晶体硅铸锭用氮化硅涂层失效机理及改性研究

氮化硅涂层是多晶硅铸锭必不可少的脱模剂,新型高效多晶硅铸锭对氮化硅涂层提出更高的要求。重点研究了氮化硅涂层在新型高效多晶硅铸锭过程中的失效机理,结果显示,氮化硅的碳化是导致氮化硅涂层与硅熔体间非浸润性降低,以及氮化硅涂层失效的主要原因。采用改进的溶胶-凝胶法（Sol-Gel）结合表面无碳处理制备增强型氮化硅涂层,该涂层在铸锭实验中显示出较高的强度及与硅熔体间良好的非浸润性,能够很好地满足新型高效多晶硅对氮化硅涂层的要求。     

氮化硅及其微粉的制备

氮化硅陶瓷以其优异的性能被用来制作发动机元件、刀具、轴承等器件。本文主要介绍了氮化硅的性能、应用范围以及硅粉直接氮化法、SiO2还原氮化法、液相法、气相法等氮化硅微粉的制备方法。提出要批量生产Si3N4粉体，应从产品质量高、成本低和生产规模大等几个基本原则加以综合考虑。     

氮化硅粉末制备新技术

本文介绍了氮化硅陶瓷对氮化硅粉末烧结原料的特性要求，述评了SiO2还系氮化法，硅亚胺热分解法、高温气相反应法，激光气相反应法和等离子体气相反应法等五种氮化硅粉末的制备新技术。     

二氯二氢硅综合应用研究进展

详述了二氯二氢硅与四氯化硅进行反歧化反应制备三氯氢硅技术的研究进展,简述了二氯二氢硅在制备多晶硅、硅烷气、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜中的应用。     

硅铝化合物技术资料(译文要目)

1992年第五期‘总第了0期)微小球状二_氧化硅的制法结晶片状碱金属硅酸盐制法以状硅酸盐的生产方法及其应用氮化硅粉末的制法真空炉法生产氮化硅针斗溶胶从铝土矿中回收氧化铝时分离红泥的方法1992年第六期(总第71期)制备造纸用水合硅酸填充剂的方法稳定的硅酸镁或硅铝酸盐溶胶的制备二氧化硅原料的制造方法A型沸石的中和方法ZH型碳化硅微粉的制造方法在流化床中生产氮化铝颗粒生产碱式聚合硫酸铝溶液的方法高纯度氮化铝粉末的制造方法1993年第一期(总第72期)球形二氧化硅颗粒的制备二氧化硅粒子的制造方法l汽纯度易馆二氧化硅的生产方法…     

多晶硅生产中硅芯氧化问题探究

改良西门子法生产多晶硅中硅芯是多晶硅生长的载体,硅芯氧化会降低多晶硅产品品质,硅芯氧化的产品对下游铸锭、直拉均有不同程度的影响。目前硅芯氧化是影响多晶硅产品质量的一大问题。分析了硅芯氧化机理,针对相关因素开展了试验,提出了降低硅芯氧化率的措施。     

多晶硅制备工艺及发展趋势

简述了国内外多晶硅生产工艺的发展和现状,对比分析了各种多晶硅制备方法在产能、能耗及环境友好特性等方面的特点及其发展趋势。提出目前多晶硅制备技术主要有3个发展方向：①不断改进西门子工艺,包括尾气分离,四氯化硅氢化制备三氯氢硅,改进还原炉结构,加大炉体直径以提高产量、降低成本,三氯氢硅及氢气的纯化;②不断完善流态化技术方法,包括降低反应器内壁面上的硅沉积、减少无定形硅粉的形成、硅烷制备技术的改善;③不断完善冶金法工艺体系,包括提高产品纯度、减少杂质含量的波动性。     

四氯化硅制备三氯氢硅技术研究进展

阐述了多晶硅行业的生产背景和现状,概述了由四氯化硅和二氯二氢硅反歧化反应制备三氯氢硅的反歧化方法和四氯化硅氢化制备三氯氢硅的氢化方法,氢化方法主要包括热氢化法、低温催化氢化法、冷氢化法、氯氢化法、等离子体氢化法等,重点归纳了新型氢化技术低温催化氢化法,并介绍了反歧化方法和多种氢化方法在多晶硅生产过程中的应用,通过对各种方法综合性的分类与讨论,指出了现存方法的优缺点,并对各种方法的应用前景进行了展望。     

氮化硅及其微粉的制备

对氮化硅的性能、应用及氮化硅微粉的制备技术等作了较详细的论述。     

燃烧合成法制备高韧性氮化硅材料

用硅粉及氮气为原料以燃烧合成法制备β－氮化硅粉。如将其细碎，灾些粉末的密度可以烧结至理论密度的９９％以上，而且具有极高断裂韧度。本文证实如选择合适的烧结环境，也可将β－相就地强化形成氮化硅。文中还探讨了烧结温度、压力、保温时间及冷却速度的影响。     

聚氨酯/微米Si_3N_4复合材料的性能研究

对聚氨酯/微米Si3N4复合材料的性能进行了研究,实验表明：聚氨酯/Si3N4复合材料具有优异的性能,聚氨酯/微米Si3N4复合材料,其硬度、力学性能和抗冲蚀磨损性能比纯聚氨酯优异;在微米Si3N4含量为3%时,其硬度、力学性能最佳;在微米SiN含量为5%时,其抗冲蚀磨损性能最佳。     

Ni/Si_3N_4金属陶瓷粉体的制备与表征

以Si3N4,NiCl2和水合肼(N2H4·H2O)为原料,采用非匀相形核工艺,在Si3N4的表面包覆一层金属Ni,得到了Ni包裹Si3N4金属陶瓷复合粉体。利用X射线衍射(XRD)确定了样品的相组成,利用透射电子显微镜(TEM)观察了样品的微观结构,用能谱仪(EDS)表征了粉体中的元素分布。研究发现,在pH值为11时,可以制得均匀的包覆粉体,复合粉体的的形貌基本上是类球形。     

氮化硅浆料的胶体特性研究

本文研究了Si3N4浆料的胶体特性,结果表明:Si3N4悬浮粒子的等电点(isoelectric point,简称IEP)在pH=4.2处.分散介质的离子强度影响Si3N4粒子的Zeta电位.分散剂的引入有效地提高Si3N4粒子的Zeta电位,并引起IEP的位移.粉体经不同工艺的预处理后IEP均发生不同程度的位移.X光电子能谱(XPS)分析表面组成发现其IEP的位移与Si3N4粉体表面的氧化程度有关.同时,对Si3N4浆料在不同条件下的分散性进行了考察,表明其分散性与胶体特性具有很好的一致性.     

纳米Si3N4—SiC复相陶瓷显微结构

本文系统地研究了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷显微结构,观测了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷中Si_3N_4、SiC粒子晶粒尺寸,研究了复合在Si_3N_4晶粒内和晶界上的SiC粒子分布情况及Si_3N_4与SiC、Si_3N_4间的相界面。     

Si3N4／环氧树脂导热复合材料制备和性能研究

采用硅烷偶联剂KH-550对氮化硅（β—Si3N4）进行表面处理,浇注制备氮化硅／环氧树脂（Si3N4／EP-828）复合材料,研究了Si3N4粒径、用量和表面改性对复合材料导热性能和力学性能的影响。结果表明,Si3N4／EP-828的导热性能随Si3N4用量的增加而提高,当Si3N4体积分数为30％时,热导率为0．83W／mK,为纯环氧树脂4倍多;力学性能则随Si3N4用量的增加先增大后降低。表面改性有助于进一步提高复合材料的导热性能和力学性能。初步分析表明,Si3N4／EP-828热导率与Si3N4形成的导热网链和Si-O-Si键导热骨架有关。     

稀土氧化物在氮化硅陶瓷中应用的研究进展

简要论述了稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用研究概况,介绍了单一稀土氧化物以及复合掺杂稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用进展,并比较了它们对氮化硅陶瓷材料性能的影响;最后对稀土氧化物在氮化硅陶瓷材料中的应用前景作了简单分析和展望.     

Si3N4／SiC纳米复相陶瓷研究进展

本文综述了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ纳米复相陶瓷的研究进展,较详细地介绍了纳米粉体的制备工艺及热处理研究、复相陶瓷的制备工艺、力学性能、微观结构及增韧强化机理。     

流延法在Si3N4块体及Si3N4/BN层状材料制备中的应用

本采用流延法制备了Si3N4块体及Si3N4/BN层状材料,流延法已经在陶瓷的制备工艺中得到了广泛的应用,但是很少用于Si3N4体系,尤其是水基流延法。用流法制备Si3N4/BN层状材料时,可以较为容易地控制坯片的厚度,得到性能稳定的层状材料。     

热处理对纳米Si-C-N粉在水中的分散和电动特性的影响

对激光法制备的纳米Si-C-N粉在非空气气氛和空气气氛的环境下进行了热处理,表征了粉体表面成分的变化,研究了粉体在水中的分散行为和电动特性.结果表明:在真空和氮气中处理的粉体的分散性和稳定性较差,而适度氧化的粉体则具有较好的分散性和稳定性.在空气气氛下处理的粉体具有较低的等电点和对分散剂PAA更好的吸附能力.     

Si3N4含量对Si3N4-SiC材料腐蚀性能的影响

利用Si3N4—SiC材料在冰晶石静态融盐电解质中的腐蚀实验研究材料的腐蚀性能,对腐蚀增重率进行记录分析,Si3N4的含量是影响材料腐蚀性能的重要因素,根据实验测定得出Si3N4的含量越高,Si3N4-SiC材料腐蚀程度越严重。