高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究

采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

GaP高能重离子辐照损伤及退火的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究２．４＊１０＾１５／ｃｍ＾２和２．２＊１０＾１６／ｃｍ＾２ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＧａＰ的辐照损伤及其退火效应。结果表明，高低两种注量辐照在ＧａＰ中产生浓度较高的单空位。在３００－１０２３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命温度的变化。低注量辐照品在退火过程中有双空位的形成；而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式，其完全被退火的温度比低剂量辐照的高２５０Ｋ。     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

高注量快中子辐照在α—Al2O3中产生空洞的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究３×１０＾２０／ｃｍ＾２中子注量，Ｅｎ≥１ＭｅＶ快中子辐照在α－Ａｌ２Ｏ３中产生的辐照效应，实验发现α－Ａｌ２Ｏ３在辐照后的８５０℃退火形成尺寸约为０．７ｎｍ的空洞。     

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当     

用正电子湮没实验研究PbWO4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究ＰｂＷＯ４晶体退火处理前后缺陷的变化，发现氧退火后，晶体正电子寿命值τ２变小，正电子捕获率ｋ增大，真空退火反之。并且ＰｂＷＯ４晶体氧退火后发光主峰位从４４０ｎｍ称到４８５ｎｍ的绿光处，而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响，提出了ＰｂＷＯ４晶体中铅空位形成ＷＯ３＋Ｏ＾－发绿光的发光模型。     

热释光材料LiF：Mg,Ti,LiF：Mg,Cu,P和MgSO4的正电子湮没特性

测量了经＾６０Ｃｏγ辐照的热释光材料ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｔｉ，ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ和ＭｇＳＯ４的正电子湮没寿命谱，所有寿命谱都分成三个成分，两种不同掺杂的ＬｉＦ样品，其τ２成分寿命参数十分接近，表明正离子空位对寿命谱影响较小，并且观察到，在剂量范围为０．０５－１ｋＧｙ内，τ２成分寿命参数随剂量按相反趋势发生较小的变化，等时退火实验表明，ＭｇＳＯ４样品的τ２和τ３成分与硫酸基有关，其大小可参取决于Ｍｇ＾     

85 MeV19F离子辐照InP正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了注量为１．６＊１０＾１６ＣＭ＾－２Ｒ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＩｎＰ产生的辐照效应。实验表明辐照在ＩｎＰ中产生单空位型缺陷。     

In^＋离子注入蓝宝石（α—Al2O3单晶）的表面改性研究

研究了〈０００１〉和〈１＾－２１０〉晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单昌）在注入３６０ｋｅＶ、１×１０＾１６ｃｍ＾－２或１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－１的Ｉｎ＾＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－２的Ｉｎ＾＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０＾３Ω·ｃｍ，表面损伤层的显