GaAs/AlGaAs量子级联激光器

利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm，腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K，81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW．     

GSMBE生长 1.8- 2.0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器

报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm,其电流限制和纵模限制效     

Single Mode Operation of Short-Cavity Quantum Cascade Lasers

报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.     

短腔长单模量子级联激光器

报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.     

5.36μm InP基一维光子晶体量子级联激光器

制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg反射器.对于一个22μm宽,2mm长的正焊器件,80K下的光谱测试证实了其准连续激射,激射波长为5.36μm.     

5.36μm InP基一维光子晶体量子级联激光器

制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg反射器.对于一个22μm宽,2mm长的正焊器件,80K下的光谱测试证实了其准连续激射,激射波长为5.36μm.     

单模GaAs/AlGaAs短腔长量子级联激光器

通过缩短Fabry-Pérot腔量子级联激光器的腔长,得到了激射波长为11.4μm的单模GaAs/AlGaAs量子级联激光器。纵模间距与F-P腔腔长成反比,腔长为150μm的器件实现了稳定单模激射,在85K时边模抑制比达到19dB。     

GSMBE生长1.8-2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器

报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8—2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果．1.8μm波段采用平面电极条形结构,已制备成功10μm和80μm条宽器件,器件腔长500μm,室温下光致发光中心波长约为1.82μm,在77K温度下以脉冲方式激射,阈值电流分别约为250mA和600 mA,中心波长分别在1.69μm和1.73μm附近． 2.0μm波段,制备成功8μm宽脊波导结构器件,器件腔长500μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm,77K温度下以脉冲方式激射,阈值电流约为 20mA,中心波长约为1.89μm,其电流限制和纵模限制效果优于平面电极条形结构器件．     

应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

利用应变补偿的方法研制出激射波长λ≈3.5—3.7μm的量子级联激光器.条宽20μm,腔长1.6mm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs量子级联激光器已实现室温准连续激射.在最大输出功率处的准连续激射可持续30min以上.     

谐振腔长10μm、正面激射的注入激光器的单纵模振荡

我们已经研制成振荡波长1.22μm短谐振腔((?)10μm)正面激射的GaInAsP/InP注入激光器,在77K下,阈值电流为160mA。由于吸收区长,电极面积小(φ(?)20μm),侧面无激射现象。直到1.7倍阈值电流时还是单纵模振荡,远场辐射角很小(2Aφ(?)10°)。采用两相熔液的液相外延生长GaInAsP晶片。以n-InP(100)为衬底,连续生长如下四层:n-GaInAsP层(掺Te的1.5μm腐蚀阻挡层)、n-InP层(掺Te、2.5μm)、非掺杂GaInAsP层(2.9μm的有源层)、P-InP