半导体桥结构设计分析

文章讨论了半导体桥点火的作用机理.在比较、分析了几种常用的半导体桥结构的基础上,设计出一种新的SCB结构.从理论上讲,此种结构具有更好的点火性能.文章以SCB的典型结构--"H"形为例,对半导体桥结构的各组成部分进行了分析,论证了半导体桥厚度δ=2μm的合理性;根据能量转换关系建立了数学模型,得出了半导体桥长和宽的计算公式.     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

不同点火条件下无起爆药雷管实验

使用外径6.0mm、内径3.5mm,长度分别为30,25,20,15mm的钢内管,装填结晶PETN(太安)作为起爆元件代替起爆药,分别使用桥丝电引火头、塑料导爆管、半导体桥(SCB)点火。实验表明:在桥丝电引火头作用下,30,25mm钢内管装药密度分别为0.90~1.47g/cm~3、1.21~1.40g/cm~3;高能HGL点火药作用下,20mm钢内管装药密度为0.87~1.42g/cm~3,钢内管中结晶PETN能够实现燃烧转爆轰(DDT)。半导体桥点火使用RDX(黑索今)和PETN作为点火端装药可以使雷管发生爆轰。     

半导体桥的设计分析

半导体桥是半导体桥火工品中最为关键的元件,它的结构和性质对火工品起着十分重要的作用,设计结构合理、性能优良的半导体桥是研究半导体桥火工品首要任务.文章以理论分析和文献分析为基础并结合试验数据,提供了一套半导体桥的设计方法,并选定了合理的结构和材料,给出了一组参数,确定了最小临界能的半导体桥图形.     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

电点火头加速寿命试验药剂及桥丝变化分析

文中为了研究电点火头在长期储存后药剂和桥丝的变化情况，对电点火头进行了高温高湿加速寿命试验，并对点火头药剂的红外吸收光谱进行对比分析，结果表明，经加速寿命试验的点火头药剂受温度和湿度的影响大部分发生了分解，显微镜观察表明桥丝表面腐蚀严重。     

不同点火条件下无起爆药雷管实验

使用外径6.0mm、内径3.5mm,长度分别为30,25,20,15mm的钢内管,装填结晶PETN(太安)作为起爆元件代替起爆药,分别使用桥丝电引火头、塑料导爆管、半导体桥(SCB)点火。实验表明:在桥丝电引火头作用下,30,25mm钢内管装药密度分别为0.90¹.47g/cm1.47g/cm³、1.213、1.21¹.40g/cm1.40g/cm³;高能HGL点火药作用下,20mm钢内管装药密度为0.873;高能HGL点火药作用下,20mm钢内管装药密度为0.87¹.42g/cm1.42g/cm³,钢内管中结晶PETN能够实现燃烧转爆轰(DDT)。半导体桥点火使用RDX(黑索今)和PETN作为点火端装药可以使雷管发生爆轰。     

汽车安全气囊气体发生器电点火管的设计研究

文章分析探讨了安全气囊中电点火管的组成、技术要求及设计原理,选择了适当的桥丝材料,确定了桥距,同时选择了适当的引火药头药剂、点火药剂及扩燃药剂.通过工艺研究,确定了产品的具体结构,由材料的选用及装压药工艺、作用时间的优化与考核,成功地设计出电点火管的原理样品,对照原理样品进行了产品的批量试制与探索,对影响产品的因素进行了归纳与分析.     

Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响

使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6μm厚度的Al/MoO_3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响。研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加。     

半导体桥火工品的发展

文中系统评价和分析了近年来国内外半导体桥结构，制造工艺和封装技术，展望了半导体桥点火装置及智能火工装置的应用前景。提示了这类火工品必将得到广泛应用的趋势。     

压敏电阻用于SCB火工品静电安全性研究?

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性,利用贴片式压敏电阻优良的钳位电压能力对SCB火工品进行静电加固。恒流激励下发火试验结果显示,080C型压敏电阻对SCB火工品发火时间和爆发时间无显著影响;静电国军标条件下,SCB火工品均未发火,在静电美军标下全发火;080C型压敏电阻防护后,SCB火工品在美军标条件下均未发火,静电安全性得到了显著提高。因此,在不影响SCB火工品正常发火性能条件下,080C型压敏电阻能够显著提高SCB火工品的抗静电能力。     

TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究?

为了加强半导体桥(SCB)的静电安全性,利用TVS二极管抗浪涌特性,分别对经TVS二极管加固前、后的SCB进行静电安全性研究。研究结果发现:并联TVS二极管后,SCB的发火时间无显著性变化;在500 p F、不串电阻条件下,SCB在6 k V条件下均未发火,在8 k V条件下均发火;在500 p F、不串电阻条件下,TVS二极管加固后的SCB在9 k V条件下均未发火,在13 k V条件下均发火;9 k V静电作用后,TVS加固后SCB的发火时间无显著性变化。因此,TVS二极管既能不影响SCB的正常发火性能,又能有效提高SCB的静电安全性。     

基于Al／MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究

使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。     

肖特基二极管防护后SCB静电安全性研究

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性能,利用肖特基二极管(SBD)对SCB进行静电防护,对防护后的SCB火工品进行静电放电试验研究。研究结果表明:在静电放电条件（25 kV、500 pF、500 Ω）下,防护后的SCB火工品的桥区未烧蚀,电阻未发生明显变化,SCB未损伤。对静电试验后的SCB火工品进行电容发火试验研究,研究结果表明:静电试验后的SCB能够正常发火,SCB的爆发时间与发火能量未产生显著性变化,SCB的电爆性能未受到影响。     

Temporal measurement of plasma density variations above asemiconductor bridge (SCB)

The plasma density variations above a semiconductor bridge (SCB) device employing a capacitor discharge firing set have been measured in vacuum (⩽10^-5 torr). A novel diagnostic technique using a microwave resonator probe was used to measure the resultant plasma density variations as a function of time. This method is superior to Langmuir probes in this application because Langmuir probe measurements are affected by sheath effects, small bridge area, and unknown fraction of multiple ions. Our experimental results indicate that the plasma density is observed to increase to a peak value of 5.5× 10¹¹ cm^-3 and decay exponentially with time, which is consistent with diffusion dominating the plasma transport. The time needed for reaching the peak plasma density is about 1.6 μs, which is the duration of the late time discharge of an SCB device     

半导体桥火工品的防静电和防射频技术

对电火工品及半导体桥火工品防静电、防射频的常用方法进行了分析和概述,防静电方法主要是采用绝缘环或者泄放通道,防射频方法主要是采用屏蔽和低通滤波器。指出了现有常用技术存在的问题和今后的发展方向,认为现有方法无法完全泄放杂散静电、很难做到无缝隙屏蔽,或会增加火工品体积和质量。利用微电子保护电路,是半导体桥火工品静电和射频防护技术未来的发展方向。