手机用彩色TFT-LCD驱动控制芯片的驱动电路设计

目前TFF-LCD彩色液晶显示屏被广泛应用于中高档彩屏手机中。TFT-LCD驱动控制芯片作为手机主机与TFT-LCD显示屏之间的接口电路，控制和驱动显示屏的彩色显示，其性能直接影响着显示画面的质量和系统功耗。文章从TFF-lED的驱动原理出发，提出了手机用26万色彩色TFT-LCD驱动芯片的驱动电路设计方法，包括gamma校正电路，gate driver电路和source driver电路的结构与功能分析，最后给出了Hspiee的仿真结果。     

拼接式彩色等离子体大屏幕显示驱动电路的研究

针对拼接结构的高分辨率彩色等离子体大屏幕系统的应用，指出了刷新型电路模式的不足之处，提出了一种混合型模式的驱动电路。从彩色模块ＡＣＰＤＰ的结构特性出发，详细讨论了该电路的工作原理，驱动波形以及放电过程。     

大屏幕彩色PDP的驱动方法与实现

介绍了彩色PDP的显示原理,并分析了表面放电式彩色PDP的驱动方法及其产生彩色灰度的原理和由此带来的伪轮廓负面效应,采取了优化子场分配的减小伪轮廓效应的措施;提出了减小背景亮度的驱动方法提高显示对比度;自行研制了彩色PDP的驱动、控制电路系统,在国家平板显示工程技术研究中心研制的WVGA(852×480)分辨率的107cm(42in)彩色AC PDP显示板上进行了调试,实现了动态彩色图像显示,图像显示亮度和对比度高、颜色鲜艳、自然逼真,扫描驱动IC的工作电压比常规驱动方法有明显降低,能量恢复效果明显,电路工作稳定。实验结果表明,该电路具有实用价值和广泛的应用前景。     

大屏幕FED集成驱动电路的研制

论述集成场致发射显示系统的工作原理,主要包括了数字视频图像的转换和处理、视频数据的传输、列灰度驱动集成HV632PG和行集成驱动器STV7697芯片的接口电路以及FPGA控制技术等。采用集成FED驱动系统研制出了彩色FED显示器样机,首次用于大屏幕低逸出功型印刷式场致发射显示器,能显示彩色视频图像。FED驱动电路的集成化大大地降低电路结构的复杂性,使整个驱动电路的稳定性提高,厚度变薄、重量减轻。样机亮度已达200 cd/m2、对比度达600∶1,显示分辨率为480×240,电路灰度等级达256级,有效显示对角线尺寸为63.5 cm(25 in)。     

一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

FED矩阵扫描功率放大电路的研究

采用分立、集成及它们的混合方案来实现场致发射显示器矩阵扫描功率放大电路.分立式采用功率型MOS管组成的推挽功率放大电路来实现,集成式主要是基于PDP专用驱动芯片STV7697B,详细介绍了电路设计方案,混合式驱动方案结合了分立和集成两种驱动方式的优点,这个方案在FED的应用尚属首次.这些方案已经应用于25英寸彩色FED驱动系统中,能显示各种彩色视频图像,亮度达410 cd/ m2,对比度达1 010∶1.其中基于STV7697B的分立、集成混合驱动方案将在34英寸的彩色FED中得到进一步的应用.     

白光LED驱动技术

随着目前市场上移动电话、便携电子设备等产品普遍采用彩色显示屏,应用于彩色LCD显示屏背光源的白色LED也得到了广泛关注。本文着重讨论几种驱动白光LED的方式,并以SC604A为例介绍了电荷泵驱动电路的一般原理。     

基于Mini-LVDS技术的TFT-LCD彩色液晶显示屏的驱动研究及应用

描述了TFT-LCD彩色液晶显示屏的基本驱动原理,重点通过实例分析了基于mini-LVDS技术的驱动,并对Source driver、T-CON两部分电路进行了深入的探讨,同时介绍了利用这部分电路实现图像倒置的具体实现方法.     

场致发射显示器新型图像驱动技术的研究

在分析和研究了原有灰度调制驱动电路以及低逸出功印刷型场致发射显示器(Field emission display, FED)的显示特性之后,提出了新型子行驱动图像还原技术.子行驱动技术能应用于不具备存储特性的显示器中,具有更小缓存容量需求和更高显示时间利用率等优点,更适合于场致发射显示器的驱动显示.详细介绍了新型图像驱动系统的工作原理及实现方案,同时为了解决子行驱动法对后级驱动芯片工作速度要求高的问题,在降低图像灰度数据位数的同时应用误差扩散法来实现真彩图像的还原.该技术已成功应用于FED驱动系统中并研制出彩色FED显示器样机.该样机能显示彩色视频图像,对角线为63.5 cm (25 in),亮度达300 cd/m2,对比度为800:1.     

彩色等离子体显示板的彩色重现

叙述了影响彩色ＰＤＰ彩色重现的因素,其中主要因素是荧光粉的色度值和排列情况,其次是单元的结构、滤色膜、黑色矩阵、驱动电路和障壁等。     

自适应GTR比例驱动电路的分析研究

本文介绍为航空静止变流器中的直流变换器而研制的ＧＴＲ基极驱动电路。在研究了功率晶体管对基极驱动电路要求的基础上，提出了一种能适应功率管参数的离散性和进行自调节的新型比例驱动电路，并分析了这种新型驱动电路的工作原理和设计方法。     

LED电源驱动电路系统设计

分析了风光互补路灯的发展背景,优势及前景,并根据LED的工作指标,设计出了基于LF-F301的电源驱动电路。同时对整个驱动电路的原理进行了分析,通过优化组合开关电路和蓄电池保护电路,提高了风光互补LED路灯驱动电路的寿命以及电能利用率。     

A novel charge pump drive circuit for power MOSFETs

Novel improved power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) drive circuits are introduced. An anti-deadlock block is used in the P-channel power MOSFET drive circuit to avoid deadlocks and improve the transient response. An additional charging path is added to the N-channel power MOSFET drive circuit to enhance its drive capability and improve the transient response. The entire circuit is designed in a 0.6 μm BCD process and simulated with Cadence Spectre. Compared with traditional power MOSFET drive circuits, the simulation results show that improved P-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 60 to 14 ns, the fall time reduced from 240 to 30 ns, and its power dissipation reduced from 2 to 1 mW, while the improved N-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 360 to 27 ns and its power dissipation reduced from 1.1 to 0.8 mW.     

基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究

本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。     

Heric逆变器驱动电路研究与设计

传统Heric逆变器各个桥臂采用相同的驱动电路,造成保护功能的重复,文章针对Heric逆变电路上下桥臂的导通状态,对逆变器上、下桥臂驱动电路的功能进行了划分,分别设计了上、下桥臂驱动电路,使其实现互补配合的保护功能,并针对驱动电路中光耦隔离芯片输出失真的问题,在光耦输入侧加入驱动增强电路。对驱动电路进行测试,实验结果表明该驱动电路可靠性较高,在占空比变化范围较宽时失真度小,逆变器输出波形较好。     

基于SPM3智能功率模块的永磁同步电机驱动电路设计

现代工业对高密度、高效率的伺服驱动系统有大量需求,功率驱动电路是其硬件基础.基于新型SPM3系列智能功率模块,设计了永磁同步电机用驱动电路.对功率器件热问题进行了损耗计算和热路计算.将所设计的电路应用于高性能工业缝纫机伺服控制系统取得了良好的效果.     

Low Cost Gate Drive Circuit for MOSFETs and IGBTs

This work presents the design and implementation of a general purpose low cost drive circuit for insulated gate electronic power devices such as MOSFET and IGBT. The proposed drive circuit implementation is explained in detail and the results and waveforms obtained when the drive circuit is used in a chopper circuit with IGBT are presented.     

一种基于大功率LED的光源可控的PDT反应室设计与实现

以光动力疗法基本知识为背景,根据光动力疗法的需求,设计了一个光功率便于调节的PDT反应室,首先,对PDT反应室中关键部分,产生光波的光源进行了研究与分析,对比各种光源的优缺点,确定了本设计要采用的光源——大功率LED;然后对反应室的电源电路,控制电路和LED驱动电路进行设计,用桥堆整流加电容滤波的原理制作出一个直流电源,为后续电路提供稳定的直流电压;采用单片机编程,通过键盘输入,控制输出高低电平的时间来控制LED驱动芯片的使能端,从而控制LED的点亮与熄灭的时间;选用芯片DD311作为本设计的LED驱动芯片,通过调节电路中的可调电阻,可调节LED的亮度,从而改变PDT反应室的提供的光照度。最后,对本装置的主要技术指标进行了测量。     

基于dsPIC的精跟踪控制系统设计

对精跟踪的驱动、检测和控制方法进行了研究。设计了精跟踪控制系统的驱动、检测和控制电路,并针对驱动电路的动、静态性能进行了测试研究,对检测电路进行了标定实验,对模糊自整定PID控制方法进行了研究。采用模拟扰动源对系统性能进行了测试,结果表明该系统有良好的精跟踪能力。     

Design of high-efficiency RF Class-D power amplifier

In this paper, the losses in a Class-D RF switching power amplifier and their frequency dependence are described. The losses analyzed are the switching, conduction, and gate drive losses. A 300 W, 13.56 MHz, Class-D circuit is designed in the traditional manner to illustrate the magnitude of the different types of loss. A circuit using the ZVS equations developed in this paper is designed. An experimental circuit is built using standard IRF540 devices in TO220 packages. That circuit does not meet its performance goals because of the package inductance. A new low inductance half-bridge package is introduced to solve this problem. Techniques for circuit layout and power measurements for RF applications are also presented in the experimental section. A low loss gate drive circuit is also presented using a Class-E circuit to provide the drive power. The experimental results confirm the accuracy of the design equations derived in this paper