Ti~（3＋）离子掺杂浓度与Ti：Al_2O_3晶体的光谱畸变

通过室温下掺杂浓度为０．０３～０．４５Ｗｔ－％范围的Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体的偏振激发光谱，荧光光谱和吸收光谱的测量，从实验上确信，Ｔｉ３＋在Ａｌ２Ｏ３基质晶体中不易形成Ｔｉ３＋离子对。并且发现，随着Ｔｉ３＋离子掺杂浓度的提高，偏振激发光谱发生了（ｌ）肩／峰强度比增加和（２）长波展宽现象，而相应波段的吸收光谱却未发现这种浓度效应导致的线型畸变。     

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。     

GSMBE原位生长SiGeHBT材料

采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅＨＢＴ结构材料,经Ｘ射线双晶衍射,透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好,无应力弛豫,界面平整陡峭．发射区Ｎ型掺杂浓度２e１９～１e２０ｃｍ－３,厚度１００～２００ｎｍ;基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ组分０．０５～０．２０,Ｐ型掺杂浓度５e１８ｃｍ－３,厚度４０～１００ｎｍ;集电极浓度～１e１６ｃｍ－３．达到了生长ＳｉＧｅＨＢＴ材料的条件．     

自锁模掺钛蓝宝石激光超短脉冲脉宽小于31 fs

自锁模掺钛蓝宝石激光超短脉冲脉宽小于３１ｆｓ我们利用自己生长出的高质量、高掺杂的掺钛蓝宝石晶体，获得了高效率的超短脉冲激光输出。Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３激光棒尺寸为４×４×５ｍｍ３，吸收系数α４９０＝６．２ｃｍ－１，品质因数ＦＯＭ＝１２０。采用自锁模技术...     

InCl分子B~3∏_1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣｌ分子 Ｂ３∏１→Ｘ１∑＋荧光光谱进行了分析和归属,并对Ｂ３∏１（ｖ’＝０）→Ｘ１∑＋（ｖ＂＝０）的时间分辨谱进行了观测．首次得到ＩｎＣｌ分子Ｂ２∏１态（ｖ＇＝０）无碰撞辐射寿命 ０≈３５３ｎｓ;无辐射弛豫速率常数ｋＱ≈１．９８５×１０－１０ｃｍ３ｍｏｌｅｃ－１ｓ－１及电子跃迁矩｜Ｒｅ｜２＝ ０．４０Ｄ２．     

表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

钛宝石晶体中的红外残余吸收与点缺陷的关系

测量了钛宝石晶体在可见光至近红外区的吸收光谱，以及傅里叶变换红外光谱．主吸收、残余吸收以及氢氧根的振动吸收带的强度间的关系显示出：钛宝石晶体中的红外残余吸收不是由与钛离子相联系的结构缺陷引起的，残余吸收确实是 Ｔｉ３＋－Ｔｉ４＋离子结对的结果．Ｔｉ３＋－Ｔｉ４＋离子结对的位置很可能位于基质晶体与晶体中异相物（ＴｉＯ２）的界面区或异相内，即钛宝石晶体中的红外残余吸收是位于基质晶体与异相物（ＴｉＯ２）的界面或异相物中的了Ｔｉ３十离子的３ｄ电子的能级跃迁的结果．     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

Low resistivity as-deposited ohmic contacts to 3C-SiC

The contact resistivities of Al and Ti ohmic contacts to n-type 3C-SiC were measured using the circular TLM method. The surface doping concentration under the contact was increased by ion-implantation of nitrogen into SiC. The contact resistivity was observed to decrease with increasing surface doping concentration for both Al and Ti contacts. The minimum value for the contact resistivities for Aland Ti contacts was 1.4x 10^-5and 1.5 x 10^-5 ω cm², respectively, at the surface doping concentration of 3 x 10²⁰ cm^-3 without any annealing of the contacts. These values are an order of magnitude lower than previously reported minimum values for as-deposited ohmic contacts on n-type 3C-SiC.     

Improved gain characteristics of high concentration erbium-doped phosphate fiber amplifier

Both cooperative up-conversion and pair-induced concentration quenching of erbium-doped phosphate fiber with high doping concentration are considered for the first time in this letter. The dependence of the calculated gain on pump power is compared with measured data, and the results show that ion pair may exist in erbium-doped phosphate fiber with doping concentration of 3.8/spl times/10/sup 26/ ion/m/sup 3/. For several erbium-doped phosphate fibers with different lengths, improved gain may be obtained with higher doping concentration.     

Sr3Ga2O5Cl2:Sm3+荧光粉的制备及发光特性

采用传统的高温固相法成功合成了Sr3-xGa2O5Cl2:Sm3+系列橙红色荧光粉。使用X射线衍射仪（XRD）测试了样品的晶体结构,样品的形貌和颗粒尺寸由扫描电子显微镜（SEM）表征,使用荧光光谱仪测试了样品的光致发光光谱和衰减寿命。Sr3Ga2O5Cl2晶相为单斜结构,掺杂的Sm3+离子取代Sr2+的格位成为荧光粉的发光中心。样品的激发光谱由O2-→Sm3+的电荷迁移带和Sm3+离子4f内层电子的特征激发峰组成,位于230 nm、404 nm的激发峰较强。发射光谱的峰值位于565、601、650 nm处,分别对应于Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2、4G5/2→6H9/2特征跃迁。样品的发光强度随着Sm3+浓度的增加先增大后减小,最佳掺杂浓度为3.0% mol。根据实验数据对浓度淬灭的原因进行了探讨,浓度淬灭机理为电偶极-电偶极相互作用。     

各种稀土离子对掺钕无机液体激光性能影响的研究

本工作成功地合成了十四种稀土三氟醋酸盐,从而解决了各种稀土离子在POCl_3—SnCl_4或ZrCl_4体系中的溶解掺杂及消除水的猝灭作用问题.观察了十四种稀土离子对掺Nd~(3+)的POCl_3—P_2O_3Cl_4—SnCl_4混合体系的激光性能和荧光寿命的影响,得到了一些有规律性的数据.     

Ba2+掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷结构与电性能的影响

采用传统固相法制备了Ca1-xBaxCu3Ti4O12(x=0, 0.005, 0.010, 0.020, 0.030, 0.040, 0.050, 0100,摩尔分数) 陶瓷。用X线衍射仪、扫描电子显微镜、介电温谱测试系统及阻抗测试仪研究了Ba2+掺杂量的变化对Ca1-xBaxCu3Ti4O12陶瓷的相结构、微观形貌及电性能影响。研究结果表明,随着Ba2+掺杂量的增加,陶瓷试样产生了第二相CuO,同时Ba2+掺杂使CaCu3Ti4O12的晶格常数增大。Ca1-xBaxCu3Ti4O12陶瓷的晶粒尺寸随Ba2+掺杂量的增加而减小,气孔率随之降低。掺杂适量的Ba2+可有效降低CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗,也可降低相对介电常数随温度的变化率。一定量的Ba2+掺杂还能增加CaCu3Ti4O12的晶界电阻。     

(Magic Dopant) Amphoteric Behavior of a Redox‐Active Transition Metal Ion in a Perovskite Lattice: New Insights on the Lattice Site Occupation of Manganese in SrTiO3

It is demonstrated that a transition metal redox‐active ion can exhibit amphoteric dopant substitution in the SrTiO₃ perovskite lattice. In stoichiometric SrTiO₃, the manganese dopant is preferably accommodated through isovalent substitution as Mn²⁺ on the strontium site and as Mn⁴⁺ on the titanium site. Previous studies have suggested that either type of substitution is possible for compositions with tailored Sr/Ti stoichiometry. Using electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopy, the site occupancy of dilute concentrations of manganese is investigated in SrTiO₃ as a function of the Sr/Ti ratio. The tuned Sr/Ti ratio can be used to manipulate the nature of the manganese substitution, and it is shown that Sr‐rich compositions (Sr/Ti > 1.001) processed in air result in B‐site isovalent doping. For B‐site substituted manganese ions, a new EPR signal for aliovalent Mn²⁺ is observed in compositions annealed under reducing atmosphere. The concentration of oxygen vacancies observed with EPR is also shown to depend on the Sr/Ti stoichiometry. With improved control over the site of substitution and valence state, doping with a transition metal redox‐active ion may facilitate the ability to engineer new electronic functionality into the perovskite lattice.     

掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究

研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外，可见及红外光谱，首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值（第一阀值）时，Fe^3 离子和部分Fe^2 离子的晶格占位由锂位变为铌位，但仍有部分Fe^2 离子留在锂位，晶体缺陷化学分析表明，继续增加掺镁量，占锂位的Fe^2 离子数瘵逐渐减小，当掺镁量达到另一个适当的值（第二阀值）时，全部Fe^2 都占铌位，晶体的抗光折变能力空前提高，这种现象称作双阀值效应。     

La-,Ca-PbTiO_3纳米晶的结构和声子特性

采用水热法制备了不同掺杂浓度的La PbTiO3(PLT)、Ca PbTiO3(PCT)纳米晶 ,平均粒径30nm。通过透射电境、X光衍射和拉曼散射对纳米晶的晶格结构和声子特性进行了研究。结果表明掺镧引起PbTiO3声子软化 ,相变温度降低 ,并导致晶格四方性减小 ,当掺镧浓度达到 15 %时 ,发生四方 立方相变 ;掺钙亦使PbTiO3四方性减小 ,但未引起声子软化及结构相变。我们认为PbTiO3纳米晶铅位掺杂引入多余电荷使Ti O杂化减弱 ,是导致铁电极化减弱和结构相变的主导原因     

掺杂和碳包覆对锂离子电池负极材料Li_4Ti_5O_(12)性能的影响

采用固相法首次合成了碳包覆的掺杂不同金属离子的锂离子电池负极材料Li3.9M0.1Ti5O12/C(M=Mn、Cu、Mg),对材料进行了循环伏安测试及恒电流充放电测试。结果表明:金属掺杂未改变材料的晶体尖晶石结构,由于金属离子对Li4Ti5O12的晶胞内部的掺杂和C对其外部的包覆,使复合材料的锂离子扩散速率、大电流循环稳定性和可逆容量都明显提高。在1C充放电循环时,Li3.9Mn0.1Ti5O12/C、Li3.9Cu0.1Ti5O12/C、Li3.9Mg0.1Ti5O12/C首次放电容量分别达到156.6,162.4和169.8 mAh/g;50次循环后,容量分别保持在155.4,159.6和169.7 mAh/g,展示了优良的电化学特性。     

Yb3+掺杂氟铝酸盐玻璃的光谱性质

根据测得的Yb^3 离子在氟铝酸盐玻璃中的吸收光谱和荧光光谱，分析了Yb^3 离子在氟铝酸盐玻璃中的吸收和发射特性，计算了Yb^3 离子的发射截面，讨论了Yb^3 离子的荧光自吸收效应和浓度猝灭效应。结果表明，自吸收效应使Yb^3 离子实测发射截面与计算所得发射截面存在较大差异并使荧光强度降低，高掺杂时Yb^3 向杂质Er^3 的能量传递是导致浓度猝灭的另一重要原因。