一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计北大核心CSCD

提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在0~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66dB.     

从超低压差线性稳压器MIC5330

MIC5330是MICREL公司推出的一种双输出，超低压差线性稳压器。该稳压器主要特点，输入电压范围2.3-5.5V；超低压差，在300mA输出时，压差典型值为75mA，高的电源电压变动抑制率，在1kHz时大于70dB；超低噪声输出，典型值为30μVRNS;极好的负载，电压瞬态响应。     

车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO

针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5～55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。     

一种带曲率补偿的低功耗带隙基准源设计

基于UMC 0.25μm BCD工艺,设计了一种带二阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个与热力学温度的平方成正比的电流叠加到基准的核心部分,达到二阶曲率补偿的效果。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,–40~+150℃内,基准电压的波动范围为1.213 4~1.215 3 V,温度系数为1×10–5V/℃;供电电压在2.5~5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率LR为0.006 95%,低频时电路电源抑制比为–70 dB,整体静态电流仅为20.1μA。     

一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路.在1V电源电压下,采用1μm CMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB.     

应用于红外焦平面读出电路的片上LDO设计

低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)由于具有响应速度快、芯片面积小、低输出噪声的优点,很适合作为电源模块集成到红外焦平面读出电路的系统中。设计了一款低噪声、带buffer和密勒补偿的LDO结构的线性电源,芯片采用CSMC 0.6 μm CMOS工艺设计,在Hspice上对电路模块进行了仿真验证。仿真结果表明,该LDO在50 kHz、3.3~5 V的电源电压下,线性调整率最大为10 mV/V,电源抑制比(PSRR)为50 dB,负载电流可达到100 mA。     

一种无片外电容的快速响应FVF-LDO北大核心

提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构，不需额外增加辅助电路，仅使用两个电容作为检测模块，以动态调整瞬态响应，能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明，该LDO的压差为200 mV,静态电流为36μA,输入电压范围为2～4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0～10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下，产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。     

基于镜像结构的改进型片上集成线性稳压器

基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,改进型线性稳压器的负载调整率降低了26.14%,静态电流为9.8 μA,电源抑制比达到72.82 dB。该线性稳压器可在10 μs内实现0.1~100 mA脉冲信号变化的快速响应,且过冲电压和欠冲电压均小于100 mV。     

一种适用于高压电源管理的无输出电容自基准低压差线性稳压器

设计了一种用于高压电源管理(Power Management)芯片内部供电的无输出电容、自基准全集成低压差线性稳压器,低压差线性稳压器与电压基准形成自供电自偏置环路,减少了电路的规模。通过对LDO—基准环路小信号特性分析,并用Hspice进行仿真验证,该环路具有足够低的环路增益,低频时能达到-82 dB,不会对供电系统的稳定性造成影响。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。     

工科《线性代数》的课程设计及探讨

文章主要讨论了工科专业线性代数的课程设计,并基于课程设计,对向量组的线性相关性进行了探讨及对矩阵的应用进行了研究.     

对288轮Trivium算法的线性分析

此前对288轮Trivium算法线性分析的文章中,均将密钥视为随机且变化的值,这样对算法进行分析是存在问题的,攻击者实际上无法将得到的线性偏差用于对算法实施攻击.本文在选择IV(Initialization Vector)攻击条件下,重新对288轮Trivium算法进行了线性分析.由于将密钥比特作为未知的定值,因而由密钥比特组成的非线性项是定值,不会产生线性偏差,在选取10个特殊IV后,得到一个线性偏差为1.9E-6的线性逼近式.     

给定线性复杂度谱的序列的条数

对给定长为n的单调递增非负整数序列(L1,L2,…,Ln),给出了有限域GF(q)上长度为n的线性复杂度谱为(L1,L2,…,Ln)的序列的计数。进一步对长为n的给定线性复杂度及其最大跳跃幅度的序列进行了计数。     

对DES线性攻击的综合方法

论文分析了在DES的线性攻击过程中候选密钥总量与第一候选密钥正确率之间的关系,给出了DES的另外两个较好的14轮线性逼近。参考多重线性逼近的方法,结合两个较好的线性逼近和最佳线性逼近,提出了能提高攻击DES速度的综合算法A。     

关于求周期序列k错线性复杂度的Stamp-Martin算法

在k错线性复杂度的实际应用中,误差向量的计算是非常重要的。因此改进了Stamp-Martin算法中cost向量的结构,从而使该算法求周期为2n的二元序列k错线性复杂度更加简洁且容易理解,同时给出了求相应误差向量的算法,即在该误差向量下,能够实现最小的k错线性复杂度。     

二元周期序列的k错误线性复杂度

随着k的增大,序列k错误线性复杂度的值会从线性复杂度递减到0.对于周期为2的方幂的二元序列,Kurosawa讨论了线性复杂度和k错误线性复杂度的关系,给出了使得序列的k错误线性复杂度严格小于序列的线性复杂度最小的k值.本文利用多项式的权重关系给出了使得序列k错误线性复杂度再次减小的最小k值.     

稳定平台对机载线阵相机成像质量的影响

在线阵传感器的航空摄影过程 中,飞机姿态变化会对成像造成影响,导致成像模糊。因 此根据航空投影的坐标变换方程,采用Monte Carlo算 法分析了曝光时间、稳定平台位置补偿残差以及角速度补偿残 差等参数对线阵相机成像质量的影响。结果表明,高性 能机载线阵相机必须配备高性能稳定平台;同时,灵敏度 高、曝光积分时间短的线阵探测器对于成像质量的提升 具有重要意义。     

减缩轮PRIDE算法的线性分析

PRIDE是Albrecht等人在2014美密会上提出的轻量级分组密码算法.PRIDE采用典型SPN密码结构,共迭代20轮.其设计主要关注于线性层,兼顾了算法的效率和安全.该文探讨了S盒和线性层矩阵的线性性质,构造了16条优势为2^-5的2轮线性逼近和8条优势为2^-3的1轮线性逼近.利用合适的线性逼近,结合密钥扩展算法、S盒的线性性质和部分和技术,我们对18轮和19轮PRIDE算法进行了线性分析.该分析分别需要2⁶⁰个已知明文,2^74.9次18轮加密和2⁶²个已知明文,2^74.9次19轮加密.另外,我们给出了一些关于S盒差分性质和线性性质之间联系的结论,有助于减少攻击过程中的计算量.本文是已知明文攻击.本文是关于PRIDE算法的第一个线性分析.     

Structure optimization of a uni-traveling-carrier photodiode with introduction of a hydro-dynamic model

Characteristies of a uni-traveling-carrier photodiode(UTC-PD)are investigated.A hydro-dynamic model is introduced which takes into account the electrons'velocity overshoot in the depletion region.which is a more accurate high speed device than using the nodal drift-diffuse model.Based on previOUS results,two modified UTC-PDs are presented,and an optimized device is obtained,the bandwidth of which is more than twice that of the original.     

EG序列的存在性

部分解决了EC序列的存在性问题．当长度n比较大时，E=_和E=1的EG序列是不存在的．对于其它的E，此类序列是否存在还有待研究．