浮区法生长Yb3Fe5O12晶体及其磁光特性

用移动熔剂浮区法研究从Yb_2O_3-Fe_2O_3体系中生长Yb_3Fe_5O_(12)的可能性,分析了Yb_3Fe_5O_(12)为唯一固相区域内的大致相关系。找出了合适的助熔剂配比(Yb_2O_3: Fe_2O_3=20:80)及晶体的生长条件。并生长出了Yb_3Fe_5O_(12)单晶。测量了诙晶体的磁光性能,在λ>1.3μm时,其Faraday旋转角θ_F不随波长增加而改变。同时,在Y_3Fe_5O_(12)中掺入Yb可得到θ_F的温度系数为零的晶体。     

光纤电流传感器与掺Bi磁光石榴石薄膜

掺Bi磁光石榴石簿膜具有强的法拉第效应而应用于光纤电流传感器。本文介绍了掺Bi石榴石薄膜光纤电流传感器的基本特性、液相升延生长制备方法,以及获得高温度稳定Ve的方法。     

Ni掺杂对铋层状钙钛矿Bi_6Fe_2Ti_3O_(18)薄膜微结构及铁电性能的影响

利用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片上制备了Bi_6Fe_(2–x)Ni_xTi_3O_(18)(x=0,0.5,1.0,1.5)薄膜,研究了不同Ni掺杂量对Bi_6Fe_2Ti_3O_(18)薄膜微结构和铁电性能的影响。X射线衍射和Raman光谱测试结果表明:当Ni掺杂量x=1.5时,薄膜仍能保持单相结构,晶格畸变和薄膜压应力随Ni掺杂量分别逐渐增大和减小。Ni掺杂薄膜具有Aurivillius相陶瓷材料典型的不规则扁平状颗粒。随着Ni掺杂量逐渐增加,薄膜的P_s和P_r先增大后减小,而Ec和漏电流逐渐增大。Ni掺杂导致的Bi_6Fe_2Ti_3O_(18)薄膜晶格畸变增加,薄膜压应力减小和氧空位浓度增加是引起薄膜铁电性能变化的主要原因。     

YIG磁光陶瓷烧结研究进展

钇铁石榴石(Y_3Fe_5O_(12))是稀土石榴石材料中发现最早、研究最透彻、应用最广泛的一种。文章介绍了近几十年来钇铁石榴石(YIG)多晶陶瓷在烧结方面的主要研究发现和进展,进一步说明YIG材料对未来磁光学领域作出巨大贡献的可能性。     

Bi掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及压敏性能

以溶胶-凝胶法在Si(100)基底上制备了Ca_(1-3x/2)Bi_xCu_3Ti_4O_(12)(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1 h可形成多晶CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)相。SEM显示Bi离子掺杂使CCTO晶粒异常生长。通过压敏电阻测试仪分析了CBCTO薄膜的压敏电阻特性,所有样品均呈现明显的非线性特性,用双肖特基势垒模型进行了充分说明。Ca_(0.925)Bi_(0.05)Cu_3Ti_4O_(12)(x=0.050)薄膜具有最小的电位梯度与最小的漏电流,可良好应用在低压压敏电阻开关等领域。     

Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结的原位制备及其光化学性能研究

利用Bi_4Ti_3O_(12)和TiO_2的结构相似性,以TiO_2纳米片为原料,用水热法制备了Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜和高分辨透射电镜等证实了异质结结构的形成。可见光催化反应活性的表征说明Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结结构相较于TiO_2或Bi_4Ti_3O_(12)性能有明显提高,光电化学表征进一步证实Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结结构能有效促进光生电子-空穴对的分离。实验结果还表明,这种增强作用与两相的比例密切相关,并通过控制两相比例对性能进行了优化。     

化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究

报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为6～9Ω·cm的n型Si(100)衬底上生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单,成本低,制备的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有较低的结晶温度,且薄膜均匀,致密,无裂纹。在650℃下退火30min时得到的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性,薄膜的剩余极化Pr＝4.9μC/cm2,矫顽电场Ec＝87kV/cm。     

Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体的水热合成与表征

以分析纯的Bi(NO_3)_3·5H_2O,ZnO和Nb_2O_5为初始原料,KOH为矿化剂,采用水热法合成立方焦绿石结构的Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7纳米粉体。通过XRD分析其物相组成,TEM分析其形貌和尺寸,Scherrer公式计算其晶粒的大小。结果表明,在KOH浓度为1.8mol/L,温度为180～220℃反应6～48h,可以合成立方焦绿石结构的Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7纳米粉体,粉体颗粒尺寸约30～50nm,形貌呈较为规则的颗粒状。合成温度和反应时间对合成粉体的物相和粒径都有一定的影响,并讨论了水热法合成Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7纳米粉体的机理。     

彩色电视显象管的屏与锥体的封接玻璃

本文提供的玻璃组成,系用于彩色电视显象管的屏与锥体的封接。对此类玻璃有下列要求:熔化温度与结晶温度均须低;封接玻璃、显象管的屏与锥体三者的热膨胀系数均应相近。 众所周知,软化温度为385℃的PbO-B_2O_3-ZnO-SiO_2系统的玻璃能满足上述要求。但其结晶温度为450℃,因此,借助这种玻璃所进行的封接过程必须在较高的温度下方能实现。为了提高显象管的成品率,则应降低封接玻璃的结晶温度。 本文提出的玻璃,其封接过程的操作可在相当低的温度下(20～25℃)进行,并具有与显象管的屏和锥体相近的热膨胀系数。此种封接玻璃为SiO_2-Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO-PbO系统,其软化温度为330℃,结晶温度为425～430℃,热膨胀系数(0～430℃范围内)为(90～100)×10~(-7)/℃,组成如下(重量％):PbO65～70,Bi_2O_34～10(PbO+Bi_2O_370～76),B_2O_3-12,ZnO12.5～15,SiO_20.5～1.5,R_2O(Na_2O,K_2O,Li_2O)0.2～1.5,全部组分的总含量为99％。     

添加Al_2O_3对ZrO_2(Y_2O_3)粉末性能的影响

采用化学共沉淀法制备了ZrO_2(Y_2O_3)和ZrO_2(Y_2O_3)/Al_2O_3超细粉末,研究了添加Al_2O_3对粉末性能的影响.添加Al_2O_3.提高了t—ZrO_2的结晶化温度,抑制了ZrO_2晶粒生长.使ZrO_2粒子得以细化.添加Al_2O_3.还提高了介稳t—ZrO_2的稳定性,有效抑制了t—ZrO_2→m-ZrO_2相变.Al_2O_3添加量超过20wt%时.粉末烧结活性降低,烧结温度提高.     

化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究

报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为 6～ 9Ω·cm的 n型 Si( 1 0 0 )衬底上生长 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单 ,成本低 ,制备的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有较低的结晶温度 ,且薄膜均匀 ,致密 ,无裂纹。在 650°C下退火 30 min时得到的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性 ,薄膜的剩余极化 Pr=4.9μC/cm2 ,矫顽电场 Ec=87k V/cm     

La~(3+)、Nd~(3+)掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)纳米薄膜铁电和介电性能的优化（英文）

采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)衬底上制备出Bi_4Ti_3O_(12)及其La~(3+)、Nd~(3+)掺杂系列铁电薄膜Bi3.5(La/Nd)_(0.5)Ti_3O_(12),并对其相组成、微观结构、铁电和介电性能进行了研究。X射线衍射谱和SEM综合显示,薄膜均匀、致密,呈随机取向的多晶钙钛矿结构。铁电和介电性能研究表明:其掺杂系列较未掺杂薄膜具有更优异的极化行为和矩形度(剩余极化强度Pr从9.35μC/cm2增至15.53和26.24μC/cm2)、更低的漏电流密度(从10-4 A/cm2降至10-6 A/cm2甚至10-9 A/cm2)和更高的介电常数,但同时介电损耗也逐渐增加(高频段时tanδ从0.02增至0.10和0.25)。     

(100)择优取向对0.935Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-0.065BaTiO_3-0.01Al_6Bi_2O_(12)无铅压电薄膜的结构和性能影响

通过激光脉冲沉积技术(PLD)在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(简称Pt)和具有LaNiO_3缓冲层的Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(简称LNO/Pt)两种衬底上制备了0.935Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-0.065BaTiO_3-0.01Al_6Bi_2O_(12)(简称BNT-BT-AB)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜和铁电分析仪等对薄膜的结构和性能进行了测试和表征。结果表明:Pt衬底上BNT-BT-AB薄膜为随机取向,晶粒形貌为立方块状,剩余极化强度2P_r=20.38μC/cm~2,介电可调为19%,局部有效压电系数d~*_(33)为130pm/V;LNO/Pt衬底上BNT-BT-AB薄膜呈现高度的(100)择优取向,薄膜表面平整,剩余极化强度2P_r=21.25μC/cm~2,介电常数(700)和介电可调性(23%)均大于随机取向薄膜,d~*_(33)提高到150pm/V。     

Fe3O4@SiO2@IPDI-HEA改性水性有机硅聚氨酯光固化膜的性能

以Fe_3O_4纳米粒子为核、丙烯酸酯为壳,通过溶剂热法制备了Fe_3O_4@SiO_2@IPDI-HEA纳米粒子。通过IR、TEM和XRD对其结构进行了表征,通过光差热扫描(photo-DSC)和TGA考察了该纳米粒子对水性有机硅聚氨酯光固化体系性能的影响。结果表明:Fe_3O_4@SiO_2@IPDI-HEA粒子的加入,对体系的光聚合性能没有明显影响,但可明显提高固化膜的耐热性和拉伸强度,当Fe_3O_4@SiO_2@IPDI-HEA的质量分数为1.5%时,固化膜的初始分解温度(T5%)增加了21.9℃,拉伸强度增加了6.9MPa。并且,Fe_3O_4@SiO_2@IPDI-HEA可以赋予光固化膜一定的电磁性能,当频率在0～(1×10~7) Hz内时,其介电常数均在4以上。     

剥离蒙脱石表面原位构建Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)SiO_(5)异质结及其光催化活性EI北大核心CSCD

采用一步法,在剥离蒙脱石表面原位构建了Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)SiO_(5)异质结,系统研究了其物相结构、微观形貌和光学特征。制备过程中,剥离蒙脱石除作为Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)SiO_(5)异质结生长的骨架,还可以作为硅源得到Bi_(2)SiO_(5)。结果表明:与纯α-Bi_(2)O_(3)相比,在模拟太阳光的照射下,Bi_(2)O_(3)/Bi_(2)SiO_(5)异质结表现出对罗丹明B有优良降解性能,这主要是由于Bi_(2)O_(3)与Bi_(2)SiO_(5)之间形成的p-n结以及高的比表面积所引起的。此外,还提出了光催化反应机理。本工作提供了一种构建低成本污染物降解催化剂的新方法,拓展了蒙脱石的新应用。     

Li4Ti5O12/Fe3O4复合材料的制备及其电化学性能

以醋酸锂和钛酸四正丁酯为原料,制备了纯相Li_4Ti_5O_(12),再用简单的水热法合成Li_4Ti_5O_(12)/Fe_3O_4复合材料作为锂离子电池的负极材料,通过XRD、SEM以及电池测试系统对纯相Li_4Ti_5O_(12)和Li_4Ti_5O_(12)/Fe_3O_4复合材料进行了结构、形貌及电化学性能测试。结果表明,制得的复合物具有较好的球形结构且粒径较小(200～300 nm),综合电化学性能较好。由于复合的Fe_3O_4有较高的理论容量,该Li_4Ti_5O_(12)/Fe_3O_4复合材料表现出比纯相Li_4Ti_5O_(12)大的容量,在1.0 C下循环100圈后,Li_4Ti_5O_(12)/Fe_3O_4的放电比容量仍能达到470.2 m A·h/g,同时也表现出比纯相Li_4Ti_5O_(12)更优的倍率性能。     

铁磁玻璃的制备

薄带状强铁磁氧化物玻璃已能制造。通过在快速旋转的金属滚轮上迅速淬冷非铁磁化合物BiFeO_3(钙钛矿结构,TN=645k)和ZnFeO_4(尖晶不结构、TN=9.5K)的液态混合物而得到。用这种方法获得的玻璃,在屋里温度接近450K时,可以认为是铁磁的,而不是非铁磁的。该材料的磁饱和强度取决于组成,当组成为(Bi_2O_3)_(0.3)(ZnO)_(0.2)(Fe_2O_3)_(0.5)时,室温下可达到17emu/y。当温度近似居里温度时该产物的磁化强度对温度曲线与标准的铁磁性有区别。当退火温度高于结晶温度(大约700K)玻璃形     

化学迁移反应及其工程应用

<正> 化学迁移反应(CTR):早在十九世纪中叶,Bunsen在叙述火山喷气中含HCl时,提到过Fe_2O_3能随HCl发生迁移。这一迁移基于如下的一个可逆反应: Fe_2O_3(固)+HCl(气)(?)2FeCl_3(气)+3H_2O(气) Fe_2O_3在高温下被HCl所氯化,生成了挥发性的FeCl_3,而当温度降低时,生成的FeCl_3又可重新变成Fe_2O_3。这样,Fe_2O_3就发生了一个从原固相混合物所在的“区域”(源区)到新的“区域”(淀积区或还原区)的迁移过程。在这一过程中,迁移的物质对象是     

Fe3O4-CNTs复合物的制备及载药效果

为充分利用Fe_3O_4和碳纳米管(CNTs)在靶向和载药方面的性能优势,采用化学原位沉积法制备了Fe_3O_4-CNTs磁靶向复合物,并通过物理法分别负载了阿司匹林(ASA)、庆大霉素(GM)和阿霉素(DOX)。通过CNTs上Fe_3O_4纳米粒子沉积情况来优化铁盐与CNTs不同质量比,通过单因素实验考察负载时间、负载温度、原料质量比对Fe_3O_4-CNTs载药量的影响。实验结果表明,当铁盐与CNTs质量比为4.5∶7.0时,Fe_3O_4颗粒均匀生长在CNTs表面,Fe_3O_4-CNTs复合物具有较好磁性;Fe_3O_4-CNTs复合物负载ASA时,在CNTs与ASA的质量比为1∶4、负载时间为120 min、负载温度为40℃条件下,最高载药量为4.85%;Fe_3O_4-CNTs复合物负载GM时,在CNTs与GM质量比为1∶4、负载时间为150 min、负载温度为30℃条件下,最高载药量为45.04%; Fe_3O_4-CNTs复合物负载DOX时,在CNTs与DOX的质量比为1.0∶1.5、负载时间为180 min、负载温度为30℃条件下,最高载药量为17.02%。     

Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)薄膜制备与表征

在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜的结晶效果最好,且在其表面可成长出独立晶粒分布状态;x为0.5时薄膜的剩余极化强度2Pr=53.5μC/cm2、矫顽场2Ec=144.2 k V/cm,此时薄膜的铁电性能相对最佳;该系列薄膜的介电常数介于37~100,介电损失相对偏高,介于0.7~1.0;所有薄膜的漏电流均随外加电压的增加而逐渐增大,其中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜漏电流最小,外加电压为10 V时其值约为3.88×10-6A。