多层砖混结构住宅顶层墙体裂缝的原因分析与防治

对多层砖混结构住宅砖砌体、房屋顶层墙体裂缝的原因、结构设计、施工中应注意的事项，提出了防治的方法和措施。     

薄型多层雷达吸波材料结构设计与发展

根据雷达吸波材料厚度薄、质量轻、吸收频带宽、吸波能力强(薄、轻、宽、强)的发展目标,介绍了多层雷达吸波材料的研究现状和几种宽频吸波结构的设计方法.分析讨论了采用多层结构的雷达吸波材料,以及依据阻抗匹配原理提高材料吸波性能的可能性.提出将多层吸波材料和宽频吸波结构结合得到一种涂层型的薄型(20μm左右)多层雷达吸波材料的研究思路,建立了薄型多层雷达吸波材料由多层结构、表面为离散式分布的斑点、内部再穿插一些非吸波薄膜的材料模型.初步试验表明这种薄型多层雷达吸波材料可以提高吸波性能.     

横波检测粘接界面层多孔隙缺陷的数值分析

建立了粘接界面层多孔隙缺陷微观结构的界面数理模型，推导了横波（SH波）在“三明治”结构传播的频散方程，对最低模式的SH波在带有多孔隙缺陷界面的双层板粘接结构的传播特性进行数值计算分析。结果表明，粘接界面层的厚度及其孔隙缺陷尺寸对导波的频散曲线有明显的影响，这可为粘接界面无损检测提供了新的方法和思路。     

飞机多层结构腐蚀损伤的工业电子计算机断层扫描检测可行性分析

根据飞机多层结构容易出现内部腐蚀的特点,设计并制作了模拟腐蚀缺陷的试件,采用工业CT(电子计算机断层扫描)进行检测试验,通过对检测图像的分析和关键尺寸的测量,分析了工业CT检测多层结构腐蚀损伤的可行性,为多层结构内部腐蚀检测提供了参考。     

恒电位—恒电流瞬态响应技术研究钝化膜多层结构：Ⅰ.多层结构钝化膜…

采用恒电位－恒电流瞬态响应技术研究了具有多层结构钝化膜的体系，分析了这类体系在钝化过程不同阶段的Ｐ－Ｇ瞬态响应特征。提出了阉断钝化膜多层结构的方法以及表征钝化膜不同层稳定性的特征参数，并建立了描述复杂钝化体系Ｐ－Ｇ响应曲线的数学模型。研究结果证实所建立的模型能很好地反映体系的Ｐ－Ｇ响应特征。     

恒电位－恒电流瞬态响应技术研究钝化膜多层结构──Ⅰ．多层结构钝化膜的P－G瞬态响应特征

采用恒电位－恒电流（Ｐ－Ｇ）瞬态响应技术研究了具有多层结构钝化膜的体系．分析了这类体系在钝化过程不同阶段的Ｐ－Ｇ瞬态响应特征．提出了判断钝化膜多层结构的方法以及表征钝化膜不同层稳定性的特征参数，并建立了描述复杂钝化体系Ｐ－Ｇ响应曲线的数学模型．研究结果证实所建立的模型能很好地反映体系的Ｐ－Ｇ响应特征．     

STUDY ON MULTIPLE-LAYER STRUCTURE OF PASSIVE FILM ON STAINLESS STEEL BY POTENTIOSTATIC-GALVANOSTATIC (P-G) TRANSIENT TECHNIQUE Ⅰ. P-G Response Characteristics of Passive Film with Multiple-Layer Structure

采用恒电位－恒电流（Ｐ－Ｇ）瞬态响应技术研究了具有多层结构钝化膜的体系．分析了这类体系在钝化过程不同阶段的Ｐ－Ｇ瞬态响应特征．提出了判断钝化膜多层结构的方法以及表征钝化膜不同层稳定性的特征参数，并建立了描述复杂钝化体系Ｐ－Ｇ响应曲线的数学模型．研究结果证实所建立的模型能很好地反映体系的Ｐ－Ｇ响应特征．     

小波分析在固体导弹发动机壳体多层界面缺陷检测中的应用

针对固体导弹发动机壳体多层界面胶结结构的超声检测信号,应用小波变换模极大值提取特征参数的方法,用奇异性指数(Lip指数)表征脱粘缺陷信号的特征,进行发动机壳体层间缺陷的识别。试验结果表明,该方法能有效实现固体导弹发动机壳体多层界面胶结结构缺陷的分析与识别,并对其它多层胶接结构质量的缺陷定位有一定的应用价值。     

CrTiAlCN多元多层梯度膜的制备及其结构

采用中频反应磁控溅射、离子束辅助方法沉积CrTiAlCN多元硬质薄膜,利用扫描电镜、俄歇电子谱、透射电镜及X射线衍射等技术对膜层的过渡层、界面及微观结构进行研究.结果表明:沉积制备的膜层为多层梯度过渡结构,成分深度分布及相结构分析证实,所制备的多元多层梯度膜与所设计的基体/Cr/CrN/CrTiAlN/ CrTiAlCN结构相吻合;在梯度过渡中,不同层之间界面体现为渐变过渡过程;沉积制备的多元多层梯度膜硬度高达26.31 GPa,膜/基结合力大于80 N,摩擦因数低至0.113,力学性能优良.     

玻璃与铝在不同层数结构下的阳极键合界面应力特征分析

采用共阳极接法对不同层数的玻璃与铝实现阳极键合,通过XRD分析结果显示,键合界面过渡层主要是3Al2O3·2SiO2,并运用MARC有限元软件对不同层数的键合结构进行模拟,通过对键合后产生的残余应力进行比较分析,结果表明:由于多层结构的对称性,最大残余应力发生在中心处的过渡层,研究结果为MEMS器件在多层封装结构设计中提供理论依据。