| 绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用 |
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| 引用本文： | 陈新亮,薛俊明,孙建,赵颖,耿新华.绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用[J].半导体学报,2007,28(7):1072-1077. |
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| 作者姓名： | 陈新亮 薛俊明 孙建 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为～12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-U type SnO2作前电极的电池具有同等效果.
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| 关 键 词： | MOCVD 绒面ZnO薄膜 B掺杂 前电极 太阳电池 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）07-1072-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-23 |
Growth of Textured ZnO Thin Films and Their Front Electrodes for Application in Solar Cells |
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| Chen Xinliang,Xue Junming,Sun Jian,Zhao Ying and Geng Xinhua.Growth of Textured ZnO Thin Films and Their Front Electrodes for Application in Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7):1072-1077. |
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| Authors: | Chen Xinliang Xue Junming Sun Jian Zhao Ying and Geng Xinhua |
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| Affiliation: | Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology of the Ministry of Education,Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,;Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology of the Ministry of Education,Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,;Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology of the Ministry of Education,Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,;Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology of the Ministry of Education,Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,;Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology of the Ministry of Education,Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD textured ZnO film B-doping front electrodes solar cells |
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