微波介质陶瓷及其展望

综述了微波介质陶瓷材料的特性和发展现状，介绍了几种重要的微波介质陶瓷体系，讨论了微波介质陶瓷性能的影响因素，指出了改善其性能的途径和微波介质陶瓷的预期进展。     

合成和烧结工艺对微波介质陶瓷性能的影响

综述了微波介质陶瓷的性能与最新的研究进展,分析了合成方法对微波介质陶瓷介电性能的影响,总结了微波介质陶瓷的烧结工艺对其性能的影响,指出了微波介质陶瓷的问题及今后的发展方向。     

几种典型的微波介质陶瓷材料的研究现状

微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.     

低温烧结微波介质陶瓷的研究现状及展望

微波介质陶瓷是现代通讯技术中关键基础材料,综述了低温烧结微波陶瓷的研究现状,介绍了几种重要的低温烧结微波陶瓷体系,指出了改善低温烧结的微波介质陶瓷性能的途径和预期进展.     

高介电常数微波介质陶瓷材料的研究现状

综述了微波介质陶瓷材料特性、影响因素及高介电常数微波介质陶瓷材料的发展现状,讨论了提高微波介质材料性能的途径.分别介绍三类高介电常数微波介质陶瓷的研究现状,并探讨了微波介质陶瓷今后的发展趋势.     

(Zr_(1-x)Sn_x)TiO_4(ZST)微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展

本文介绍了ZST微波介质陶瓷的性能、微观结构,总结了近年来有关ZST微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展,主要包括粉末制备、烧结、后处理以及性能预测等方面,指出了ZST介质陶瓷的发展方向。     

(Zr1-xSnx)TiO4(ZST)微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展

本文介绍了ZST微波介质陶瓷的性能、微观结构，总结了近年来有关ZST微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展，主要包括粉末制备、烧结、后处理以及性能预测等方面，指出了ZST介质陶瓷的发展方向。     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。     

微波介质陶瓷的显微结构与性能

本介绍了显微结构中的一些主要因素对微波介质陶瓷性能的影响；重点分析了晶粒-主晶相、玻璃相、气孔以及缺陷对微波介质陶瓷性能的影响；通过选择适当的工艺方法，如掺杂、湿化学合成方法等，实现陶瓷结构的致密、均匀，从而提高陶瓷体的微波性能。     

微波介质陶瓷的显微结构与性能

介绍了显微结构中的一些主要要素对微波介质陶瓷性能的影响。重点分析了晶粒-主晶相、玻璃相、气孔以及缺陷对微波介质陶瓷性能的影响。并且通过选择适当的工艺方法，如掺杂、湿化学合成方法等，实现陶瓷结构的致密、均匀，从而提高陶瓷体的微波性能。     

ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产     

微波介质陶瓷的助烧与掺杂改性

为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

微波介质陶瓷低温共烧研究现状

微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数的特点,满足微波器件向小型化、低成本化、集成化、和多功能化方向发展的特点。而微波介质陶瓷低温共烧又是满足微波介质电子元器件不断向小型化,轻量化,高集成度和高性能方向发展重要途径。本文对微波介质陶瓷实现低温共烧的途径进行了介绍,主要介绍了四种实现微波介质陶瓷低温共烧的方法。     

(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3陶瓷的微波介电性能

用传统陶瓷制备方法制备了(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3[0.0≤x≤0.3,(1-x)BMN-xBS]体系微波介质陶瓷,研究了该陶瓷的微观结构和微波介电性能.用X射线衍射仪研究陶瓷的晶体结构.用扫描电镜观察陶瓷的显微结构.用网络分析仪测试陶瓷的微波介电性能.结果表明:晶格常数c和a均随x值的增加而增加;晶格常数比(c/a)随x值的增加而减小.当x≥0.1时,1∶2有序衍射峰消失.陶瓷的平均晶粒尺寸在0.7～2 μm之间.随x值的增加,陶瓷的相对介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τr)呈线性减小;品质因数与谐振频率的乘积(Qf)呈非线性变化.当x=0.15时,Qf达到最大值,为86 200 GHz.当x=0.3时,在此体系中可以获得τf接近零的微波介质陶瓷Ba(Sn0.3Mg0.233Nb0.467)O3,其微波介电性能如下:εr=26.1;Qf=42 500GHz;τr=4.3×10-6/℃.     

微波介质陶瓷

微波介质陶瓷作为广泛应用于微波谐振器、滤波器、介质基板、移相器等现代移动通信设备的核心材料,大大促进了现代通信事业的飞速发展。本文综述了近几十年来微波介质陶瓷的研究现状,以及各类体系微波介质陶瓷发展的最新进展,同时对微波介质陶瓷的发展趋势进行了讨论。     

固有烧结温度低的Li基微波介质陶瓷材料

低温共烧陶瓷是近年来微波介质陶瓷材料发展的一个主流方向。固有烧结温度低的介质材料,由于其本身具有低的烧结温度以及优良的微波介电性能,因而,受到了研究者们的广泛关注。文中综合介绍了目前热点研究的固有烧结温度低的Li基CaO-Li2O-Nb2O5-TiO2以及Li2O-Nb2O5-TiO2系陶瓷材料;尤其对Li2O-Nb2O5-TiO2系微波介质材料的结构、微波介电性能等进行了详尽的讨论,分别讨论了具有高介电常数、中介电常数以及低介电常数的各种锂铌钛系陶瓷材料。同时也指出了目前对Li基陶瓷材料结构与性能之间的关系缺乏系统研究以及部分Li基材料的绝缘性能欠佳等问题。     

Low temperature fired CaF2-based microwave dielectric ceramics with enhanced microwave properties

Low-temperature-fired microwave ceramics are key to realizing the integration and miniaturization of microwave devices. In this study, a facile wet chemical method was applied to synthesize homogenous nano-sized CaF₂ powders for simultaneously achieving low-temperature sintering and superior microwave dielectric properties. Pure CaF₂ ceramics sintered at 950 °C for 6 h with good microwave dielectric properties (ε_r = 6.22, Q×f = 36,655 GHz, and τ_f = ?102 ppm/°C) was achieved. The microwave dielectric properties of the CaF₂ ceramics were further improved by introducing LiF as a sintering aid. The sintering temperature of CaF₂-based ceramics was effectively lowered from 950 °C to 750 °C with 10 wt% LiF doping, and excellent microwave dielectric properties (ε_r = 6.37, Q×f = 65,455 GHz, and τ_f = ?71 ppm/°C) were obtained.     

0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3陶瓷微波介电性能研究

采用固相反应法制备了0.7CaTiO3-0.3Sm1-xAlO3(CTSA,0≤x≤0.1)微波介质陶瓷,研究了Sm缺位对CTSA陶瓷的晶体结构、微观形貌以及微波介电性能的影响。结果表明,制备的CTSA陶瓷均为正交钙钛矿结构。少量的Sm缺位能够降低CTSA陶瓷的烧结温度,晶粒尺寸增加,同时气孔率增大,陶瓷的Q×f值也有显著提升。当x=0.025、烧结温度为1450℃时,CTSA陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=45.2,Q×f=47280GHz和τf=+4.8 ppm/℃。