Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究

制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器,对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外(3~5μm)的透过率进行了研究,并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化Pt电极制备条件及对SiO2增透膜的研究,使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下,所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA,在+6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2,R0A达到7.2×104Ω·cm2,其50%截止波长为510 nm。     

Cr/In掺杂对用Te溶剂温度梯度溶液法（TGSG）生长的ZnTe晶体质量的影响

对比了用温度梯度溶液法生长的未掺杂、Cr和In掺杂的ZnTe晶体的性能。Cr及In掺杂后ZnTe的吸收边都发生了红移。Cr掺杂在晶体中引入两个特征吸收峰,一个位于约1750 nm,而另一个位于紧挨吸收边的低能一侧。但是本征吸收区域的反射光谱对掺杂并不敏感。未掺杂,Cr掺杂和In掺杂晶体的电阻率分别为10^2 Ω·cm ,103 Ω·cm和10^8 Ω·cm。只有In掺杂的晶体在500-4000 cm^-1范围内红外透过率高于60%。但是Cr掺杂晶体的红外透过率随波数的增加而快速下降,这是因为Cr在ZnTe晶体中的固溶度很低,Cr掺杂后在晶体中会引入一些结构缺陷会对红外光造成散射。     

高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测

报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400～450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.     

高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测

报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400～450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.     

中波-长波双色量子阱红外探测器

采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。     

绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为～12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-U type SnO2作前电极的电池具有同等效果.     

绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为～12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-U type SnO2作前电极的电池具有同等效果.     

掺杂浓度对BaF2:PbWO4闪烁晶体发光性能的影响

用多坩埚温度梯度系统生长了一批不同掺杂浓度的BaF2:PbWO4晶体,研究了这些晶体的透过光谱、x-射线激发光谱(XEL)与晶体掺杂浓度的关系,结果发现合适浓度的掺杂增加了晶体的透过率、XEL光谱强度,并使XEL光谱峰红移.当掺杂浓度1000mol-ppm浓度时,晶体的透过率明显增大、XEL光谱强度明显增强.当掺杂浓度...     

Cd1-xMnxTe晶体衬底的红外透过性能

研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013;x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5～55 cm-1;退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000～500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%;退火后,晶片的红外透过率提高到61%以上,接近理论值65%.     

0.5～22μm宽光谱ZnSe单晶窗口制备

采用电阻加热水平物理输运法对生长ZnSe晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用Bridgman单晶生长方式生长ZnSe晶体,所得晶体尺寸为φ35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,寸晶体进行切割、研磨、抛光,获得粗糙度为光学四级的晶体器件.晶体抛光后未镀膜,在0.5～22μm的波艮范围,平均透过率达到60%以上.晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上.     

垂直腔面发射激光器的特性分析

垂直腔面发射激光器作为近凰年来光电子学领域研究的热点课题之一，要想很好的研究其应用价值，就必须了解它的各种特性。本文分析总结了垂直腔面发射激光器的阈值特性、光输出特性、模式特性、调制特性、偏振特性、远场特性以及热阻效应。     

关于ISO/TS16949的产品特性

产品质量是由产品特性决定的,本文讲述了作者对ISO/TS16949产品特性的理解,特别是特殊特性的识别和确定.     

方波信号在音频技术中的应用

本文重点介绍了方波依赖在音频测量，设备的维护检测及录音均衡自动调节等音频技术中的应用，并通过对方波信号的频谱特性和方波信号通过线性系统的频域特性的分析，简要说明了方波信号在应用电路中的基本工作原理。     

晶体管的温度特性以及使用中应注意的问题

叙述了晶体管的负温度特性以及在晶体管的制造过程中如何改进晶体管的温度特性。     

“211工程”高校图书馆特色数据库现状分析

数字电子资源近年来的发展,改变了图书馆用户以纸质资源为主的信息获取方式。数据库资源的建设逐步演变为图书馆实现自动化的核心。文中对陕西省“211工程”高校图书馆特色数据库资源的现状进行了调查分析,并就目前存在的问题,并提出了相应的对策。     

具有宽带特性的超材料设计与分析*

分别提出具有宽带负磁导率特性的圆盘结构超材料和具有宽带双负特性的互联圆盘结构左手材料。对任意极化的垂直入射波,圆盘结构超材料可在8.71GHz到15.19GHz的频段上产生负的磁导率,而互联圆盘结构左手材料则可在6.04GHz到7.40GHz的频段上产生双负特性。通过有限元仿真、本构参数提取、表面电流分布计算、结构参数扫描等方法,对圆盘结构进行了详细分析。结果表明,该结构通过外加磁场激励起的电流环路构成磁谐振回路,进而获得负磁导率特性。利用无限划分的方法,分析了该结构实现宽带特性的原理,推导了等效的磁谐振频率和品质因数的计算公式,并给出其等效电路结构。通过参数扫描,分析了贴片半径、基板介电常数、损耗特性和入射角大小对负磁导率特性的影响规律。对互联圆盘结构左手材料,在提取其等效本构参数的基础上,着重分析了电响应特性,详细推导了等效电等离子体频率的计算公式。     

电磁波在等离子体中的吸收特性和反射特性研究

飞行器再入时会形成等离子鞘套,而等离子鞘套的形成会严重影响电波的传播,造成通信障碍。因此,需要研究电磁波在等离子鞘套中的传播特性,该文通过理论分析推导了电磁波在等离子体中传播的条件和沿不同方向传播时电磁波传播特性的计算方法。同时利用理论推导的结果来研究了电磁波在等离子体中的吸收特性和反射特性,其结果具有很高的准确性。     

电磁波在等离子体中的吸收特性和反射特性研究

飞行器再入时会形成等离子鞘套,而等离子鞘套的形成会严重影响电波的传播,造成通信障碍。因此,需要研究电磁波在等离子鞘套中的传播特性,该文通过理论分析推导了电磁波在等离子体中传播的条件和沿不同方向传播时电磁波传播特性的计算方法。同时利用理论推导的结果来研究了电磁波在等离子体中的吸收特性和反射特性,其结果具有很高的准确性。     

基于边缘轮廓的特征匹配跟踪

介绍了目标轮廓LCS描述,并对其进行改进,建立了基于目标轮廓的特征匹配跟踪方 法。     

目标红外辐射特性测量定标方法研究

阐述了定标工作在目标红外辐射特性测量中的重要作用。分别就调焦类成像设备和非调焦类成像设备的定标方法进行了理论分析,针对不同定标方法的优缺点进行了说明,定标时通常采用0米定标,方便且可同时进行所有像元定标。对目标特性测量时定标温度的选择作了分析,得出结论:定标间隔不变时,定标误差随定标温度呈"W"型规律变化,当定标温度分布于测量温度两侧时,误差有限,因此定标温度通常选择在目标等效黑体温度两侧,且定标温度间隔越小辐射特性测量精度越高。