一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装

采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装.此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成.完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验.结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8mm×1.2mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5ns,开关时间为10.6 ns.将WLCSP的驱动器安装至厚度为l mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕.无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N.     

点胶球形阵列封装组件机械弯曲可靠性研究

本文对比了两组经不同材料充胶的BGA组件和一组未充胶BGA组件在机械弯曲中的可靠性,包括三点弯试验和机械弯曲疲劳试验。结果发现在机械弯曲可靠性试验中,U1、U2材料的填充均能提高焊点的机械弯曲可靠性,并且U1的效果更好。通过对试样剖面显微观察,发现在用U1充胶的样品中,失效发生在焊点、PCB板处;而在其它两组样品中,失效发生在焊点、PCB板和铜焊盘三处。     

再流焊高温对导电胶粘接工艺可靠性影响研究

该文描述了H20E导电胶粘接工艺优化为先粘接固化再回流焊接工艺流程后过程经过高温冲击,对该工艺流程下环氧胶粘接强度、电气连接可靠性进行验证.通过剪切强度评价、可靠性试验考核、接触电阻测试统计分析、电容粘接界面切面微观金相研究,表明工艺流程优化为先粘接再回流焊接,H20E导电胶粘接工艺满足可靠性需求.     

粘片工艺对QFP封装可靠性的影响

集成电路封装行业的快速发展对粘片后产品的质量与可靠性提出了更高的要求,粘片工艺对集成电路可靠性有着至关重要的影响。采用单一控制变量法,研究硅微粉含量对QFP(Quad Flat Package)封装可靠性的影响;利用正交试验工具,探究在粘片工艺中,不同的胶层厚度和胶层面积对QFP封装后可靠性的影响。研究发现,添加适量的硅微粉有助于提高环氧模塑料对QFP封装后的可靠性;粘片工艺中,当胶层厚度为30μm、胶层面积大于或等于芯片面积时,QFP封装后的可靠性最好。     

640×512InGaAs探测器驱动电路设计

在介绍了640×512 InGaAs探测器工作原理的基础上,详细分析了InGaAs探测器驱动电路的组成原理、设计方法,重点是偏置电压电路、脉冲电压与控制信号驱动电路、探测器工作温度检测及控制电路的设计等关键技术.采用模拟PI温控电路保证了探测器内部制冷器在温控过程中对探测器无干扰,并能使探测器稳定地工作在合适的温度点,这样有利于提高仪器的信噪比.试验结果表明:该驱动电路满足系统要求,能用于工作温度比较宽的场合,并具有体积小、实用性好、可靠性高等特点.     

快压覆盖膜填胶过程研究

挠性板生产过程中,层压填胶覆形是最重要的步骤之一。本文通过快压填胶试验研究了覆盖膜的PI层厚度、胶层厚度、线路铜厚、线距、层压参数、PE覆形等对板间线路填充效果的影响,并结合缺陷图片对树脂流动行为作了初步分析,指出填胶缺陷形成原因,对FPC压合材料的选择、工艺参数的优化具有一定的指导意义。     

一种新型粘接胶在厚膜混合集成电路中的推广应用

本文对现用粘接胶存在的问题进行了阐述，针对该问题选择了4种新型粘接胶，通过对比试验优选出0145粘接胶，并进行可靠性研究。     

环氧胶膜及PI覆盖膜保护FPC线路的耐弯折性研究

本文研究环氧胶膜和在PI表面涂覆环氧胶的覆盖膜在保护FPC线路的耐弯折性进行了考察测试,结果证明环氧纯胶膜对FPC的线路有保护作用,但其耐折性和挠曲性明显不如PI覆盖膜好,在实际使用场合可根据需要选择使用。     

铁氧体环形器的环氧胶工艺试验及选型

铁氧体环形器采用环氧胶粘接零部件,在后续装配过程中会经历中温焊接、汽相清洗及温度冲击等严苛的物理和化学环境,因此选择一款高强度、耐清洗、耐温性较好的环氧胶,对产品的质量和可靠性至关重要.通过一系列工艺试验,为产品选型提供量化数据,确保环氧胶较高的粘接强度,从而提高产品的质量.     

中温固化环氧胶及其胶接电子机柜骨架的可靠性

文章论述了中温固化双组份环氧胶各组份和制备工艺与胶接性能的关系；对该胶胶接铝型材电子机柜骨架的胶接接头的可靠性作了大量试验，十几年的生产使用证明胶接电子机柜是十分可靠的。     

MEMS机油压力传感器可靠性研究

研究了封装工艺对传感器可靠性的影响.分析和实验结果表明,机油压力传感器封装材料及各个工艺步骤都会影响传感器的性能和可靠性.贴片胶性能不能满足可靠性要求,会引起传感器信号漂移和高温不稳定性;引线键合强度不够,在工作中会断裂;硅油化学稳定和耐温性能不够好,会造成传感器高温输出信号不稳定,硅油中的空气和杂质会造成传感器零点输出偏大,使传感器的精度下降等.     

塑封胶吸湿对器件分层影响的研究(英文)

进行3种塑封胶的吸湿试验来证实其在相同器件中的不同可靠性表现由吸湿量的差异造成,得到了树脂相同的塑封胶的吸湿量与二氧化硅填充量之间的关系。证实了MSL3条件下塑封胶吸湿遵循Fick定律,并且得到了MSL3条件下3种塑封胶中湿气的扩散系数。综合考虑回流过程中蒸汽压、塑封胶吸湿膨胀和热膨胀,进行了界面分层风险的定量分析。     

黑色覆盖膜的研究进展

本文概述了常用的制备黑色覆盖膜的技术途径,其一是采用黑色聚酰亚胺（PI）膜搭配普通胶液的方式获得黑色覆盖膜,在此重点介绍了几种黑色PI膜;其二是采用黑色胶液搭配普通PI膜的方式获得黑色覆盖膜,在此重点介绍了炭黑的制备方法及重要参数,尤其对炭黑的导电性进行了阐述;最后展望了黑色覆盖膜的发展前景。     

CCGA焊柱加固工艺技术研究

针对陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装的焊接界面在热冲击试验中出现的断裂失效问题,探讨了如何通过加固CCGA焊接界面来提高器件可靠性的工艺技术.该工艺通过在焊接区域涂覆适量的环氧胶来对焊接界面进行加固保护,对于提高焊柱的抗热冲击能力具有明显的作用,并且能够有效地提高焊柱的可靠性.此外,为了进一步地提高CCGA器件的组装可靠性,对新型结构焊柱进行了相关的试验验证.     

高热导率纳米银胶的可靠性研究

对无压力低温固化纳米银胶的连接强度、导热性和导电性及其可靠性进行了研究,并与Au80Sn20焊料及普通导电胶进行对比。结果表明:纳米银胶连接强度高,平均剪切强度可达28 MPa;导热性能优异,连接层热阻接近Au80Sn20焊料层热阻;在严酷的热应力和机械应力试验后,其连接强度、导热性和导电性保持稳定,没有退化现象产生。因此,无压力低温固化的纳米银胶作为高功率器件连接材料具备较高的可靠性。     

基于DSP无差拍控制的逆变电源研究

随着高性能数字信号处理器的广泛应用,传统模拟控制的逆变技术被数字化电源取代已成为必然趋势.逆变电源因非线性负载等因素引起的干扰,采用常规控制难以获得理想的控制效果.提出一种基于DSP实现的PI控制和无差拍控制方法相结合的数字双闭环控制方法.逆变器控制电路的电流内环采用优化了的数字PI控制方法;电压外环采用干扰预测型无差拍控制方法.该方案将无差拍控制的瞬时响应快,精度高和PI控制简单,参数易整定,鲁棒性好等优点相结合,能够得到更优的控制效果.最后的仿真试验表明,采用数字双闭环控制方法的逆变器具有输出波形好,响应快和负载适应能力强等优点.     

InSb红外探测器芯片粘接工艺研究

基于InSb红外探测器的封装特点,采用正交试验法研究了芯片粘接过程中基板平整度、粘接剂抽真空时间、配胶时间、固化条件等工艺参数对芯片性能及可靠性的影响。通过计算极差和方差分析了各因素对芯片可靠性的影响大小。结果表明,固化条件对粘接后芯片的性能影响最大,其次是配胶时间,而抽真空时间和基板平整度影响相对较小。针对极差分析得出的较优参数组合和较差参数组合,利用X射线衍射(XRD)研究了不同参数组合对晶片粘接的应力大小,所得结果与正交试验一致。     

高耐化学性覆盖膜的制备与应用研究

制备一种环氧涂层并在PI表面涂布,固化后得到涂层PI膜。在涂层PI膜的另一面涂布一层改性环氧胶粘剂,并与离型纸覆合,即得到耐化性涂层覆盖膜。对比测试耐化性涂层覆盖膜和普通覆盖膜的耐碱性、耐除胶渣性能及其他各项基本性能。结果显示,涂层可有效保护PI膜不被碱液及除胶渣药水咬噬;涂层覆盖膜与普通覆盖膜在柔软性、耐热老化性能、耐热性、力学性能、耐折性及激光加工性方面基本相当。     

无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片结合力的考察

文章对刚挠结合印制板用无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片的结合力进行了考察,结果表明增加PI表面粗糙度和减小PI表面接触角可以提高结合力,但一般不大于0．6N／mm;对PI表面进行等离子处理可以将结合力提高到客户要求的大于0．8N／mm;而提高无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片结合力的最有效的方法是使用高锰酸钾溶液对PI进行表面处理,在合适的条件下,结合力可达到1．15N／mm。     

微波器件胶粘可靠性试验与失效分析

本文结合使用的Ｘ９８－１１缩醛烘干胶液特点说明粘结原理，通过试验给出数带器件使用的介质和基片间胶接的粘结强度值，根据试验结果进行相关的失效分析，并给出提高粘结强度即微带器件粘结可靠性有效途径。