基于74HC4046AD的感应加热电源设计

针对感应加热过程中,铁质负载的电阻率和磁导率会发生变化,使谐振频率发生变化的情况,文中介绍了一种锁相驱动方案。该方案可以实现负载频率自动跟踪,它的电路包括锁相环电路、同步信号提取电路和隔离驱动电路三部分。其中锁相电路实现负载频率的跟踪,同步信号提取电路和隔离驱动电路实现IGBT驱动。设计并制作一台2.5 kW/20 kHz感应加热电源样机,通过给注塑机炮筒加热,实验数据表明锁相驱动方案锁相稳定。     

有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计

为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路。基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路。行驱动电路和列驱动电路基本上都是由反相器和移位寄存器构成,全部采用p-TFT来构成驱动电路。该驱动电路工作正常,能够实现CMOS驱动电路的功能,驱动OLED器件正常发光。通过仿真验证和理论分析表明该驱动电路不仅性能稳定而且成本低、成品率高、外接引线少及外围驱动电路复杂性低。     

AMOLED屏上驱动电路的设计

提出一种基于AMOLED屏的行、列驱动电路的设计方法。该行、列驱动电路是由带两管a-SiTFT和一个存储电容的像素电路组成的AMOLED驱动,行驱动电路是由译码器组成,完成64行的逐行选通信号,列驱动电路由移位寄存器和数据选择器组成,整个系统设计实现128×64点阵AMOLED屏的屏上驱动电路,运用Tanner Pro软件完成对整个电路各部分的绘制,证明了设计的可行性与正确性。     

基于雪崩晶体管的多电流1550nm激光驱动电路

设计了一种基于雪崩晶体管和可编程逻辑器件的多电流155nm半导体激光驱动电路.该驱动电路包括多种大电窄脉冲生成电路、恒流与保护电路和温控电路三部分.利用51单片机、可编程逻辑器件和雪崩晶体管实现数字式的多种大电流窄脉冲生成电路,易于控制与扩展.恒流与保护电路则借助51单片机的分段程序和高分辨率的数/辛莫转换器实现,精度高.而温控电路采取一种类PWM的控制方式.所设计的驱动电路精度高,实时性好,达到了设计要求.     

光电式烟雾探测器芯片设计

基于0.35um 12V CMOS工艺技术设计实现了一款9V光电式烟雾探测器芯片。设计了烟雾报警器系统,烟雾探测光电放大部分电路设计以及给烟雾探测部分设计了5V电压域,给出了STROBE电压的设计实现。通过对光电流信号进行放大、放大后的结果与参考值比较来判断是否有烟。芯片内部嵌入时钟振荡器电路,蜂鸣器驱动电路,LED驱动电路,低电量检测电路。     

步进电机驱动电路的设计

本设计系统地介绍了步进电机驱动电路控制系统的组成、设计方案、电路原理等一系列的设计过程。步进电机驱动电路控制系统是以AT89C51单片机作为控制核心,步进电机为控制对象,运用汇编语言编程实现系统的各种功能。该系统由单片机最小系统、步进电机驱动模块L298、显示电路、4*4键盘电路四大部分组成。电路具有性能稳定、成本低廉等优点,有较好的应用价值。本文通过对步进电机驱动电路控制系统的设计与研究,从而理解步进电机在各种装置中的运行模式和工作状态的实现。     

一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

半导体激光器驱动电源的设计

本文的主要工作以数字式大功率半导体激光器驱动电源设计展开,主要是实现能够给半导体激光器提供最大输出40A、输出电压在2V~10V的恒流源。基于驱动电源的技术要求,设计了驱动电路主回路、保护电路、温控单元等数字式大功率半导体激光器驱动电源的主要部分。     

基于AT89S51的场致发射显示器驱动电路研究

介绍了场致电子发射显示器原理,与大多数显示器一样,场致电子发射显示器的整机系统是由显示屏和驱动电路两部分组成,驱动电路主要以单片机、译码器、寄存器等数字芯片组成的,用以实现对矩阵显示的行、列逻辑控制,并给出逻辑电路图。通过倍压整流的方式设计了用以驱动场致电子发射显示器的高压电源电路,最后采用汇编语言实现了对逻辑电路控制的软件设计。     

双驱动足压电平台驱动电源设计

根据双驱动足压电平台的驱动特性,设计了相应的驱动电路。该电路为可控电压源,具有信号π/2延迟和低频线性放大的特点,线性度好。由PSoC3发出频率、幅值连续可调的驱动信号和相应的偏置信号,经硬件电路实现信号的处理和电压、功率放大,放大范围为0~220V,可通过置换更高性能的场效应管实现更大范围的电压输出。硬件电路分为信号处理部分和功率放大部分。信号处理部分主要是进行分频和信号偏置,功率放大部分进行电压放大和功率输出。针对三极管放大时的工作参数的分布特性,使用电压跟随器实现波形的反对称修正和跟随。用集电极输出的方式实现电压放大,有一定的输出内阻,因压电叠堆的大容性特性,只适用于1kV内的低频输出。     

基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究

本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。     

A new gate drive circuit for high-speed operation of GTO thyristors

This paper presents a new gate turn-off drive circuit for GTO thyristors, which can accomplish faster turn-off switching for high-speed operation of the GTO. The switching characteristics of GTO's can be improved by use of the gate drive circuit that is able to make a very high rate of the negative gate current. The major disadvantage of the conventional gate turn-off driving technique is that it has a difficulty in realizing higher negative di_G/dt due to the maximum reverse gate-cathode voltage and the stray inductances within the gate turn-off drive circuit. This paper shows that this problem can be overcome by adding another gate turn-off drive circuit to the conventional gate turn-off drive circuit. Simulation and experimental results in conjunction with chopper circuit verify the performance of the proposed gate drive circuit     

A novel charge pump drive circuit for power MOSFETs

Novel improved power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) drive circuits are introduced. An anti-deadlock block is used in the P-channel power MOSFET drive circuit to avoid deadlocks and improve the transient response. An additional charging path is added to the N-channel power MOSFET drive circuit to enhance its drive capability and improve the transient response. The entire circuit is designed in a 0.6 μm BCD process and simulated with Cadence Spectre. Compared with traditional power MOSFET drive circuits, the simulation results show that improved P-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 60 to 14 ns, the fall time reduced from 240 to 30 ns, and its power dissipation reduced from 2 to 1 mW, while the improved N-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 360 to 27 ns and its power dissipation reduced from 1.1 to 0.8 mW.     

Low Cost Gate Drive Circuit for MOSFETs and IGBTs

This work presents the design and implementation of a general purpose low cost drive circuit for insulated gate electronic power devices such as MOSFET and IGBT. The proposed drive circuit implementation is explained in detail and the results and waveforms obtained when the drive circuit is used in a chopper circuit with IGBT are presented.     

LED电源驱动电路系统设计

分析了风光互补路灯的发展背景,优势及前景,并根据LED的工作指标,设计出了基于LF-F301的电源驱动电路。同时对整个驱动电路的原理进行了分析,通过优化组合开关电路和蓄电池保护电路,提高了风光互补LED路灯驱动电路的寿命以及电能利用率。     

基于SPM3智能功率模块的永磁同步电机驱动电路设计

现代工业对高密度、高效率的伺服驱动系统有大量需求,功率驱动电路是其硬件基础.基于新型SPM3系列智能功率模块,设计了永磁同步电机用驱动电路.对功率器件热问题进行了损耗计算和热路计算.将所设计的电路应用于高性能工业缝纫机伺服控制系统取得了良好的效果.     

自适应GTR比例驱动电路的分析研究

本文介绍为航空静止变流器中的直流变换器而研制的ＧＴＲ基极驱动电路。在研究了功率晶体管对基极驱动电路要求的基础上，提出了一种能适应功率管参数的离散性和进行自调节的新型比例驱动电路，并分析了这种新型驱动电路的工作原理和设计方法。     

Heric逆变器驱动电路研究与设计

传统Heric逆变器各个桥臂采用相同的驱动电路,造成保护功能的重复,文章针对Heric逆变电路上下桥臂的导通状态,对逆变器上、下桥臂驱动电路的功能进行了划分,分别设计了上、下桥臂驱动电路,使其实现互补配合的保护功能,并针对驱动电路中光耦隔离芯片输出失真的问题,在光耦输入侧加入驱动增强电路。对驱动电路进行测试,实验结果表明该驱动电路可靠性较高,在占空比变化范围较宽时失真度小,逆变器输出波形较好。     

一种用于无刷直流电机控制系统的MOSFET栅极驱动电路

介绍了一种用于无刷直流电动机控制系统的MOSFET栅极驱动电路,该电路完全利用分立元件.具有结构简单、安全可靠和实用性强等特点,该电路采用自举法驱动高压侧开关MOSFET,设置了死区时间以避免桥臂导通.并利用缓冲电阻减小振荡,通过设置合适的门极驱动电压减少了损耗,使电路效率得到了提高.     

一种基于大功率LED的光源可控的PDT反应室设计与实现

以光动力疗法基本知识为背景,根据光动力疗法的需求,设计了一个光功率便于调节的PDT反应室,首先,对PDT反应室中关键部分,产生光波的光源进行了研究与分析,对比各种光源的优缺点,确定了本设计要采用的光源——大功率LED;然后对反应室的电源电路,控制电路和LED驱动电路进行设计,用桥堆整流加电容滤波的原理制作出一个直流电源,为后续电路提供稳定的直流电压;采用单片机编程,通过键盘输入,控制输出高低电平的时间来控制LED驱动芯片的使能端,从而控制LED的点亮与熄灭的时间;选用芯片DD311作为本设计的LED驱动芯片,通过调节电路中的可调电阻,可调节LED的亮度,从而改变PDT反应室的提供的光照度。最后,对本装置的主要技术指标进行了测量。