LCD大电流的形成原因及预防

本文阐述了影响LCD功耗电流的各种因素及预防过大功耗电流的措施,给出从生产、选材及设计等方面影响该电流值的各种因素。     

PI度对LCD功耗电流的影响

从理论上计算了不同种类，不同厚度的ＰＩ对ＬＣＤ功耗电流的影响，从实验上比较了ＫＰＩ－３０３Ｂ和ＳＥ－２１７０在选用不同厚度时对功耗电流值的影响以及德国进口稀释剂ＮＭＰ和ＮＩＳＳＡＮ－ＰＩ专用稀释剂＊＊２１在配ＰＩ后对ＬＣＤ盒的功耗电流的影响，并对这种影响原因进行了解释，从而为ＰＩ材料的选用及相应的ＬＣＤ功耗电流控制标准的制定提供了一些有价值的实验和理论依据。     

影响液晶显示器(STN-LCD)功耗的因素

目前我国STN-LCD产品的功耗普遍偏大，本文从制程、材料、环境等方面分析影响STN-LCD功耗电流的因素，供STN-LCD生产厂家参考。     

紫外曝光对液晶显示器功耗电流的影响

用实验方法研究紫外曝光对液晶显示器功耗电流的大小及分布的影响。     

以霍尔电流传感器提高开关电源的效率

许多开关电源中需要使用电流传感器,将电流大小以电压形式反馈至开关电源控制器,用以调节输入脉冲的占空比或进行电源保护。以往的开关电源往往使用一个串入电流通道的电阻作为电流传感器,利用电阻的压降反馈电流的大小。由于电阻是耗能元件,其将产生功耗。为克服电流传感电阻的功耗,本文采用霍尔传感器作为开关电源的电流传感器,并详细论述了霍尔传感器在开关电源中的设计使用方法。霍尔传感器的使用大大降低了因电流检测而产生的功耗,提高了开关电源的转换效率。     

晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究

采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流.因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区.对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗.     

辐照加固SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

在航天辐射环境中,电离辐射产生的辐射效应会对电子元器件性能产生影响。文章对自主研发的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源辐照下的总剂量辐射效应进行了研究。实验表明:(1)总剂量累积到一定程度后功耗电流线性增大,但只要功耗电流在极限范围内,FPGA仍能正常工作;(2)SRAM型FPGA在配置过程中需要瞬间大电流,故辐照后不能立即配置;(3)总剂量辐照实验时,功耗电流能直观反映器件随总剂量的变化关系,可作为判断器件失效的一个敏感参数。该研究为FPGA的设计提供了基础。     

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点,提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗,从而使电压的变化幅度减小,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度．电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗．利用1.2μm CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的CMOS电流比较器的水平,而功耗则低于这些比较器,具有最大的速度/功耗比．此外,该CMOS电流比较器结构简单,性能受工艺偏差的影响小,适合应用于高速/低功耗电流型集成电路中．     

一种轨对轨输入的低压低功耗CMOS电流传输器

基于CSMC 0.5μm工艺,在1.5 V供电电压下,设计了一种功耗低、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器(CCII ).设计中,通过采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;采用AB类推挽输出方式,达到了降低静态功耗和提高电流驱动能力的目的;应用密勒电容与调零电阻串联的补偿方式,有效地改善了CCII 的频率响应特性,并分析了AB输出级晶体管对静态电流的影响作用.HSPICE仿真结果表明,该CCII 的电压跟随误差仅0.0002 dB,-3 dB带宽达到11.7 MHz;电流传输误差为0.0007 dB,-3 dB带宽达到20 MHz,X端输入电阻低于28Ω,电流驱动能力为-0.62 mA~1.07 mA,电路功耗仅为105.68μW.     

点阵式COG液晶显示模块显示竖条问题初探

主要从功耗电流和IC的驱动能力两个方面初步探讨了功耗电流和IC驱动能力是造成显示竖条的主要原因并提出了解决的方法。     

抗高压脉冲高稳定度灯丝电源

着重讨论如何解决当某大功率装置的大电流开关动作时,灯丝电源装置抗30kV的高压反馈脉冲的冲击问题,通过抗高压和强电流冲击的设计,以低压电源为大电流开关的灯丝提供高稳定度的电源输出;以高压隔离变压器来隔离高压触发反馈脉冲通过电源对周围仪器的影响;用扼流圈来阻遏反馈高压峰电流的流入,有效地减少了大功率装置放电后的瞬时强电流对灯丝加热电源的损害;在高压强流环境中,为大电流开关灯丝的加热提供了可靠的抗高压强流的直流加热电源。     

开关电源仿电流控制方法研究

在简要介绍开关电源的电压型控制和电流型控制方法的基础上，详细介绍了仿电流控制方法。分析了仿电流控制方法的工作原理，并对仿电流控制方法和峰值电流控制方法进行了比较。仿电流控制开关变换器的控制电路简单、可靠。仿真结果表明：仿电流控制方法有效地避免了开关管电流前沿尖峰的影响，不需要额外的前沿消隐电路，变换器也能正常工作。     

电铁系统影响下的煤矿电网负序电流治理方案研究

随着电气化铁路系统的迅速发展,大量煤矿电网都与电铁牵引供电系统共网运行,由于电铁牵引负荷产生负序电流注入电网,其对煤矿电网的电能质量造成很大影响,影响煤矿电网的安全运行。本文结合山西某煤矿实际电网运行情况,测试、分析了与电气化铁路系统共网运行的煤矿电网负序电流特点,同时分析了现有有源负序治理方法的优缺点,并选取合适的算法集成于有源治理设备MARS中进行煤矿电网负序电流治理。最后利用仿真软件PSCAD/EMTDC进行仿真分析,验证其是有效可行的。     

基于MATLAB的高压供电系统故障分析

随着电力系统规模的越来越大和复杂程度的越来越高,传统的人工建模已不能满足电力科研实验的要求,为了适应电力系统的发展,采用了基于MATLAB的仿真方法。在分析供电系统变压器低压侧母线短路电流和冲击电流的基础上,利用MATLAB的电力系统工具箱建立短路仿真模型,运行仿真,得出了故障时电压电流波形,分析了其故障特征,得到理想的仿真结果。因此,在电力系统设计和运行中,可以运用MATLAB对电路进行短路计算和仿真,对供电系统的故障分析、继电保护整定具有指导意义。     

DFIG空载并网控制策略的研究

DFIG的并网技术主要有三种：带独立负载并网、孤岛并网和空载并网。空载并网由于其实现简单,并网时冲击电流小,在风电并网中占有很大的优势。文章根据DFIG的运行特点,提出了基于电网电压定向的空载并网控制策略,根据电机转速和电网电压来调节转子励磁电流,实现了有功和无功解耦控制。     

基于单周控制的电铁有源电力滤波器的研究

补偿电流的控制方法是实现有源电力滤波器功能的核心环节,本文采用单周控制的双向互补控制策略的单相有源电力滤波器能对电铁系统中的谐渡电流起到很好的补偿作用,并建立了以双向互补控制策略为补偿电流控制方法的仿真模型,仿真结果表明单用控制技术可以用于电铁供电系统的有源电力滤波器的电流控制中,并且还能有效地滤除电力机车中的绝大部分...     

Messmethoden zur Charakterisierung von Mikrowellenleistungstransistoren

For first try designs of microwave power amplifiers it is necessary to know the entire physical behaviour of the used components with high accuracy. The attention should be directed especially to the center component of these circuits, the power transistor, whose nonlinear characteristics have an essential impact on the behavior of the whole amplifier. This article gives an overview of current methods of measurement for microwave power transistor characterization. Furthermore a measurement system is presented, capable of characterizing microwave power transistors within a frequency range from 30 kHz to 8.7 GHz at bias current up to 7.5 A including self heating effects.     

Non-stationary phase transitions in systems metallization of silicon structures

We study the degradation of aluminum metallization under the thermal impact induced by rectangular current pulses with an amplitude of j < 8 × 10¹⁰ A/m² and a length of τ < 800 μs and experimentally investigate the thermal degradation of a metal film under the action of phase transformations, specifically, metal fusion and contact melting in a metal-semiconductor system during the passage of current pulses with a power above the critical value P_cr. It is demonstrated that the main mechanism of the fusion of a metallization stripe is related to heat release at the interface between the liquid and solid phases under the thermal impact. The velocities of liquid-phase propagation (10–50 m/s) along the metallization stripe have been determined in the experiment as a function of the electric power of the current pulse. The stresses in the silicon surface layers near the nonstationary heat source have been estimated. It is shown that current pulses with an electric power of ～0.7P_cr induce the stresses sufficient for the formation of dislocations. The formation of dislocation half-loops in the silicon surface layers near the thermal impact source upon the passage of current pulses with a specified power has been observed.     

区域配网规划和改造对提高供电可靠性研究

配电网供电可靠性是当下社会范围内共同关注的焦点话题,而供电可靠性容易受到硬件与软件层面相关因素的影响而有所下滑,导致供电效率和稳定性大受影响,严重时甚至可能引发安全事故。为了提高供电可靠性,可以从区域配网规划和改造入手,针对区域配网现状进行分析,研究其对供电可靠性的影响,再根据分析结果针对性地执行区域配网规划改造方案,能够显著提升供电可靠性。     

基于L6563的高功率因数校正电路设计

大多数现代电子设备使用了开关式电源,它们会产生不希望出现的电流谐波,这些谐波对供电品质和与该电源系统连接的其他设备造成了不良影响。文章介绍了有源功率因数校正的工作原理,提出了基于L6563芯片的一种高功率因数校正电路方案。试验结果表明,该Boost功率因数校正电路设计合理,性能可靠,功率因数可达0．99,可有效改善电源品质。