采用Matlab 语言的计算机仿真微球体消光率特性研究

采用Matlab 语言进行仿真并对Mie 理论中消光率(归一化消光截面) 的数学性质进行 理论分析与数值计算,讨论了消光率曲线的波纹结构与尺寸参数x 的关系以及波纹结构的峰值与Mie 散射振幅an ( x , m) 、bn ( x , m) 的对应关系。研究了消光率曲线波纹结构的近似周期与相对折射率m 的关系,并给出了计算机仿真运行结果。结果表明,消光率随x 的变化曲线具有波纹结构,当相对折射率m 增大时,这一现象变得不明显;当m 为实数,且m ≤2 时,消光率曲线的波纹结构具有单一周期性,并且波纹结构的峰值出现的位置与Re [ an ( x , m) ] 、Re [ bn ( x , m) ]的峰值出现的位置相对应;当m 为复数时,只要满足| Im( m) | < 0. 01 ,波纹结构仍具有相同的近似周期,只是振荡的振幅减小了,| Im( m) | 越大,波纹结构的振荡振幅越小。计算机仿真结果可为微球体光学性质的研究提供参考。     

黑体辐射中普朗克积分的新展式

讨论普朗克积分(相对波段光子出射度R_n(x)和相对波段辐射出射度R_m(x))在x≡hv/kT≤10情况下的幂级数展开式。利用解析开拓方法避开x=2πni处被积函数的奇性,给出高阶系数的解析展式,导出了R_n(x)和R_m(x)的若干幂级数展式,在|x—x_0|≤1时精度为10~(-9)～10~(-10);在|x—x_0|≤0.5时精度为10~(-12)。     

P~ 注入硅损伤层的椭圆偏振术研究

用椭圆偏振术研究了不同剂量P~ 注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.     

剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布

本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致.     

P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究

用椭圆偏振术研究了不同剂量P~+注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.     

GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定

提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同样可以表征外延层的质量.     

由带有随机噪声的相位重构信号

本文利用在θ(ω)上的独立随机噪声列η_n(ω)+θ(ω)得到了当|η_n(ω)|小于δ时重构信号x(n)的一个新方法且利用这种新方法得到了恢复的x(n)与其真值的误差估计式,估计了满足这个误差估计式的概率下界。该方法收敛速度较快。     

局域在浅施主能级上的电子输运行为研究

在0.3～4.2K的温度范围,测量了5块n-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.17～0.22)样品在强磁场下的横向磁阻和霍尔电阻.在4.2K以下,随温度降低,霍尔电阻与磁场的关系改变了原来的经典行为,在磁场0.4T附近逐渐出现了一个类似二维系统的霍尔平台,平台正对应SdH振荡的极小值.观察到霍尔系数振荡和SdH振荡有一个90°的相位差,且SdH振荡呈现反常的温度效应,与量子霍尔效应中的弱耗散性电流很相似.用类氢施主和无序引起的局域能级上存在准迁移率边的模型能很好地解释实验结果.     

怎样正确记录和书写测试数据(续)

5.2均值及标准偏差 均值 (?)=sum from n= to ∞(X_i/n) 利用随机误差的分布曲线,可以判断和确定产品在规定范围内的合格率,或者根据合格率来确定误差范围。 如果用P表示一批产品的合格率,问题就变成从-x偏差到+x偏差范围内曲线所占有的面积的百分比。 因为y=(dP)/(dX),所以合格率 P=integral from n=-x to ∞(+x(ydx)=integral from n=-x to ∞((1/(2πσ)~(1/2))e~-(x~2/(2σ~2))dx就表示误差在±x范围内出现的概率。     

类钙钛矿化合物SrNbO(3.5-x)(X≤0.1)的高分辩电子显微术研究

本文报导了SrNbO_(3.5)陶瓷样品在还原处理后[100]带轴高分辩晶格象的观察结果。发现氧不足SrNbO_(3.5-x)(x≤0.1)的晶体结构可由同类化合物系列A_nB_nO_(3n+2)(n=4,5,6,…,∞)描述。失氧量x改变时,SrNbO_(3.5-x)可形成某一n值的单一化合物,也可以相邻n值化合物之间的无序共晶生长方式存在。     

液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜晶体

由于冶金学性质的限制和高的Hg蒸汽压,要制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe块状晶体非常困难。然而,采用改进的开管水平滑移接触型液相外延(LPE)系统,能成功地控制生长系统中的Hg压和溶液的组分,在CdTe衬底上生长出Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜晶体。用金相观察、X光衍射、扫描电镜分析、电学测量等方法,证明了Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜晶体具有高质量。样品组分一般为x(?)0.2～0.4。薄膜层的厚度均匀,层厚在10～40μm之间。层的结构受CdTe衬底限制。低温纯化处理后,外延层为n型。x=0.27的外延层77K时的电学性质为n≤3×10~(15)/cm~8,霍尔迁移率μH为10~3～4×10~4cm~2/V·s。在国内首先做出了可以出售的光导探测器,此探测器在77K时,D_(λp)~*(500,1000,1)=2.8×10~9～1.8×10~(10)cm·Hz~(1/2)·W~(-1),可与块状晶体的相比较。     

电子束掺杂磷

本文提出了一种新的半导体掺杂方法.将掺杂杂质涂敷在待掺杂的半导体表面,利用连续电子束辐照实现了掺杂.其结深可由电子束的参数调节加以控制. 对掺磷的电子束掺杂层进行测量分析,表明,N_P=3.5 × 10~(10)cm~(-3),层内N(x)的变化范围为 10~(12)-10~(20)cm~(-3),μ(x)为 57-130(cm~2/V·scc);低能电子衍射图案呈单晶衍射点和菊池线;沟道背散射测量电子束掺杂层损伤比离子注入的小得多.用这一掺杂法研制成功的平面二极管,性能良好.     

优质GaAs/Si材料的研制

用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。     

用普通滑移舟LPE生长Hg_(1-x)Cd_xTe和退火对外延层性能的影响

在开管H_2气流系统中,利用普通滑移舟,在(111)A CdTe衬底上;液相外延生长出Hg_(1-x)Cd_xTe(0.17≤x≤0.3)外延层。用这种方法生长的x=0.2的外延层,空穴浓度在10~(17)—10~(18)厘米~(-3)范围,霍耳迁移率在100—500厘米~2/伏秒范围。外延层的表面似镜面一般,电子显微探针分析(EMPA)得到的外延层的数据表明:在外延层和衬底之间的界面处,有陡变的成份转变。也研究了在250—400℃温度范围内的Hg过压条件下,退火对生成层性能的影响。观测在400℃退火后界面附近组份的变化。与此相反,在250—300℃温度范围内退火,得到了性能良好的n型层,未出现明显的组份变化。同时论证了可以在(111)A CdTe衬底上连续生长Hg_(1-x),Cd_xTe/Hg_(1-y)Cd_yTe的双异质结构。     

Pb_(1-x)Sn_xTe质子轰击和等时退火

采用质子轰击使x=0.20和x=0.24 P型Pb_(1-x)Sn_xTe转变为n型。质子能量在200和450千电子伏之间。对于初始浓度低于10~(17)/厘米~3范围的P型Pb_(0.80)Sn_(0.20)Te.用5×10~(17)质子/厘米~2的剂量就能转变为n型。对于浓度与其相当的P型Pb_(0.80)Sn_(0.20)Te要转变型号,剂量需高过5×10~(15)质子/厘米~2。迁移率的变化不大,一般不超过三倍。转了型的样品,迁移率一般增加。使用等时退火研究了由质子造成的效应的稳定性。发现,转为n型的x=0.20和x=0.24两类样品,在退火温度接近或低于140℃时要返回P型。     

窄禁带半导体Pb_(1-x)Sn_xTe的带间磁光光谱及其能带参数的研究

用选支连续CO_2激光器为光源,首次对x=0.2 组分的n型Pb_(1-x)Sn_xTe 单晶进行了法拉第构象下圆偏振光的磁光反射光谱的测量.样品温度在10—50K范围内,磁光反射谱的振荡峰值对应L_1~6价带到L_3~(6＇)导带朗道能级间的跃迁. 采用k·p微扰理论模型,用上述峰位,经过拟合计算得到了该模型下此x值处能带边有效质量、g因子、各向异性因子、能隙等参数.结果发现,远带对有效质量贡献较大,特别是对纵向有效质量的贡献可达到30％,并带来一定程度的导带、价带不对称.相比之下,远带对g因子则影响很小.x=0.2时各向异性因子为10的量级,并随能隙而变化,远带作用使它有所降低.     

采用Matlab语言的计算机仿真微球体消光率特性研究

采用Matlab语言进行仿真并对Mie理论中消光率(归一化消光截面)的数学性质进行理论分析与数值计算,讨论了消光率曲线的波纹结构与尺寸参数x的关系以及波纹结构的峰值与Mie散射振幅an(x,m)、bn(x,m)的对应关系。研究了消光率曲线波纹结构的近似周期与相对折射率m的关系,并给出了计算机仿真运行结果。结果表明,消光率随x的变化曲线具有波纹结构,当相对折射率m增大时,这一现象变得不明显;当m为实数,且m≤2时,消光率曲线的波纹结构具有单一周期性,并且波纹结构的峰值出现的位置与Re[an(x,m)]、Re[bn(x,m)]的峰值出现的位置相对应;当m为复数时,只要满足|Im(m)|<0.01,波纹结构仍具有相同的近似周期,只是振荡的振幅减小了,|Im(m)|越大,波纹结构的振荡振幅越小。计算机仿真结果可为微球体光学性质的研究提供参考。     

LPE Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结缺陷研究

本文用熔融KOH化学择优腐蚀,金相显微镜,扫描电镜阴极荧光研究了液相外延生长的Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位错的延伸和分布.观察到异质结Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位铅延伸和密度分布与界面成分值x有关.在一定x值范围内,观察到界面层中存在位错网络,这种位错网络对衬底位错向外延层延伸有抑制作用.在此x值范围内外延层是无位错的.用高压透射电镜观察位错网络的平面和剖面分布特征,并对网络形成机理进行了定性讨论.     

Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介电陶瓷的研究

研究了Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0～1)陶瓷微波性能,并对其微观机理和晶体结构进行分析.随Bi_2O_3含量的增加,系统介电常数(ε)迅速增大,品质因数与频率的乘积(Q·f)逐渐减小.掺入Bi_2O_3后,系统中出现具有高ε的Bi_4Ti_3O_(12)晶相,并形成了类填满型钨青铜结构,阳离子极化增强,因此ε随Bi_2O_3含量的增加而增大.实验表明,当y=0.25～0.3时,Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x =0～1) 陶瓷具有优良的微波介电性能,其主要工艺条件和性能参数为烧结温度1 200 ℃保温4 h,ε≈102～107,Q·f≈20 000～22 000 GHz(1 GHz测量), 容量温度系数|αc|<10×10~(-6)/℃.     

分解大整数的一个新方法

In this paper, we prove the following result: Let a and bbe large integers, satisfying that (a, b)=1. If Diophantine equation ax+by=z has solutions: |X0|=O(log2ab) |y0|=O(log2ab) |Z0|=O(log2ab) then there is a polynomial-time algorithm that factors a large integern = ab , which runs in O(log2 6 n) time. Based on the proposed algorithm, we can factor easily n=1600000000000000229500000000000003170601. In fact, we have n=20000000000000002559 ×80000000000000001239, where 20000000000000002559 and 80000000000000001239 are all safe primes. Our result also shows that some safe primes are not safe.