| 激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响 |
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| 引用本文： | 朱克学,张赟,李向阳,龚海梅,方家熊.激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响[J].红外与激光工程,2002,31(1). |
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| 作者姓名： | 朱克学 张赟 李向阳 龚海梅 方家熊 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
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| 摘 要： | 对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致.
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| 关 键 词： | 长波HgCdTe光导探测器 激光辐照 电阻-温度特性 拟合 |
Changes of the electric parameters of LWIR HgCdTe PC detector by laser irradiation |
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