耐火级氮化硅粉末的球磨特性

研究了耐火级氮化硅粉末的球磨性能,起始耐火级氨化硅粉末中含有大量的柱状β－Si_3N_4颗粒,其球磨性能差于常用的α－Si_3N_4。粉料,球磨相同时间仍残留有大量不利于烧结的柱状颗粒,但是通过延长球磨时间可以得到由球状颗粒组成的粉料,而延长球磨时间对起始粉料中的氧含量和杂质含量影响较小。     

液体介质对氮化硅粉料表面基团和悬浮特性的影响

利用漫反射Fourier变换红外光谱（DRIFT）技术,研究了液体介质（水,乙醇和丙酮）对氮化硅粉料表面基团的改变和对其悬浮特性的影响。结果表明,氮化硅粉料在不同的液体介质中球磨中,粉料的表面基团和悬浮特性的变化各不相同,去离子水介质球磨的粉料,颗粒表面的Si-OH基团消失,Si-O-Si和Si-H基因数量减少,使粉料的悬浮特性有所提高,乙醇介质中处理的氮化硅粉料,颗粒表面生成稳定的Si-O-C-R表面官能团,使粉料的悬浮性能降低,丙酮介质中处理的氮化硅粉料,在颗粒表面生成Si…0＝C/(CH3)2基因,使粉料在水中的分散性大为下降,这种键合不稳定,在200℃干燥时大部分会断开消失,少量键合转变成稳定的Si-O-C-R形成;3种液体介质球磨改性的粉料,在600℃,6h煅烧之后,其DRIFT谱图基本相同,同时表现出几乎相同的流变特性。     

机械力活化合成超细ZrSiO4粉体及粉料的应用

把单斜晶系ＺｒＯ２和胶体ＳｉＯ２的混合料进行机械球磨，对混合料产生机械力活化作用，在较低温度（１２００℃）合成了超细的高活性ＺｒＳｉＯ４染料。研究了球磨时间对ＺｒＳｉＯ４生成率的影响。经１２０小时球磨的混合料，在１２００℃下煅烧后，ＺｒＳｉＯ４的生成率可达９５％以上。文中对合成的ＺｒＳｉＯ４粉料作为添加成分对一种陶瓷－金属封接料性能的影响进行了讨论。     

氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究

主要研究了各种球磨工艺参数在行星式球磨过程中对粉料的粒度及形貌的影响。由于超细粉碎过程中特有的团聚现象，当颗粒尺寸达到极限值时，进一步延长球磨时间，反而使球磨的效果变差，降低球磨效率。通过对氮化硅粉体行星球磨过程的分析，研究了不同球磨工艺参数(如料球比、球磨转数、球磨时间等)对氮化硅粉料球磨效果的影响，从而优化行星球磨工艺参数。     

氮化硅陶瓷连接工艺及结合强度研究

采用由Ｙ２Ｏ３,Ａｌ２Ｏ３,ＳｉＯ２和Ｓｉ３Ｎ４粉料配制的焊料对氮化硅陶瓷进行连接试验,探讨了组分、焊接温度、压力和保温时间对结合强度的影响规律。结果表明,结合层致密化程度结合强度的关键因素。随着焊料中α－Ｓｉ３Ｎ４含量的增加,结合强度先升后降,在较高的温度下纯液态玻璃焊料容易从结合层流失,而对于氮化硅－玻璃复合焊料,高温加速了α－Ｓｉ３Ｎ４和βＳｉ３Ｎ４转变的动力。合适的压力可以保证焊料具有良好     

亚微米氮化硅粉体的制备及表征

以自蔓延高温合成法合成的氮化硅粉料为原料,用搅拌球磨的方法对其进行超细粉碎,测试不同球磨工艺条件下粉料的粒度、形貌和XRD谱图,探讨不同球磨工艺参数对粉料粒度、形貌及晶格类型的影响,最终确定合适的搅拌球磨工艺参数。优化工艺参数:粉料与溶剂的质量比为1∶1,粉料与磨介的质量比为1∶3,最佳研磨时间为8~10 h。在此条件下,可将中位径为5μm左右的氮化硅粉料用搅拌球磨的方法制备得到中位经为0.719μm的粉料。     

L—G法合成微细氮化硅粉和晶须

用Ｌ－Ｇ法合成微细氮化硅粉和晶须，在１０００－１３００℃热分解，并在Ｎ２气氛中保温８小时，产品均为无定形Ｓｉ３Ｎ４粉。当热处理温度提高到１４００－１４５０℃，保温１－２小时，得到α－Ｓｉ３Ｎ４粉末。当热处理温度在１５００℃，保温３小时，得到α－Ｓｉ３Ｎ４晶须。无定形粉的粒径为０．０７－０．３μｍ，颗粒呈不规则的空心球，蜂窝状。α－Ｓｉ２Ｎ４粉颗粒呈等轴形，粒径为０．１μｍ左右。α－Ｓｉ２Ｎ４晶须尺     

(TiB2,TiN)-Si3N4基复合材料的性能及显微结构

研究第二相粒子的引入对氮化硅陶瓷材料性能和显微结构的影响,结果发现：ＴｉＮ粒子的引入;对材料能起到协同增韧的作用,而ＴｉＢ２粒子由于与氮化硅颗粒表面的ＳｉＯ２发生反应,导致复合材料不致密,引起力学性能下降。     

GPSZrO_2-Si_3N_4复合材料性能的研究

本文研究了ＧＰＳＺｒＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合材料的烧结性能、相组成、显微结构和力学性能。ＺｒＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合材料在１７７０～１８００℃,氮气压力分别为１ＭＰａ,２ＭＰａ,３ＭＰａ下烧成,获得相对密度＞９５％烧结体。实验结果表明：少量的工业ＺｒＯ２对氮化硅有助烧作用,增大氮气压力有利于改善氮化硅陶瓷材料的烧结性能和力学性能;ＺｒＯ２可提高氮化硅基体的断裂韧性,在３ＭＰａ下烧成条件下,添加１５％ＺｒＯ２的Ｓｉ３Ｎ４复合材料断裂韧性可达８．０８ＭＰａ．ｍ１／２,与基体相比提高２１．５％,第二相粒子增韧和微裂纹增韧为主要增韧机理。     

以NaN3作添加剂制取Si3N4晶须

用ＮａＮ３作添加剂,在０．５－１ＭＰａ的较低氮气压力下,以燃烧合成工艺,制取了柱状及针状氮化硅晶须。ＮａＮ３的分解不仅能够降低燃烧温度和氮气压力,提高氮化率及α－Ｓｉ３Ｎ４的含量,还能作为氮化硅晶须生长的催化剂。作为固态氮化剂加入的ＮａＮ３过多则易形成Ｎａ的硅酸盐,使产物纯度降低;而加入量不足,则不能实现完全氮化。推测燃烧合成的氮化硅晶须是通过气相沉积（ＶＣ）机制生长的。     

YTZ球磨介质

ＹＴＺ球磨介质日本ＮｉｋｋａＴＯ有限公司制造的球磨介质是居领先地位的，他们的产品包括ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ和其他等等介质材料。ＹＴＺ球磨介质是日本ＴＯＳＯｈ公司在多年发展陶瓷产品的实践经验基础上，采取特殊的工艺用Ｙ２Ｏ３和稳定的锆氧粉料试制成...     

Si3N4—SiC材料的生产与应用

本文通过对氮化硅结合碳化硅窑具材料生产的介绍,阐述了生产工艺流程、生产工艺原理,同时综述了氮化硅结合碳化硅窑具材料近几年在国内、欧洲及世界的世界的使用情况,作为现代窑具的替代产品,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ具有较强的生命力。     

反应结合O'Sialon和O'Sialon-SiC复合材料

在通氮气条件下,烧结硅粉制取氮化硅（Ｓｉ３Ｎ４）的工艺已沿用多年,它是生产氮化硅结合碳化硅复合陶瓷材料的基础。现在,开发出一种制取Ｏ’Ｓｉａｌｏｎ的新工艺,可以反应结合碳化硅制取Ｏ’ＳｉａｌｏｎＳｉＣ复合陶瓷材料。Ｏ’Ｓｉａｌｏｎ（Ｓｉ２－ｘＡｌｘＯ１＋ｘＮ２－ｘ,ｘ＝０～０．４）与氧氮化硅（Ｓｉ２ＯＮ２）结构相同,是由Ａｌ和Ｏ取代其中的Ｓｉ和Ｎ而形成的固溶体。其中Ａｌ、Ｏ的量随温度升高而增多,１６００℃时,ｘ取０～０．２;１９００℃时,ｘ为０．４。新工艺是在通Ｎ２条件下,烧结硅、二氧化…     

Si3N4—SiC材料的生产与应用

本文通过氮化硅结合碳化硅窑具材料生产的介绍,阐述了生产工艺流程,生产工艺原理及生产技术,同时综述了氮化硅结合碳化硅窑具材料近几年在国内,欧洲及世界的使用情况,作了为现代窑具的替代产品,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ具有较强的生命力。     

氮化硅陶瓷粉料造粒的研究进展

氮化硅陶瓷具有高强度、高硬度、良好的断裂韧性等优异力学性能,并具有独特的自润滑性能,而日益受到重视.氮化硅陶瓷粉料是制备氮化硅陶瓷的关键原料,粉料的处理方式是影响陶瓷性能的关键步骤.本文介绍了目前较为常见的氮化硅陶瓷粉料的处理方法,并对各处理工艺的优缺点进行了分析,重点阐述了喷雾造粒工艺及其目前研究进展.最后分析了目前氮化硅粉料处理方法存在的问题,并对氮化硅粉料处理方法的发展提出了展望.     

球磨时间对β相氮化硅粉末及其烧结体特性的影响

对掺杂有Ｙ２Ｏ３的低纯度β－Ｓｉ３Ｎ４粉末进行了６至１００ｈ的球磨。调查了球磨时间对粉末和热压体各特性的影响。当球磨时间增加时，球磨粉末的平均粒度和微晶粒度减小，ＳｉＯ２碳、一些金属杂质和晶格变形增加，如果粉末表面重新形成，ＳｉＯ２的增加就可以被认为是由于球磨用液体中含的Ｈ２Ｏ发生机械化学反应所引起的。碳源来自球磨用液体和球磨容器两方面，Ａｌ和Ｍｇ的增加可以根据磨球的磨耗进行说明。由于球磨时间不同     

莫来石晶须的制备

采用化学法制备Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２粉料,在氟化物气相存在条件下经过高温合成制得均匀且长径比大的莫来石晶须。研究结果表明,莫来石晶须形成与生长机理为气－固反应机制;铝硅氟化物气相、Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２粉料细度、烧成温度及保温时间是制备莫来石晶须的重要工艺条件。     

AIN在SiC—AIN—Y2O3复相陶瓷中的作用

氮化铝相在ＳｉＣ－ＡＩＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷中起着至关重要的作用。在２０５０℃高温时，ＡＩＮ颗粒表面发生固相蒸发现象，并聚集到ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ陶瓷的晶界结构，使该复相材料具有良好的机械性能，其室温抗折强度为６１０ＭＰａ，这一强度可持续至１４００℃高温，断裂韧性达到８．１ＭＰａ．ｍ＾１／２。     

ZrO2（Y—TZP）和氮气压力对GPSSi3N4材料烧结性能的影响

本文研究了工业Ｚｒｏ２、Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）以及氮气大无畏对气氛加压烧结氮化硅陶瓷材料的烧结性能的影响。添加５，１０，１５，２０ｗｔ％ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ的氮化硅复合材料在１７７０－１８００℃，氮气压力分别为１ＭＰａ、２ＭＰａ、３ＭＰａ下烧成，获得相对密度〉９５％烧结体，少量的工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ对氮化硅有助烧作用，在同一氮气压力下烧成的Ｙ－ＴＺＰ－Ｓｉ３Ｎ４复合的烧结性能均高     

影响氮化硅制品显微结构及性能的因素

本文根据ＲＢＳＮ实验研究，探讨了氮气纯度、粉料处理、添加剂等对氮化硅制品烧结体显微结构及性能的影响。