水暖零件的抛磨光质量控制

水暖零件的抛磨光质量 ,直接影响电镀质量的好坏 ,故要重视水暖零件的抛磨光质量。　　一般镀装饰性镀层的产品 ,都需要磨光 ,使产品表面平整光亮 ,既美观 ,又能提高防腐作用。　　以往的磨光设备及工具 ,是硬质布轮 ,在表面用骨胶或水玻璃作为粘接剂 ,把磨料不规则地粘在硬质布轮表面 ,俗称叫“砂头” ,来对产品表面进行切削 ,由于粘接砂是不规则的排列 ,切削效率低 ,使用寿命短 ,一天要更换几十只“砂头” ,而且还要刮除余砂 ,重新再去粘接 ,再干燥 ,每天要浪费 1～ 2个工时 ,每次要刮余砂 ,“砂头”表面的平整度也较差 ,造成“砂头”平面…     

瓷质砖抛光污水的絮凝沉降净化处理

瓷质砖经刮平(铣平)定厚，粗、中、精抛及磨边倒角等一系列深加工后，成为价格适中，色彩丰富，平滑细腻及光亮如镜的抛光砖产品，深受消费者的青睐。然而在抛光砖的生产过程中，为了提高刀具(磨具)的使用寿命、产品质量及生产效率等，通常利用清水冷却刀具(磨具)，排除磨屑和清洗砖坯表面，因此在抛光砖     

瓷质砖抛光机电气控制电路的改进

瓷质砖自动抛光生产线的工艺单机中,刮平机和抛光机配用的电动机功率都在30kW以下,一般均采用直接启动。为了在线监控电动机的运行情况,防止单机的不当操作和电动机过载,通常在主电路中接入电流表,根据电流表的读数调整刮平机的磨削深度和抛光机的磨头压力．在不增加砖的破损率和电动机不过载的条件下,提高效率,增加产量。抛光机常用的电气控制线路如图1所示。     

施工工具的基础操作技术理论与培训、实习

一、玻璃刮刀玻璃刮刀,学名刮水器,俗名玻璃刮。是清洗玻璃、门窗及各种材料制成的墙面、地面、天花板、家具以及经过抛光处理的各种材质的平面、曲面及球型面的高效专用清洁工具之一,是专业公司快速、高效、优质施工的重要清洁保洁专用工具。     

陶瓷墙地砖生产管理与品质管理

（续上期） 10.2 解决办法 1)各工序^口发现有崩边、崩角砖时应及时向上一工序和班长反映,查出原因进行处理. 2)入机前崩角分3种:①烧成前成形、干燥、釉线碰边、崩边,崩口粗糙不光滑;②在叠放砖坯变形、压裂,出现此种情况时应及时通知相关负责人员并减少每摞砖叠放数量;③烧成后碰边、崩边,或执砖叉砖过程用力过大所致,崩口新而光滑. 3)线架、导轨、挡板造成,各工序清扫干净地面,发现地上有砖角、砖渣及时查找原因,协调线架与主机速度,将挡板、导轨调节适当. 4)刮平机崩角在两边时,应检查刮刀排列是否整齐,是否露出刀头沿边刮崩.     

镜面抛光技术的进展

在机械加工过程中,抛光加工技术作为末端加工工艺,可以明显改善机件表面的粗糙度及装饰效果。机件的表面质量直接影响整机设备的综合使用性能、精度保持性和使用寿命。不同的抛光加工工艺,获得的表面质量各有不同。通过对机械抛光技术、电化学抛光技术和超声波抛光技术的研究,阐述了抛光加工技术在制造业中的作用和地位,同时分析了抛光加工技术的发展趋势和存在的问题,     

抛光膏的现状与发展

抛光是指用抛光材料对金属制品表面进行整平处理,降低粗糙度,使凹凸的表面变得平滑、精美,增加表层的光泽和外观质量。抛光的好坏和优劣对物体表面的外观和耐腐蚀性能的影响极大、有时甚至会影响进一步的加工处理。 常用的抛光材料有固体及液体两大类,固体称为抛光膏,液体称为抛光浆。国内现以抛光膏为主,抛光浆尚处在开发阶段。     

瓷砖形貌对瓷砖刮平机振动及噪声影响的实验研究

为了研究瓷砖刮平机加工机理,分析刮平机的结构和运行原理,对粗、中、精刮瓷砖进行了SEM实验,同时对刮平机进行了振动和噪音实验。通过SEM实验得出粗刮后的瓷砖表面轨迹平行,轨迹由冲击坑组成;中刮后的瓷砖表面轨迹交叉贯通;精刮后的瓷砖表面平整,少见刮痕。通过振动和噪声实验得出:粗刮阶段,平行轨迹处振动大;中、精刮阶段,交叉轨迹处振动小;空载和工作状态噪音值相差很小。     

R535型半连续纺丝机刮酸棒改进方案分析

R535型纺丝机是德国产半连续纺黏胶长丝纺丝机,其刮酸棒使用寿命短、成本较高。介绍了该纺丝机三种刮酸棒改进方案——完善刮酸棒移位标识,增加刮酸棒的转向标识以及刮酸棒部件采用特种耐磨材料,并分别从结构、成本以及使用寿命上与原纺丝机刮酸棒方案进行对比分析。通过改进,在原刮酸棒上增加移位标识及转向标识,可以达到使其使用时间最长、成本最低的目的。     

雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究

调节自配抛光液的H2 O2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理.实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H2 O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H2 O2浓度为2％、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H2 O2浓度为2％、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm.