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激光辐照对长滤HgCdTe光导探测器电学参数的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特征,用电阻-温度特征研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小。认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致。 相似文献
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针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。 相似文献
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表面处理工艺对于N型HgCdTe材料和光导器件的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
工程应用的HgCdTe光导探测器厚度一般在10μm左右,因此表面对于HgCdTe器件至关重要。报导了采用溴腐蚀和溴抛光两种表面处理工艺对于HgCdTe材料表面的影响,测试了材料的迁移率谱和迁移率变温曲线,将材料制成光导器件后测试了器件的电阻变温曲线,比较了溴腐蚀和溴抛光所得器件电阻变温曲线最大电阻值所对应的温度。上述实验均表明,采用溴腐蚀的材料,表面电子较多,电离杂质散射较为严重,所制得器件性能较差,而采用溴抛光的材料,表面电子较少,以晶格散射为主,所制得器件性能良好。 相似文献
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利用纳秒激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器的局部光敏元,获得了该类器件损伤前被辐照和未被辐照像元输出信号随激光能量密度变化的全部响应规律,指出基底信号二阶段响应和光信号六阶段响应的规律特点,同时给出不同响应阶段激光能量密度阈值范围;发现了基底信号整体跃变的零压输出、光响应信号输出凹陷-回升-凸起等反常响应现象;并从探测器读出电路和热生电动势的角度揭示了反常响应现象的产生机理,希望能加强对阵列型HgCdTe探测器光响应特性的深刻认识,为该类器件的技术创新提供启示。 相似文献
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以1.06μm激光为例,使用PC型HgCdTe探测器,从实验的角度全面给出探测器各种可能的激光响应结果;同时给出响应波段内激光辐照探测器时光、热各自作用及光热综合作用的实验曲线,并结合此结果以清晰直观的图像分析了波段内激光辐照光电探测器时各种响应结果的成因.研究表明:激光辐照过程中,探测器信号响应曲线是光、热综合作用的竞争结果;激光停照后,信号曲线仅反映探测器的热恢复过程;光电导探测器的光响应和热响应随工作温度的变化均存在峰值响应.探测器的工作温度、激光功率密度和辐照时间是影响探测器信号响应曲线行为的关键参数. 相似文献
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激光辐照HgCdTe探测器的温度场数值分析 总被引:3,自引:1,他引:2
建立激光辐照下HgCdTe光电导探测器的非稳态物理模型,进行温升计算,得到温度场分布的数值解。分析瞬态温度场分布随时间变化的关系,讨论了激光辐照对探测器性能参数的影响,实践证明,本研究方法简便有效,能够对器件机理的分析提供理论依据。 相似文献
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从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的比探测率得到一定程度的提高。通过MATLAB仿真,分析了组分和厚度的变化对Hg1-xCdxTe光导器件的截止波长和峰值波长的影响情况,为使HgCdTe光导探测器在工作波段内有较高的探测响应,当探测器工作在某一温度,应选择合适的组分x和厚度d。 相似文献
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PC型HgCdTe探测器的记忆效应 总被引:11,自引:0,他引:11
通过测量PC型HgCdTe探测器的动态响应,发现在工作温度(77K)下,激光辐照后,探测器的电导率产生改变(记忆),电阻变化率提高,这种现象在工作温度下能长期保持。当升温(至室温)后,记忆功能消失。本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析。 相似文献
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实时三维信息获取系统 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了信息获取系统结构和图像处理算法,系统的主从结构方式,从机以SDP和阵列处理为基础,能实现并行实时处理。在80ms内完成一次对图像分割、激光线提取、正侧轮廓提取、获取彩色信息等处理。本系统把扫描速度升到一个新的数量级,采样速率达1800点/s,实时处理和显示立体三维图形,大大提高性价比,减少存储器容量,降低配置要求,充分利用了硬、软件资源,与国外同类产品相比,在彩色获取处理、特殊反射区处理等方面有其特色,本系统特别适用机械远程加工、快速成型、虚拟现实和三维传真等。系统的研制的三维信息获取技术的产品化、实用化奠定了基础。 相似文献
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长波光导HgCdTe探测器的输运特性 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了长波光导HgCdTe线列探测器在1.2~300K的电阻率-温度(R-T)特性,结果表明:高性能和低性能探测元的R-T特性明显不同,前者有与正常HgCdTe材料R-T关系相似的变化规律,后者则与简并HgCdTe材料相似.探测器的性能与最大电阻温度有对应关系 相似文献
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以往的被动测距方法主要集中在可见光领域,利用图像稳定的特征点进行观察,目前利用计算目标尺度变化率进行撞击时间估计,已经发展成为一种较成熟的方法。然而在红外领域,由于红外图像自身的特性其特征点难以提取,原有的特征点跟踪方法无法适用。文中论述了一种红外图像撞击时间估计方法,根据红外图像难以提取特征点而相对易于目标分割的特点,提出了先对国图像进行分割提取目标面积,然后根据图像序列目标面积变化率来进行撞击时间估计,并根据撞击时间系统特征对估计结果进行修正以进一步提高精度。实验结果证明了该方法的有效性。 相似文献
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为了研究脉宽及重频对HgCdTe探测器损伤阈值影响,采用有限元法对HgCdTe红外探测器进行2维建模,以及激光辐照探测器温度场的仿真,得到了波段内外脉宽从10ns~1000ns的单脉冲激光损伤阈值。由于采用实验测定所有脉宽激光损伤阈值的办法不现实,故通过仿真计算,给出了从ns~μs量级不同激光脉宽的单脉冲探测器损伤阈值公式。结果表明,波段外单脉冲损伤阈值为9MW/cm2~0.9MW/cm2,波段内为150MW/cm2~15MW/cm2,并且探测器单脉冲损伤阈值与激光脉冲宽度呈负指数关系;当采用重频激光辐照探测器时,在相同的重复频率下,因长脉冲激光比窄脉冲宽激的脉冲间隔小,故长脉冲激光辐照时更容易出现温度积累效应,从而出现大面积损伤。这为进一步研究探测器的热应力场热弹性波和激光防护等提供了重要的理论分析依据。 相似文献