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采用65 nm CMOS工艺,设计了一种宽带低相噪低杂散的Σ-Δ小数分频频率综合器。该频率综合器采用3个压控振荡器以及可编程分频链路实现宽带输出,每个压控振荡器采用自适应衬底偏置技术以减小PVT变化的影响。可编程分频器采用重定时单元同步输出,降低了分频器的相位噪声。自动频率校准模块采用一个可对压控振荡器直接计数的结构,缩短了频率锁定时间。Σ-Δ调制器中采用了陷波滤波结构,降低了高频量化噪声。后仿真结果表明,1.2 V电源电压下,该频率综合器可输出正交信号的频率范围为0.2~6 GHz,输出频率为3.762 5 GHz时,相位噪声为-113.59 dBc/Hz @1 MHz,参考杂散为-59.3 dBc,功耗为91 mW。 相似文献
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介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39~2.72 GHz的频率范围内输出功率OdBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V 的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流. 相似文献
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介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39~2.72 GHz的频率范围内输出功率OdBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V 的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流. 相似文献
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基于0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计并实现了一种用于工作在2.4 GHz ISM频段的射频收发机的整数型频率综合器。频率综合器采用锁相环结构,包括片上全集成的电感电容压控振荡器、正交高频分频器、数字可编程分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、二阶环路滤波器,为接收机提供正交本地振荡信号并驱动功率放大器。通过在PCB板上绑定裸片的方法进行测试,测试结果表明,压控振荡器的频率覆盖范围为2.338~2.495 GHz;锁定频率为2.424 GHz时,频偏3 MHz处的相位噪声为-113.4 dBc/Hz,带内相位噪声为-65.9 dBc/Hz;1 MHz处的参考杂散为-45.4 dBc,满足收发机整体性能指标的要求。在1.8 V电源电压下,频率综合器整体消耗电流仅为6.98 mA。芯片总面积为0.69 mm×0.56 mm。 相似文献
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一种用于脉冲式超宽带接收机的低抖动,低杂散多相输出锁相环 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出了一种用于脉冲式超宽带接收机的低抖动,低杂散多相输出锁相环。为了同时满足低抖动、低功耗和输出多相时钟这些需求,该锁相环基于一个环形振荡器结构。为了提高多相时钟的时间精度和相位噪声性能,设计了一个改善了噪声和匹配特性的压控振荡器。在设计中,通过良好的匹配电荷泵和仔细选择环路滤波器带宽来抑制参考频率杂散。测试结果表明,当载波频率为264 MHz时,1 MHz失调频率下的相位噪声为-118.42 dBc/Hz,均方根抖动为1.53 ps,参考频率杂散为-66.81 dBc。该芯片采用0.13 µm CMOS工艺制造,1.2 V电源电压下功耗为4.23 mW,占用0.14 mm2的面积。 相似文献
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采用0.35 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款集成压控振荡器(VCO)宽带频率合成器.该锁相环(PLL)型频率合成器主要包括集成VCO、鉴频鉴相器、可编程电荷泵、小数分频器等模块.其中集成VCO采用3个独立的宽带VCO完成对频率的覆盖;鉴频鉴相器采用动态逻辑结构;小数分频器中∑-△调制器模数可编程,可以精确调制多种分频值.测试结果表明,在电源电压3.3V、工作温度-40~85℃的条件下,该芯片输出频率为137.5~4400 MHz,频偏100 kHz处的相位噪声为-104 dBc/Hz,频偏1 MHz处的相位噪声为-131 dBc/Hz,归一化本底噪声为-215 dBc/Hz.芯片面积为3.8 mm×4 mm.该频率合成器能为通信系统提供低相位噪声或低抖动的时钟信号,具有广阔的应用前景. 相似文献
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基于CPT(相干布局囚禁)87铷原子钟设计出输出频率为3417 MHz的锁相环频率合成器,通过ADIsimPLL仿真出最佳环路带宽,环路滤波器参数以及相位噪声等,并通过STM32对锁相环芯片进行控制。对频率合成器进行了测试,电路尺寸为40 mm×40 mm,输出信号功率范围为-4 dBm^+5 dBm可调,输出信号噪声满足要求-88.65 dBc/Hz@1 kHz,-92.31 dBc/Hz@10 kHz,-104.63 dBc/Hz@100 kHz,杂散和谐波得到抑制,设计的频率合成器能很好的应用于原子钟的射频信号源。 相似文献
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黄学金 《太赫兹科学与电子信息学报》2015,13(2):262-266
介绍了一种X波段低相噪频率综合器的实现方法。采用混频环与模拟高次倍频相结合的技术,实现X波段跳频信号的产生。采用该技术实现的频率综合器杂散抑制可达-68 d Bc,相噪优于-99 d Bc/Hz@1 k Hz,-104 d Bc/Hz@10 k Hz,-106 d Bc/Hz@100 k Hz。重点论述了所采用的低相噪阶跃倍频的关键技术,详细分析了重要指标及其实现方法,实测结果证明采用该方法可实现给定指标下的X波段低相噪频率综合器。 相似文献
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A 1.2 GHz frequency synthesizer integrated in a RF receiver for Beidou navigation is implemented in standard 0.18μm CMOS technology.A distributed biased varactor LC voltage-controlled oscillator is employed to achieve low tuning sensitivity and optimized phase noise performance.A high-speed and low-switching-noise divider-by-2 circuit based on a source-coupled logic structure is adopted to generate a quadrature(I/Q) local oscillating signal.A high-speed 8/9 dual-modulus prescaler(DMP),a programmable-delay phase frequency detector without dead-zone problem,and a programmable-current charge pump are also integrated into the frequency synthesizer. The frequency synthesizer demonstrates an output frequency from 1.05 to 1.30 GHz,and the phase noise is-98.53 dBc/Hz at 100-kHz offset and -121.92 dBc/Hz at 1-MHz offset from the carrier frequency of 1.21 GHz. The power dissipation of the core circuits without the output buffer is 9.8 mW from a 1.8 V power supply.The total area of the receiver is 2.4×1.6 mm~2. 相似文献
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提出了一种宽带低相噪频率合成器的设计方法.采用了数字锁相技术,该锁相技术主要由锁相环(phase locked loop,PLL)芯片、有源环路滤波器、宽带压控振荡器和外置宽带分频器等构成,实现了10~20 GHz范围内任意频率输出,具有输出频率宽、相位噪声低、集成度高、功耗低和成本低等优点.最后对该PLL电路杂散抑制和相位噪声的指标进行了测试,测试结果表明该PLL输出10 GHz时相位噪声优于-109 dBc/Hz@1 kHz,该指标与直接式频率合成器实现的指标相当. 相似文献
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介绍了一款用于分数分频频率综合器的具有量化噪声抑制功能的小数分频器。使用4/4.5双模预分频器,将分频步长降为0.5,使带外相位噪声性能提高6 dB。ΣΔ调制器和分频器的配合使用一种非常简单的编程方式。采用同步电路消除异步分频器的抖动。采用该分频器的频率综合器在SMIC 0.18μm RF工艺下实现,芯片面积为1.47 mm×1 mm。测试结果表明,该频率综合器可以输出1.2~2.1 GHz范围的信号。测试的带内相位噪声小于-97 dBc/Hz,在1 MHz频偏处的带外相位噪声小于-124 dBc/Hz。在1.8 V的电源电压下,消耗的电流为16 mA。 相似文献
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Low power fast settling multi-standard current reusing CMOS fractional-N frequency synthesizer 总被引:1,自引:1,他引:0
正A low power fast settling multi-standard CMOS fractional-N frequency synthesizer is proposed.The current reusing and frequency presetting techniques are adopted to realize the low power fast settling multi-standard fractional-N frequency synthesizer.An auxiliary non-volatile memory(NVM) is embedded to avoid the repetitive calibration process and to save power in practical application.This PLL is implemented in a 0.18μm technology. The frequency range is 0.3 to 2.54 GHz and the settling time is less than 5μs over the entire frequency range.The LC-VCO with the stacked divide-by-2 has a good figure of merit of-193.5 dBc/Hz.The measured phase noise of frequency synthesizer is about-115 dBc/Hz at 1 MHz offset when the carrier frequency is 2.4 GHz and the reference spurs are less than -52 dBc.The whole frequency synthesizer consumes only 4.35 mA @ 1.8 V. 相似文献
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A fractional-N frequency synthesizer fabricated in a 0.13 μm CMOS technology is presented for the application of IEEE 802.11 b/g wireless local area network (WLAN) transceivers.A monolithic LC voltage controlled oscillator (VCO) is implemented with an on-chip symmetric inductor.The fractional-N frequency divider consists of a pulse swallow frequency divider and a 3rd-order multistage noise shaping (MASH) △ ∑ modulator with noise-shaped dithering techniques.Measurement results show that in all channels,phase noise of the synthesizer achieves -93 dBc/Hz and -118 dBc/Hz in band and out of band respectively with a phase-frequency detector (PFD) frequency of 20 MHz and a loop bandwidth of 100 kHz.The integrated RMS phase error is no more than 0.8°.The proposed synthesizer consumes 8.4 mW from a 1.2 V supply and occupies an area of 0.86 mm2. 相似文献
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Yang Y.-C. Yu S.-A. Liu Y.-H. Wang T. Lu S.-S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2006,41(11):2500-2511
The first circuit implementation of quantization noise suppression technique for DeltaSigma fractional- N frequency synthesizers using reduced step size of frequency dividers is presented in this paper. This technique is based on a 1/1.5 divider cell which can reduce the step size of the frequency divider to 0.5 and thus the reduced step size suppresses the quantization noise by 6 dB. This frequency synthesizer is intended for a WLAN 802.11a/WiMAX 802.16e transceiver. This chip is implemented in a 0.18-mum CMOS process and the die size is 1.23 mm times 0.83 mm. The power consumption is 47.8 mW. The in-band phase noise of -100 dBc/Hz at 10 kHz offset and out-of-band phase noise of -124 dBc/Hz at 1MHz offset are measured with a loop bandwidth of 200 kHz. The frequency resolution is less than 1 Hz and the lock time is smaller than 10 mus 相似文献
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实现了一种基于标准0.18µm CMOS工艺的应用于北斗导航射频接收机的1.2GHz频率综合器。在频率综合器中采用了一种基于分布式偏置技术实现的低噪声高线性LC压控振荡器和一种基于源极耦合逻辑的高速低开关噪声正交输出二分频器,集成了基于与非触发器结构的高速8/9双模预分频器、无死区效应的延迟可编程的鉴频鉴相器和电流可编程的电荷泵。该频率综合器的输出频率范围从1.05到1.30GHz。当输出频率为1.21GHz 时,在100-kHz和1-MHz的频偏处相位噪声分别为-98.53dBc/Hz和-121.92dBc/Hz。工作电压为1.8V时,不包括输出Buffer的核心电路功耗为9.8mW。北斗射频接收机整体芯片面积为2.41.6 mm2。 相似文献