用银-氯化银作ISFET参比电极的可行性研究

本文叙述了用银-氯化银作参比电极的复合离子敏感场效应晶体管的制备、原理和测量结果。通过实验和理论分析,提出了用无液接的银-氯化银电极作参比电极的可行性和克服其不稳定性的途径;并对用银-氯化银参比电极测量Na+,Ca++等阳离子时,敏感场效应晶体管不符合能斯特响应的现象进行了解释。     

NaTPB修饰TISFET制作Drug FET的研究

用四苯硼钠(NaTPB)修饰离子敏感效应晶体管(ISFET)制成药物敏感场效应晶体管(DrugFET),具有良好的能斯特响应,斜率为58mV/pC以上,线性范围为1.0×10     

Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管研制及敏感机理的分析

前言 目前,飞速发展的生物学和生物医学工程迫切要求获得更多的生物学数据,特别感兴趣测量如H~ 、Na~ 、K~ 等离子活度及其离子活度的变化。大家知道,医生给病人看病,就是询问病情,化验血液、粪便等,直接或间接地获得有关病情的资料或数据,然后对这些数据进行处理,对症下药,一组科学的、真实的数据对病情诊断治疗方案都会产生直接的影响。人们渴望能制造测量人体生理数据的各种新型器件,如用离子敏感器件测人体血液的PH值,用压敏器件测血压等…以满足生物、医学工程发展的需要。最近,我们试验成功以Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管,其灵敏度为45mV/PH左右,比我们去年试制的SiO_2绝缘栅离子敏感晶体管灵敏度好,予期它在测量人体血液中的氢离子活度方面将开辟出新的     

聚合物半导体PAn表面场效应管

本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。     

微型钾离子敏感器件的理论研究

我们研究的微型K~+-IS FET的结构如图1所示.K~+-IS FET的响应机理,主要是由电解液-敏感膜界面的界面势的产生,导致K~+-ISFET的沟道电导的变化,引起漏源电流的改变,从而可检测溶液中的K~+离子活度.关于界面势的产生机理有许多解释,总括起来,目前用得较多的模型有两种,一种是扩散模型,另一种是格点桥键模型.我们认为,对非阻挡型敏感膜(PVC膜),用扩散模型解释其响应机理较为合适.     

宽带砷化镓场效应晶体管放大器的设计

实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的虚部用电抗补偿器转换成任意电阻,然后再用分节阻抗变换器转换成50欧姆特性阻抗。对于采用 f_(max)-15千兆赫砷化镓场效应晶体管的放大器,在6.5千兆赫时得到2千兆赫1分贝带宽和5分贝的增益,且其值大致与计算值相符。己实现7分贝的噪声系数。     

场效应晶体管

所谓场效应晶体管(FET)就是用栅电极来控制源、漏电极之间电流沟道的导电率使电流变化的晶体管,按照栅电极的结构有用pn结形成栅的结型场效应晶体管(JFET),用肖特基势垒形成栅的肖特基势垒场效应晶体管(SB FET)和在绝缘层上形成金属的绝缘栅场效应晶体管(MIS FET)三种。至今为止,FET中进展较快并已实用化的是MISFET,其中主要是绝缘层用SiO_2的MOSFET,这种趋势即使在今后还会继续下去。     

低能量He-Ne激光照射体外循环血液对IDDM患者红细胞膜ATPase活性的影响

本文研究了低能量He-Ne激光照射体外循环血液对IDDM患者红细胞膜ATPase(Na~+/K~+-ATPase,Ca~(2+)-ATPase、Mg~(2+)-ATPase)活性的影响,结果表明,IDDM患者膜泵功能活性显著降低;低能量He-Ne激光照射血液可激活膜ATPase活性。作者讨论了膜泵功能降低及激光作用的可能机制。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

制作高速GaAs场效应晶体管用的微细光刻技术

本文论述了用来制作高速GaAs金属-半导体场效应晶体管(MESFET)的源、漏和栅电极的微细光刻技术。用剥离法和常规光刻制备了MESFET的源和漏电极,并叙述了用斜角蒸发形成亚微米栅长的工艺过程。还详述了用电子束刻蚀技术进行栅极的描绘乖抗蚀剂剖面的控制。提供了在制作GaAs场效应晶体管(FET)和微波单片集成电路(MMIC)过程中,应用这些工艺技术实例的有关数据。     

ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10~(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.     

晶体管、MOS器件

Y98-61303-305 9905795无线通信的低噪声场效应晶体管(FET)设计=Lownoise FET design for wireless communications[会,英]/Franca-Neto,L.M.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—305～308(AG)本文研究了对适合于无线电通信用的低噪声场效应晶体管(FET)设计的半导体器件的噪声进行显微分析的新方法,包括计算器件噪声性能的计算方法。并将模拟结果同公布的亚微米 CMOS 晶体管的研究结果进行了比较。参5     

砷化镓等离子体阳极氧化及其在MOS场效应晶体管中的应用

本文报导了高频辉光放电等离子体中阳极氧化砷化镓、制备砷化镓自身氧化膜的低温、干法工艺。对氧化条件、影响氧化速率的因素、自身氧化膜的性质进行了初步研究。得到了均匀、透明、无定形的氧化膜,平均折射率为1.7～1.9。膜的击穿场强可达10~6Vcm~(-1)数量级,并对其C-V特性进行了测试。用GaAs等离子体自身氧化膜作MOS晶体管的栅绝缘层,制成了N沟道耗尽型场效应晶体管。其输出特性为饱和电流19mA,饱和压降3V,跨导0.7～4mS。栅、漏击穿电压18V,夹断电压-10V。研究表明,GaAs等离子体自身氧化膜是一个有应用前途的介质膜。     

砷化镓网状源微波功率场效应晶体管

肖特基势垒栅宽度为8毫米的网状源砷化镓微波功率场效应晶体管已经研制成功。在源漏电压为8伏和2千兆赫下,器件的输出功率为1.6瓦,功率增益为5分贝,漏的效率为30％。采用多层电极结构是为了在8×10~(-2)毫米~2的面积上分别地并联80个岛状漏和20个苜蓿叶片状栅。     

金属支架对BLM的K 离子敏感特性的影响

BLM(双层类脂膜)的金属支撑构成了一种电化学传感器.这种传感器的化学反应和电现象之间的转化,是通过金属对BLM的支撑来实现的,不同于经典的电化学换能器.用缬氨霉素修饰的BLM作为敏感膜,制成金属-BLM和经典电化学K 离子电极.通过两种电极对K 离子检测的对比实验,以及不同直径和新鲜面不同给出方法的金属-BLM电极的对比实验,探讨了BLM的金属支撑对BLM的K 离子敏感特性的影响.从实验数据看,BLM的金属支撑在性能上优于经典电化学传感器,但支撑介质的新鲜面对BLM的K 离子敏感特性有影响.     

光伏锑化铟探测器低噪声前置放大器及其背景热辐射补偿

1.引言光伏锑化铟器件是一种性能优良的红外探测器,它的工作波长为1～5.5μm,正好包含了J、H、K、L和M五个重要的大气窗口,量子效率较高η≥50%),噪声等效功率低达1×10~(-15)W·Hz~(1/2)左右,是目前天文观察最常用的红外探测器。光伏锑化铟探测器具有很高的等效输出阻抗,在工作温度(50～77K)下通常为10~8～10~(12)Ω~([1])。高输出阻抗将降低噪声电流,并使NEP降低,但高输出阻抗探测器也对前置放     

半导体和超导体混合晶体管的研究进展

半导体和超导体混合晶体管是指以超导体为源极和漏极,半导体为沟道而构成的超导体一半导体混合场效应晶体管(简称混合型场效应晶体管或超导场效应晶体管)和以超导体为基区,半导体为发射区、集电区而构成的超导体-半导体混合结型晶体管(常称超导基区晶体管或超导基区热电子晶体管)。本文将讨论这     

极低阈值GaInAsP激光器与MISFET在半绝缘InP衬底上单片集成

本文报道了采用单一液相外延(LPE)生长工艺制得1.3微米沟槽形激光器与金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（简称MISFET)单片集成器件。当激光器腔长为300微米时，所获得的阈值电流低至14亳安。在LPE生长的InP层上具有n沟道金属绝缘半导体(MIS)耗尽型场效应晶体管(FET)典型的跨导为5~10亳欧姆。在两倍阈值电流以上演示了由FET电流调制激光器的情况。     

用于场效应晶体管的砷化镓的氢化物汽相外延生长

利用氢化物的汽相外延技术(AsH_3+HCl+Ga+H_2)生长了适宜制备金属半导体场效应晶体管的GaAs外延材料。外延材料的性质和由这种材料制备的场效应晶体管的特性同液相外延技术及比较通用的AsCl_3汽相外延生长技术所得的相类似。在面积约为6.5厘米~2的衬底上,外延层薄层电阻的均匀性约为5％(对平均值的偏离)。建立了一种生长缓冲层的新技术。实验发现,将NH_3掺入AsH_3的气流时,可以使4～9×10~(15)厘米~(-3)的本底杂质浓度降低到小于10~(14)厘米~(-3)。通过调制生长时的气体流量,在一次工艺生长流程内制备了较复杂的n~+/n/缓冲层结构。     

用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管

据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET)所需的均匀的n型掺杂层来说,硫离子注入半绝缘砷化镓已显示出它是一种有吸引力的可与气相外延抉择的方法。开始用与资料相似的实验条件(150千电子伏、1×10~(13)厘米~(-2)及30千电子