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非制冷980 nm半导体激光器封装设计与热特性分析 总被引:2,自引:1,他引:1
针对非制冷980 nm半导体激光器组件的封装结构,对采用倒装贴片封装的激光器模块内部芯片外延层、热沉和焊料层进行了优化设计,运用有限元法(FEM)对微型双列直插(mini-DIL)非制冷980 nm半导体激光器在连续波(CW)驱动条件下的热场分布进行了模拟计算.对比了倒装贴片和正装贴片的激光器热特性,并对实际封装的激光器光电性能进行了测试.倒装贴片型非制冷980 nm半导体激光器的输出光谱在0~70℃时中心波长漂移仅为0.2 nm,半峰全宽(FWHM)小于1.6 nm,边模抑制比(SMSR)保持在45 dB以上,最大出纤功率达200 mW.研究结果表明,倒装贴片的非制冷980 nm半导体激光器在热稳定性和光电性能方面都有较大提高,能够满足高性能小型化掺铒光纤放大器对非制冷980 nm半导体激光器的性能要求. 相似文献
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本文给出了一种用于测量低功率半导体激光器波长的新方法,测量精度可小于0.2nm。用此方法对GaAlAs半导体激光器的发射波长和模特性进行了测试和分析,得到了GaAlAs半导体激光器波长随工作电流和温度的变化关系。 相似文献
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1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应 总被引:3,自引:1,他引:2
1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4~ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ~ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。 相似文献
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高功率14xxnm半导体激光器是光纤Raman放大器的理想泵浦源,它能够提供大功率、宽带输出,而且其动态可调谐,频率稳定性好,成本低。本文详细介绍了高功率14xxnm半导体激光器的材料生长、器件结构和封装工艺,总结了AlGaInAs材料生长的难点和结构方面的改进措施,指出了带有锥形增益区的脊形波导结构是获取高功率、良好远场单模特性的有效途径。本文还报导了国内外高功率14xxnm半导体激光器的最新产品性能和研发状况,指出了国内进一步研制高功率14xxnm激光器的研究难点和重点。 相似文献
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激光光压偏转原子束分离锂同位素 总被引:1,自引:1,他引:0
用激光光压偏转原子束进行了锂同位素分离实验。准直比为450:1的原子束装置,炉温600℃时发生的原子束的数密度为10~9个原子/厘米~3,可调谐连续染料激光经柱面镜系统扩束后与原子束正交。激光线宽6兆赫,在1厘米长的交叉区域内功率密度为70毫瓦/厘米~2。当激光频率对准~7Li2~2P_(3/2)F=3←2~2S_(1/2)F=2跃迁时,~7Li原子从束中偏转。被偏转的原子中几乎不合~6Li,为非常纯的~7Li。当激光频率对准~6Li和~7Li2~2P←2~2S跃迁的其它超精细跃迁时,未看到明显的偏转,这是由于基态超精细能级的光泵浦效应所致。 相似文献
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铯原子气室中简并二能级系统的电磁诱导吸收 总被引:5,自引:4,他引:1
对于铯原子6^2S1/2(F=4)-6^2P3/2(F’=5)简并二能级系统,在一束较强的耦合光作用下,借助于弱探测光的吸收光谱观察到了电磁诱导吸收现象(EIA);同时在F=4-F’=3及F=4-F’=4跃迁频率附近观测到了Ⅴ型三能级结构中的电磁诱导透明(EIT)。实验中还研究了耦合光场的强度和失谐对电磁诱导吸收的影响。对该系统中Zeeman子能级间的光抽运作用以及多个简并的二能级系统间相干作用的分析表明:由于光抽运作用的强度影响,Zeeman子能级上的布居数以及参与耦合的二能级的原子数,Zeeman子能级间的相干时间发生了变化,从而影响了电磁诱导吸收的增强峰的线宽以及吸收的强度。 相似文献
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本文对甲基氟(CH_3F)光泵远红外激光的斯塔克频移做了理论计算。指出用2.9×10~4~4.4×10~4伏/厘米的电场强度,有可能使甲基氟发射的远红外激光(496微米)与镁原子束的~3P_0→~3P_1跃迁共振,同时保证甲基氟的泵浦跃迁与 CO_2激光9P(20)线共振。预期可能的工作跃迁有四组:~QR(11,5,-11),~QQ(12,5,-11);~QR(11,6,-6),~QQ(12,6,-6);~QR(11,7,-3),~QQ(12,7,-3);~QR(11,8,0),~QQ(12,8,0)。 相似文献
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自1970年T.Y.Chang报道了光泵CH_3F远红外激光器以来,至今已发现有几十种工作物质,可在远红外波段产生1000多条激光线。远红外激光器有广泛的应用,在等离子体诊断中,通过Thompson散射,可确定Tokamak中离子密度和温度;在半导体中,可用来确定载流子浓度和杂质浓度;作为标准波长,可构成频率链的一环;在军事上,远红外激光可用于亚毫米通讯;用远红外激光照射石英晶体,可产生频率为几THz的声子,在 相似文献
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采用射频频率调制光谱实现半导体激光器稳频 总被引:8,自引:6,他引:2
利用半导体激光器可直接对注入电流进行高速调制的特点,将20MHz射频(RF)信号直接加在半导体激光器的高频调制端口,射频信号的一部分经过相移器后,与雪崩光电探测器(APD)所探测的饱和吸收光谱信号进行混频,经低通滤波器后产生了类色散曲线;将半导体激光器的输出频率稳定在铯原子D2线的^6S1/2(F=4)→^6P2/2(F'=5)的超精细跃迁线上,实验所测的10s内典型的频率起伏小于1MHz;这种稳频技术不需锁相放大器,具有可避免低频段较高的强度噪声和较大的频率捕获范围的优点。 相似文献
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传统超声检测仪器开发周期长,成本高,扩展性能差,已无法适应现代激光超声检测技术的发展.本文设计了非本征光纤F-P传感器,建立了基于光纤传感技术的激光超声测量实验装置,研制了测量材料物理参数的可视化虚拟仪器软件,采用峰值间距法实验测试了铜试样的声速和厚度.结果表明,光纤F-P传感器能有效用F超声信号的探测.开发的激光超声... 相似文献
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