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设计了一个可用于0.5T 小型关节MRI仪器中的低噪声前置放大器,给出了一种低场MRI仪器中LNA制作的可行方案。放大器采用两级级联的形式,第1级采用高电子迁移率晶体管ATF 54143,第2级采用双极型达林顿管ADA 4743。经过测试,所制作放大器的性能指标达到了预定要求,性能良好。放大器的工作频段为18~23 MHz,中心频率处噪声系数NF≈0.6 dB,增益G≈40 dB,带内波动小于1 dB,输入驻波比VSWR≤1.5,输出驻波比VSWR≤1.5。 相似文献
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本文基TSMC 0.25微米CM0S工艺,设计了一个应用于2.4GHZ ISM频段的低噪声放大器,电路采用电流复用技术的差分电路,应用inductive source degeneration方法实现LNA的输入阻抗为50 Q,从而和前级的滤波器实现最大的功率传输.设计结果:低噪声放大器的噪声(NF)达到1.2dB,功率增益为22 dB,线性度(ⅡP3)-8dBm,输入返回损耗(S11)-36.8dB,输出返回损耗(S22)-31.6dB. 相似文献
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本文介绍了用于P波段高温超导滤波系统的低温低噪声级联放大器的研制以及低温系统调谐方法和测试方法。低噪声放大器采用Agilent ATF-54143高电子迁移率场效应晶体管,集总参数元件进行设计,引入源级负反馈与有耗电阻提高稳定性,选用П型输入匹配网络,扩展带宽,满足直流偏置的要求。制备的低温低噪声放大器在70K温度下,工作频段为450-550MHz,两级放大电路噪声低于0.5dB,输入驻波比优于1.3,增益29.2±0.3dB。采用了两极供电系统以方便在70K的条件下对滤波系统进行调节,使得前级滤波器和低噪声放大器获得较好匹配,最终系统输入驻波比优于1.3,增益27±0.1dB,带宽15MHz,系统噪声小于0.6dB。 相似文献
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射频宽带低噪声放大器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了射频宽带放大器的设计原理及流程。设计实现的射频宽带低噪声放大器,采用分立器件和微带线匹配,选用Agilent公司生产的低噪声增强赝配高电子迁移率晶体管ATF-551M4,用ADS软件进行设计、仿真和优化,实现了在1.1GHz~2.2GHz范围内,增益24dB以上,噪声系数小于1.2dB的两级宽带低噪声放大器设计。由于设计频带覆盖了多个通信常用频点,因此决定此低噪声放大器的应用会十分广泛。最后利用ProtelDXP软件对电路进行了版图设计,并在FR4基板上实现了该设计,给出了实测结果。 相似文献
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根据DCS1800和PCS1900的系统指标要求,采用全差分源级退化电感和共源共栅结构设计了一款适用于DCS1800/PCS1900双频手持设备的低噪声放大器电路并实现了高增益、低增益和旁路三种工作模式。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明:在双频模式下,该低噪声放大器电路的最大电压增益分别是20.3dB和20.9dB,最小噪声系数分别是1.6dB和1.63dB,在1.8V电源电压下电流为5.5mA。 相似文献
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基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了宽带直流放大器,该放大器具有增益可程控、功率高、频带宽、带宽可选择等特点。输入级采用两级AD603级联,以提高增益控制范围;中间级采用分立元件制作了高输出功率放大器,输出级设计了两路通频带分别为0~5MHz以及0~10MHz的低通滤波器实现带宽的可预置,通过51单片机可以对放大器增益和带宽进行控制。此外对提高直流放大器的各种性能指标提出了多种具体措施,在自动化要求较高的系统中具有很好的实用性。 相似文献