组）的大鼠注射＾９９ｍＴｃ－ＡＭＬＡ，计算三组的ＩＤ％／ｇ和梗塞心肌摄取／正常心肌摄取比（ＩＭ／ＮＭ）用一只心肌梗塞的狗注射＾９９ｍＴｃ－ＡＭＬＡ后离体心肌显像，结果表明     

热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５,０．０３５）超导体经注量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２的热中子辐照后,磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。＾１０Ｂ（ｎ,α）＾Ｌｉ、＾７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均分布的,可以作为磁通钉扎中心的辐照伤,以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后射性副产物的半衰期较短     

乙酰二茂铁缩4—苯氨基硫脲与UO^2＋2,Hg^2＋,Ni^2＋,Zn^2＋,的…

乙酰二茂铁缩４－苯氨基硫脲（Ｃ１９Ｈ１９Ｎ３ＳＦｅ）与某些金属离子在无水乙醇中反应得到了希夫碱配合物Ｍ．Ｌ．Ｘ２．ｎＨ２Ｏ（Ｍ为ＵＯ＾２＋２，Ｈｇ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，Ｚｎ＾２＋，Ｌ为Ｃ１９Ｈ１９Ｎ３ＳＦｅ；ＮＯ＾－３，Ｃｌ＾－，１／２ＳＯ＾２－４；ｎ＝０－６）并对配合物的组成及某些物理化学质进行了测试和表征。     

重新刻度核子密度,湿度计的方法

核子密度、湿度计是用于公路和铁路基铺填、土建工程的地基填筑等工程中施工质量检测的快速、准确的核子仪表，原理是利用了ｎ—γ射线的联测技术。该种仪器在国内已广泛使用，其中也包括大量的进口仪器。可测量的密度范围为１ｇ／ｃｍ３—２．７ｇ／ｃｍ３；水分测量范围...     

电沉积法制备碲靶

采用电沉积法将Ｔｅ电沉积在以Ｎｉ为底衬的Ｃｕ靶托上，制备出了质子回旋加速器ＣＹＣＬＯＮＥ－３０用碲靶，用以生产放射性医用同位素＾１２３Ｉ。研究了电流密度、电沉积时间、温度、电沉积溶液中碲的质量浓度（以ＴｅＯ２计）、碱度等工艺条件对碲靶质量的影响。推荐最佳工艺条件为：电沉积液介质浓度ｃ（ＫＯＨ）＝１ｍｏｌ／ｌ；ρ（ＴｅＯ２）＝５５－６５ｍｇ／ｍｌ；电流密度Ｊ＝１０－１２ｍＡ／ｃｍ＾２；温度Ｔ＝１８－     

心肌显像剂99mTcN-BMPBDA的制备及动物体内分布研究

为了寻找新的具有亲心肌性质的＾９９ｍＴｃＮ药物,合成了一种新的Ｎ２Ｓ２配体：Ｎ,Ｎ＇－二（２－巯基丙基）－１,２－苯二胺（ＢＭＰＢＤＡ）。以ＳｎＣｌ２为还原剂,Ｈ２ＮＮＨ－（Ｃ＝Ｓ）－ＳＣＨ３为Ｎ＾３－给予体,通过交换反应制备了放化纯大于９０％的＾９９ｍＴｃＮ－ＢＭＰＢＤＡ。探讨了ｐＨ值对＾９９ｍＴｃＮ－ＢＭＰＢＤＡ放化纯的影响,并对其小鼠生物分布进行了研究。结果表明,＾９９ｍＴｃＮ－ＢＭＰＢＤＡ     

离子注入法制备超薄氚源

叙述了一种用于中微子静止质量测量的大面积高活度氚源的离子注入制备过程。氚注入在微晶玻璃基板上的碳膜中，由此获得窄条形（０．２ｍｍ宽）、大面积（４０×３０ｍｍ２）、高活度（约２０ＭＢｑ／ｃｍ２）、氚分布均匀（９５％）、氖注入厚度为２μｇ／ｃｍ２、氚的逃逸速度≤４×１０２Ｂｑ／ｈ的氚源。