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一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法 总被引:8,自引:1,他引:8
提出了一种无需施加磁场、利用发射电流衰减速度测量真空开关灭弧室真空度的新方法。首先利用500μA发射电流对触头表面轰击,除去触头表面上多余的分子吸附层。然后利用35μA发射电流与触头间残余气体分子的碰撞电离,形成离子流。离子流又撞击触头表面,被表面捕获,形成新增吸附层。这些新增吸附层的存在会增大触头材料逸出功,导致发射电流的衰减。真空度不同,发射电流的衰减速度就不同,故在发射电流衰减量一定的条件下,通过检测发射电流衰减时间就可以测量灭弧室内的真空度。文中通过理论分析,给出了发射电流衰减时间与真空度的关系并进行了实验验证。 相似文献
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电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了CuCrTe和CuCrWTe真空触头经长时间电弧作用后的表面熔化层显微组织及成分的变化。金相和扫描电镜分析表明:CuCrTe触头表面局部存在溅射坑点,熔化层厚度为0~70μm左右,Cr沉淀析出相的粒度为1~5μm左右;CuCrWTe触头表面平整,熔化层厚度约为10μm左右,CrW沉淀析出相粒度小于1μm。能谱成分分析表明:触头熔化层中Cu成分含量显著低于其原始成分含量。耐压试验表明:电弧作用和在CuCrTe材料中添加一定量的W,均可显著提高其耐压性能。 相似文献
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在运行条件许可的场合,降低触头厚度,是低压电器触头(85%Ag-15?O)节约用银的有效措施之一。以粉末压制和烧结触头为基础的普通粉末冶金工艺,还不能稳定地获取厚度小于1毫米,并且在显微组织,机械物理性能,以及工作层和银底层厚度方面完全满足(?)OCT19725-74要求的双金属触头。高性能和精密尺寸的薄层Ag-CdO双金属触头,能够由轧材冲制或冲裁。在这种工艺条件下,对矩形触头材料利用率为80~ 相似文献
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采用粉末冶金法制备了基体材料为纯铜、表面覆银的高压隔离开关触头材料。通过对触头表面粉末冶金覆银层和电镀银层的耐蚀性、耐硫性、附着强度和表面硬度对比实验,分析研究了应用粉末冶金技术制备高压隔离开关触头材料的可行性。实验结果表明,粉末冶金法制备的覆银层与基体铜的界面结合紧密且无明显缺陷,附着强度符合GB/T 5270—2005的要求,粉末冶金覆银层的耐蚀性接近电镀银层的耐蚀性,耐硫性与电镀银层的耐硫性基本相当,但表面硬度明显高于电镀银层,对提高其耐磨性具有一定的促进作用。研究表明,粉末冶金技术制备高压开关触头的方法理论上是可行的,但实际应用还需要进一步的工程应用研究。 相似文献
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设计了一种新型真空灭弧室线圈式纵向磁场触头结构,这种不对称式结构中,静触头具有两层以串联方式相连接的线圈,而动触头侧无任何线圈,使动触头结构大为简化,机械强度得以加强,而动触头质量的减轻将有利于触头开断速度的提高。利用有限元方法建立三维结构模型并仿真,在电流分别处于峰值和电流过零时,得出静触头表面、触头间隙中心平面和动触头表面上的纵向磁场分布以及纵向磁场的滞后时间。仿真结果表明,该不对称式触头结构具有较强的纵向磁场,电流过零后的剩余磁场小、滞后时间短,且导电回路电阻较小。 相似文献
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1.引言用一般的粉末冶金法和等离子喷涂技术制备的触头材料,其电弧特性在商用真空断路器中作了研究。操作次数达100,000次的试验结果显示,截流有相同的水平,开断大电流的能力也基本相同。等离子喷涂材料其介电强度为负的影响。等离子喷涂能在形成的触头上复盖一层触头材料,使真空断路器 相似文献
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大电流触头及端子的温升 总被引:1,自引:0,他引:1
研究大电流电器时,考虑触头及周围环境的性质,预计触头和端子的温升是很重要的。本文叙述一个用一般方法预计触头和导体温升的方法,考虑了触头的物理和几何特性(尺寸、金属和复盖层的性质、压力等)、端部有触头的母线的物理和几何特性、触头周围流体(液体或气体)的物理特性(热传导率、粘度、密度等)、冷却过程(传导、强迫对流、自然对流、辐射)等参数的情况,所导出的方程可以直接预知任何参数对触头温升以及沿端部有触头的母线温度分布的影响。 相似文献
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1前言在小功率电器中,应用动、静触头,一般设计成动触头工作面为半球面型,静触头为平面型,以利于调整接触状态。由于在通断过程中,动触头易于报蚀,常将动触头银层厚度增厚一些;为避免材料发生转移,采用同一种材质的触头材料颇为合适,如目前大多数采用银合金与铜复合铆钉型。在实际应用中,由于球面对平面在起始阶段成点接触,在接触点上的电流较为集中,电流密度大,很容易使点接触受到破坏,而形成多点或平面接触,如触头闭合不发生机械颤动或小电弧,平面多点接触会有利于降低触头工作面上接触点的电流密度,从而减轻触头的损蚀… 相似文献